RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
SQJ123ELP-T1_GE3	1.5800	RFQ	7998	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ123ELP-T1_GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	238a（TC）	1.8V，4.5V	4mohm @ 10a，4.5V	1.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 V	±8V	11680 pf @ 6 V	-	375W（TC）
IRF9953TRPBF	0.8300	RFQ	60	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）						30V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	1V @ 250µA	12nc @ 10V		190pf @ 15V	-
BF998E6327HTSA1	0.1540	RFQ	7907	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF998	45MHz	MOSFET		PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		30mA	10 MA	-	28DB											2.8dB	8 V
UPA1556AH-az	4.7100	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SD2931-10W	79.6700	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	125 v			M174	SD2931	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道		20a	250 MA	150W	15DB											-	50 V
Stu7n60m2	1.6100	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu7n60		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					600 v	5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 V	±25V	271 PF @ 100 V	-	60W（TC）
SSS10N60B	0.7100	RFQ	470	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	470		n通道					600 v	9A（9A）（TJ）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 25 V	-	50W（TC）
irfr3303trr	-	RFQ	4302	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
SD57030-01	66.7900	RFQ	4580	Stmicroelectronics	-	盒子	积极的	65 v			M250	SD57030	945MHz	ldmos		M250	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			4a	50 mA	30W	15DB											-	28 V
TSM60NB900CP ROG	2.9000	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					600 v	4A（TC）	10V	900MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	36.8W（TC）
tpca8052-h（T2L1，VM	1.1300	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8052		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		264-TPCA8052-H t2l1vmtr	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	20A（TA）	4.5V，10V	11.3mohm @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	2110 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
SQD25N15-52_GE3	3.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD25		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					150 v	25A（TC）	10V	52MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	107W（TC）
3LN01S-TL-E	-	RFQ	1143	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	3LN01		MOSFET （金属 o化物）		SMCP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	150mA（ta）	1.5V，4V	3.7OHM @ 80mA，4V	-	1.58 NC @ 10 V	±10V	7 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
IRLU7821	-	RFQ	4216	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）
STB25N80K5	6.3200	RFQ	1180	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB25		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					800 v	19.5A（TC）	10V	260mohm @ 19.5a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRF5210LPBF	-	RFQ	9327	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF5210		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564364	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					100 v	38A（TC）	10V	60mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），170W（tc）
2SK3065T100	0.7600	RFQ	42	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SK3065		MOSFET （金属 o化物）		MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道					60 V	2A（TA）	2.5V，4V	320MOHM @ 1A，4V	1.5V @ 1mA		±20V	160 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
STWA45N65M5	8.8800	RFQ	349	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA45		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	35A（TC）	10V	78MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±25V	3470 pf @ 100 V	-	210W（TC）
IXTH52P10P	8.4800	RFQ	301	ixys	Polarp™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth52		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道					100 v	52A（TC）	10V	50MOHM @ 52A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2845 PF @ 25 V	-	300W（TC）
2N3819_D27Z	-	RFQ	3446	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3819	-	JFET		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道		50mA		-	-											-
ATF-38143-TR1G	-	RFQ	9918	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4.5 v			SC-82A，SOT-343	ATF-38143	2GHz	Phemt fet		SOT-343，SC70 4引线	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			145mA	10 MA	12DBM	16dB											0.4dB	2 v
IPI80N04S2H4AKSA2	-	RFQ	6451	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
CSD17552Q3A	0.9700	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17552		MOSFET （金属 o化物）		8-son（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
IRF9Z14LPBF	0.8663	RFQ	9779	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9Z14		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9Z14LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI9926BDY-T1-E3	-	RFQ	7743	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926		MOSFET （金属 o化物）	1.14W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						20V	6.2a		20mohm @ 8.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF200S234	-	RFQ	3562	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF200		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					200 v	90A（TC）	10V	16.9MOHM @ 51A，10V	5V @ 250µA	162 NC @ 10 V	±20V	6484 pf @ 50 V	-	417W（TC）
IPP45N06S4L08AKSA2	-	RFQ	1483	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp45n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					60 V	45A（TC）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 45A，10V	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 V	±16V	4780 pf @ 25 V	-	71W（TC）
IPB180N04S4LH0ATMA1	2.4917	RFQ	3963	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	180a（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 180µA	310 NC @ 10 V	+20V，-16V	24440 pf @ 25 V	-	250W（TC）
BUK6212-40C，118	0.3300	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6212-40C，118-954			1		n通道					40 V	50a（ta）		11.2MOHM @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 NC @ 10 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	80W
BS170RLAG	-	RFQ	2506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BS170		MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²