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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
AOTF262L	-	RFQ	1277	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF262		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					60 V	17.5a（ta），85a tc）	6V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	3.2V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	8140 pf @ 30 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
SIL03N10-TP	-	RFQ	9530	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL03N10		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-SIL03N10-TPTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	3A（3A）	4.5V，10V	120mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	19.2 NC @ 10 V	±20V	810 PF @ 50 V	-	1.5W
SP8M31HZGTB	2.2500	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M3		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						60V	4.5A（ta）		65MOHM @ 4.5A，10V，70MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 1mA	7NC @ 5V，40NC @ 10V		500pf @ 10V，2500pf @ 10V	-
TPCA8064-H，LQ（CM	-	RFQ	1484	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8064		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	20A（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 10a，10v	2.3V @ 200µA	23 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），32W（（ta）
IRF520NSPBF	-	RFQ	7146	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	9.7a（TC）	10V	200mohm @ 5.7a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
IRF9620	-	RFQ	2169	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9620		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9620	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI4909DY-T1-GE3	1.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4909		MOSFET （金属 o化物）	3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						40V	8a		27mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	63nc @ 10V		2000pf @ 20V	逻辑级别门
STW20NM50	-	RFQ	7928	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw20n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					550 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	214W（TC）
DMP6050SSD-13	0.8300	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMP6050		MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）						60V	4.8a		55mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	24NC @ 10V		1293pf @ 30V	-
CLF1G0060-10U	101.7265	RFQ	4775	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	150 v		底盘安装	SOT-1227A	CLF1G0060	3GHz〜3.5GHz	甘姆特		CDFM2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			-	50 mA	10W	14.5db											-	50 V
FDY4001CZ	0.1000	RFQ	111	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY40		MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载	不适用				Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道						20V	200mA，150mA		5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		60pf @ 10V	逻辑级别门
FDPF9N50NZ	-	RFQ	8942	Onmi	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-220-3完整包	FDPF9		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	-		-	-				-	-
BLA6H1011-600,112-AMP	-	RFQ	8875	Ampleon USA Inc.	*	管子	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1
NTR0202PLT1	-	RFQ	1459	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NTR020		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	NTR0202PLT1OS	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	400mA（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 200mA，10V	2.3V @ 250µA	2.18 NC @ 10 V	±20V	70 pf @ 5 V	-	225MW（TA）
NVMFS5C450NAFT3G	-	RFQ	8725	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	24A（24A），102A（tc）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 65µA	23 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），68W（tc）
SUD90330E-BE3	1.5800	RFQ	8916	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD90330		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		742-SUD90330E-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					200 v	35.8A（TC）	7.5V，10V	37.5MOHM @ 12.2a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1172 PF @ 100 V	-	125W（TC）
IXTH130N20T	9.3800	RFQ	7131	ixys	沟	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH130		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	130a（TC）	10V	16mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	150 NC @ 10 V	±20V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
NTMFS4925NET1G	-	RFQ	3311	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	9.7a（ta），48a tc）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	±20V	1264 PF @ 15 V	-	（920MW）（TA），23.2W（tc）
STH410N4F7-2AG	3.6291	RFQ	9778	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH410		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	200a（TC）	10V	1.1MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 250µA	141 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 25 V	-	365W（TC）
IXTH10P60	11.8200	RFQ	295	ixys	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道					600 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
2SK2858（0）-T1-AT	-	RFQ	4525	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SK2858（0）-T1-AT			1
BSZ031NE2LS5ATMA1	1.3200	RFQ	301	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ031		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	（19a（ta），40a（tc）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±16V	1230 pf @ 12 V	-	2.1W（TA），30W（tc）
IPL60R360P6SATMA1	2.1400	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™P6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IPL60R360		MOSFET （金属 o化物）		8-thinpak（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					600 v	11.3A（TC）	10V	360MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 370µA	22 NC @ 10 V	±20V	1010 PF @ 100 V	-	89.3W（TC）
PMPB09R1XNX	0.4400	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB09		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020M-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	9.3a（ta）	1.8V，4.5V	11.2MOHM @ 9.3A，4.5V	900mv @ 250µA	12.2 NC @ 4.5 V	±12V	940 pf @ 15 V	-	1.5W（ta），21W（21W）TC）
ALD212902PAL	5.6826	RFQ	5658	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的		0°C 〜70°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ALD212902		MOSFET （金属 o化物）	500MW	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	50	2（n n 通道（双）						10.6V	80mA		-	20mv @ 10µA	-		-	逻辑级别门
PJQ4465AP_R2_00001	0.2138	RFQ	3567	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4465		MOSFET （金属 o化物）		DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4465AP_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道					60 V	（5A）（16a （TC）（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1256 pf @ 30 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
SPP04N60S5BKSA1	-	RFQ	6159	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp04n		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	5.5V @ 200µA	22.9 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SFT1423-TL-E	-	RFQ	1735年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SFT142		MOSFET （金属 o化物）		TP-FA	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700		n通道					500 v	2A（TA）	4V，10V	4.9ohm @ 1A，10V	-	8.7 NC @ 10 V	±20V	175 pf @ 30 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
IRFB7787PBF	-	RFQ	3641	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7787		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					75 v	76A（TC）	6V，10V	8.4mohm @ 46A，10V	3.7V @ 100µA	109 NC @ 10 V	±20V	4020 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRFC4332EB	-	RFQ	8065	Infineon技术	-	大部分	过时的										-			到达不受影响		过时的		1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²