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FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图
SPB100N03S203T	2.1400	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	300W（TC）
AOB66616L	2.4200	RFQ	8430	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alplosgt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB66616		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				60 V	38.5A（TA），140A （TC）	6V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	3.4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2870 pf @ 30 V	-	8.3W（ta），125W（tc）
CSD86350Q5D	2.7700	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD86350Q5		MOSFET （金属 o化物）	13W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）					25V	40a		6mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	10.7nc @ 4.5V		1870pf @ 12.5V	逻辑级别门
MSCMC90AM12C3AG	-	RFQ	4091	微芯片技术	-	管子	积极的		-	底盘安装	模块	MSCMC90		（SIC）	-	SP3F	下载			到达不受影响	150-MSCMC90AM12C3AG	Ear99	8541.29.0095	1	-					900V	110A（TC）		-	-	-		-	-
ALD212902PAL	5.6826	RFQ	5658	高级线性设备公司	EPAD®，零阈值™	管子	积极的		0°C 〜70°C（TJ）	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	ALD212902		MOSFET （金属 o化物）	500MW	8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	50	2（n n 通道（双）					10.6V	80mA		-	20mv @ 10µA	-		-	逻辑级别门
PJQ4465AP_R2_00001	0.2138	RFQ	3567	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4465		MOSFET （金属 o化物）		DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4465AP_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道				60 V	（5A）（16a （TC）（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1256 pf @ 30 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
IXZR16N60	-	RFQ	6904	ixys-rf	Z-MOS™	管子	过时的	600 v			TO-247-3		65MHz	MOSFET		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道		18a	350W	23dB											-
IRFBC30SPBF	1.6155	RFQ	1175	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30SPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
irfr120pbf-be3	1.2300	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr120pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道				100 v	7.7A（TC）		270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
RF1S45N02LSM9A	0.4800	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800
CSD87334Q3DT	1.6600	RFQ	7151	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87334Q3		MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）					30V	-		6mohm @ 12a，8v	1.2V @ 250µA	8.3nc @ 4.5V		1260pf @ 15V	-
AOC3870	0.3439	RFQ	6123	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					AOC387					-	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOC3870STR			8,000
PSMN057-200B，118	2.9300	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN057		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				200 v	39A（TC）	10V	57mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BSO4420T	-	RFQ	5349	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2V @ 80µA	33.7 NC @ 5 V	±20V	2213 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
R6030mnx	-	RFQ	8681	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6030		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				600 v	30A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	2180 pf @ 25 V	-	90W（TC）
APT10026L2LLG	66.9704	RFQ	8348	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10026		MOSFET （金属 o化物）		264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				1000 v	38A（TC）		260mohm @ 19a，10v	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V		7114 PF @ 25 V	-
STP5NB40	-	RFQ	3265	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP5N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				400 v	4.7A（TC）	10V	1.8OHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	405 pf @ 25 V	-	80W（TC）
FDMC86102	2.2700	RFQ	2256	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMC86		MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				100 v	（7A（ta），20A （TC）	6V，10V	24mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	965 PF @ 50 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
RS6L090BGTB1	2.3600	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				60 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 90A，10V	2.5V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 30 V	-	3W（3W），73W（tc）（TC）
DN3135N8-G	0.8100	RFQ	4741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3135		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道				350 v	135mA（tj）	0V	35ohm @ 150mA，0v	-		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.3W（TA）
78160GNP	-	RFQ	6472	微芯片技术	-	大部分	积极的					78160					-			到达不受影响	150-78160GNP			25
RM17N800TI	1.5300	RFQ	5642	美国直发	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM17N800TI		8541.10.0080	5,000		n通道				800 v	17a（TC）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA		±30V	2060 pf @ 50 V	-	35W（TC）
PJA7002H_R1_00001	0.2200	RFQ	74	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJA7002H_R1_001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				60 V	300mA（TA）	5V，10V	5ohm @ 300mA，10v	3V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	±20V	22 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
SQJ443EP-T1_GE3	1.4100	RFQ	3995	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TA）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ443		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				40 V	40a（TC）	4.5V，10V	29mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 20 V	-	83W（TC）
FDG327N	-	RFQ	2056	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	FDG327		MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				20 v	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	90MOHM @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	6.3 NC @ 4.5 V	±8V	423 pf @ 10 V	-	420MW（TA）
BSO4420	-	RFQ	1976年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	13A（TA）	4.5V，10V	7.8mohm @ 13a，10v	2V @ 80µA	33.7 NC @ 5 V	±20V	2213 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
FDC602P	0.6400	RFQ	3495	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC602		MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	5.5A（ta）	2.5V，4.5V	35MOHM @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	20 NC @ 4.5 V	±12V	1456 pf @ 10 V	-	1.6W（TA）
IRFR9020Tr	-	RFQ	6211	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9020		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道				50 V	9.9a（TC）	10V	280MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SCH1434-TL-H	-	RFQ	4346	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	Sch143		MOSFET （金属 o化物）		6-SCH	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000		n通道				30 V	2A（TA）	1.8V，4.5V	165mohm @ 1A，4.5V	-	1.7 NC @ 4.5 V	±12V	130 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
IRF9510	-	RFQ	4604	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9510S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道				100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²