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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
FDD3680	-	RFQ	5170	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					100 v	25A（TA）	6V，10V	46mohm @ 6.1a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	1735 PF @ 50 V	-	68W（TA）
IPD50R280CEATMA1	-	RFQ	4453	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					500 v	13A（TC）	13V	280MOHM @ 4.2A，13V	3.5V @ 350µA	32.6 NC @ 10 V	±20V	773 PF @ 100 V	-	119W（TC）
IRF7433TRPBF	-	RFQ	7855	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					12 v	8.9a（ta）	1.8V，4.5V	24mohm @ 8.7a，4.5V	900mv @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±8V	1877 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
irfr3711ztrl	-	RFQ	7845	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	93A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2160 pf @ 10 V	-	79W（TC）
SH8J65TB1	1.8600	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SH8J65		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						30V	7a		29mohm @ 7a，10v	2.5V @ 1mA	18NC @ 5V		1200pf @ 10V	逻辑级别门
IRFSL17N20D	-	RFQ	6010	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFSL17N20D	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
HUF75542S3S	1.5900	RFQ	400	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 20 V	±20V	2750 pf @ 25 V	-	230W（TC）
FDMC8360L	2.7300	RFQ	6682	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC8360		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	27a（27A），80A（tc）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 27a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	5795 PF @ 20 V	-	2.3W（TA），54W（tc）
AO3418L_101	-	RFQ	4445	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	3.8A（TA）	2.5V，10V	60mohm @ 3.8A，10V	1.8V @ 250µA	3.6 NC @ 4.5 V	±12V	270 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
SPI35N10	-	RFQ	6256	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI35N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					100 v	35A（TC）	10V	44mohm @ 26.4a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 25 V	-	150W（TC）
FQB17P10TM	-	RFQ	3680	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道					100 v	16.5A（TC）	10V	190MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
IXTT82N25P	11.0100	RFQ	254	ixys	极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT82		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					250 v	82A（TC）	10V	35mohm @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
STP20NF20	2.4500	RFQ	287	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5812-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					200 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	940 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRLIB9343	-	RFQ	2501	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLIB9343	Ear99	8541.29.0095	50		P通道					55 v	14A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	33W（TC）
IPD50R2K0CE	1.0000	RFQ	8946	Infineon技术	*	大部分	积极的					IPD50R					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500
STB38N65M5	6.5400	RFQ	5007	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB38		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V	3000 pf @ 100 V	-	190w（TC）
QJD1210011	-	RFQ	6794	Powerex Inc.	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	QJD1210		（SIC）	900W	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						1200V（1.2kV）	100A（TC）		25mohm @ 100a，20v	5V @ 10mA	500NC @ 20V		10200pf @ 800V	-
IRFU9014	-	RFQ	3953	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9014	Ear99	8541.29.0095	75		P通道					60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
blf188xrsu	226.0600	RFQ	54	Ampleon USA Inc.	-	托盘	积极的	135 v		表面安装	SOT-539B	BLF188	108MHz	ldmos		SOT539B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	20	双重，共同来源		-	40 MA	1400W	24.4db											-	50 V
STP16N60M2	2.0600	RFQ	151	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP16		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±25V	700 pf @ 100 V	-	110W（TC）
SI3443DV	-	RFQ	1267	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	640 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
IRFZ44VZ	-	RFQ	5183	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfz44vzs	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
MMBF4416A	0.3900	RFQ	75	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	35 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBF4416	400MHz	JFET		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道		15mA	5 ma	-	-											4DB	15 v
CSD17306Q5A	1.3700	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17306		MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	（24A）（TA），100A （TC）	3V，8V	3.7MOHM @ 22a，8v	1.6V @ 250µA	15.3 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	2170 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
ZVN4310GTC	-	RFQ	3261	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	1.67a（ta）	5V，10V	540MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 1mA		±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
TPN8R903NL，LQ	0.7400	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN8R903		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	2.3V @ 100µA	9.8 NC @ 4.5 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	700MW（TA），22W（22W）TC）
CMLDM8005 TR PBFRE	0.7600	RFQ	12	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM8005		MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	650mA		360MOHM @ 350mA，4.5V	1V @ 250µA	1.2nc @ 4.5V		100pf @ 16V	逻辑级别门
IRF7468Tr	-	RFQ	5124	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					40 V	9.4A（TA）	4.5V，10V	15.5MOHM @ 9.4a，10V	2V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	2460 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
MRF6V14300HSR5	460.4300	RFQ	387	自由度半导体	-	大部分	积极的	100 v		底盘安装	NI-780		1.4GHz	ldmos		NI-780	下载					Ear99	8542.39.0001	1			-	150 ma	330W	18db											-	50 V
FDU2572	1.0000	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道					150 v	（4a ta），29a （TC）	6V，10V	54mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	135W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²