RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

FET，MOSFET （55612）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
SI4838DY-T1-E3	3.1200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4838		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					12 v	17A（TA）	2.5V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	60 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
ZVN4310GTC	-	RFQ	3261	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	1.67a（ta）	5V，10V	540MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 1mA		±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（TA）
VN0550N3-G-P013	1.9400	RFQ	354	微芯片技术	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN0550		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					500 v	50mA（TJ）	5V，10V	60ohm @ 50mA，10v	4V @ 1mA		±20V	55 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRF9335TRPBF	0.8200	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9335		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.4A，10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPD90R1K2C3BTMA1	-	RFQ	2606	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					900 v	5.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 310µA	28 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
IRF5305STRR	-	RFQ	7326	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF5305		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q971401A	Ear99	8541.29.0095	800		P通道					55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
SISS10DN-T1-GE3	1.0200	RFQ	5890	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS10		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	+20V，-16V	3750 pf @ 20 V	-	57W（TC）
DMJ70H600HCTI	-	RFQ	8419	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	DMJ70		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB（TH）	下载	rohs3符合条件	不适用		31-DMJ70H600HCTI	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					700 v	6.6A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 250µA	17.4 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），65W（tc）
IXFM11N80	-	RFQ	6690	ixys	Hiperfet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXFM11		MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道					800 v	11A（TC）	10V	950MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
NTBL095N65S3H	3.7639	RFQ	3339	Onmi	SuperFet®III	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hpsof	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NTBL095N65S3HTR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					650 v	30A（TC）	10V	95mohm @ 15a，10v	4V @ 2.8mA	58 NC @ 10 V	±30V	2833 PF @ 400 V	-	208W（TC）
FDS6375	0.9600	RFQ	2423	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS63		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	8a（8a）	2.5V，4.5V	24mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±8V	2694 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
ATF-55143-TR1	-	RFQ	8304	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v			SC-82A，SOT-343	ATF-55143	2GHz	e-phemt		SOT-343	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			100mA	10 MA	14.4dbm	17.7dB											0.6dB	2.7 v
IPW65R145CFD7AXKSA1	6.4300	RFQ	4517	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R145		MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	17a（TC）		145mohm @ 8.5a，10v	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
TPC8033-H （TE12LQM）	-	RFQ	5341	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8033		MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	17A（TA）		5.3MOHM @ 8.5A，10V	2.5V @ 1mA	42 NC @ 10 V		3713 PF @ 10 V	-	-
FDC6303N	0.4600	RFQ	4965	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	FDC6303		MOSFET （金属 o化物）	700MW	SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	680mA		450MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	2.3nc @ 4.5V		50pf @ 10V	逻辑级别门
NTHD4401PT1	-	RFQ	3955	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD44		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	chipfet™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）						20V	2.1a		155mohm @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 250µA	6NC @ 4.5V		300pf @ 10V	逻辑级别门
SD56150	-	RFQ	8698	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v			M252	SD56150	860MHz	ldmos		M252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15			17a	500 MA	150W	16.5db											-	32 v
GSFQ2305	0.5000	RFQ	6	好公园的半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0080	3,000		P通道					20 v	11a（11a）	1.8V，10V	16mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±10V	3370 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRL2703S	-	RFQ	4554	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL2703S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	24A（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IXFP3N80	-	RFQ	3978	ixys	Hiperfet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	3.6A（TC）	10V	3.6ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RJK005N03FRAT146	0.3900	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RJK005		MOSFET （金属 o化物）		SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	500mA（ta）	2.5V，4.5V	580MOHM @ 500mA，4.5V	1.5V @ 1mA	4 NC @ 4 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
irlu7833pbf	-	RFQ	8334	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001553270	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）
VS-FA40SA50LC	24.7261	RFQ	2509	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	FA40		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSFA40SA50LC	Ear99	8541.29.0095	160		n通道					500 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 23A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	543W（TC）
R6086YNZC17	19.6100	RFQ	6868	Rohm半导体	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载		（1 （无限）		846-R6086YNZC17			300		n通道					600 v	33A（TC）	10V，12V	44mohm @ 17a，12v	6V @ 4.6mA	110 NC @ 10 V	±30V	5100 PF @ 100 V	-	114W（TC）
SIL03N10-TP	-	RFQ	9530	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	SIL03N10		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-SIL03N10-TPTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					100 v	3A（3A）	4.5V，10V	120mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	19.2 NC @ 10 V	±20V	810 PF @ 50 V	-	1.5W
FQP6N40C	-	RFQ	7907	Onmi	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	73W（TC）
Si4488dy-T1-GE3	2.2500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4488		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					150 v	3.5A（ta）	10V	50mohm @ 5a，10v	2V @ 250µA（）	36 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
SIHP17N60D-E3	1.7493	RFQ	4844	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP17		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP17N60DE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
IRFR224	-	RFQ	1277	Vishay Siliconix	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR224	Ear99	8541.29.0095	75		n通道					250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
QS5U16TR	0.2360	RFQ	1975年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-5薄，TSOT-23-5	QS5U16		MOSFET （金属 o化物）		TSMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	2A（TA）	2.5V，4.5V	100mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.9 NC @ 4.5 V	±12V	175 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	900MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

FET，MOSFET （55612）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²