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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
APL602LG	58.7804	RFQ	8710	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APL602	MOSFET （金属 o化物）	TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	49A（TC）	12V	125mohm @ 24.5a，12v	4V @ 2.5mA		±30V	9000 PF @ 25 V	-	730W（TC）
SCT4026DW7HRTL	22.7600	RFQ	1	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		sicfet （碳化硅）	TO-263-7L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	750 v	51A（TC）	18V	34mohm @ 29a，18v	4.8V @ 15.4mA	94 NC @ 18 V	+21V，-4V	2320 PF @ 500 V	-	150W
DMN4020LFDEQ-13	0.1279	RFQ	1808年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN4020	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载			到达不受影响	31-DMN4020LFDEQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	n通道	40 V	8.6a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 8a，10v	2.4V @ 250µA	25.3 NC @ 10 V	±20V	1201 PF @ 20 V	-	850MW（TA）
BUK953R2-40B，127	-	RFQ	9065	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	94 NC @ 5 V	±15V	10502 PF @ 25 V	-	300W（TC）
NTMFS0D9N03CGT1G	3.2900	RFQ	466	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS0	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	30 V	48A（TA），298A （TC）	10V	0.9MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 200µA	131.4 NC @ 10 V	±20V	9450 PF @ 15 V	-	3.8W（TA），144w（tc）
ZVN1409ASTOB	-	RFQ	9403	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3	ZVN1409A	MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	90 v	10mA（ta）	10V	250ohm @ 5mA，10v	2.4V @ 100µA		±20V	6.5 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
NTD20N03L27T4	0.3700	RFQ	1	Onmi	-	大部分	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NTD20	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	20A（TA）		27mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	18.9 NC @ 10 V		1260 pf @ 25 V	-
DMT32M4LPSW-13	0.4693	RFQ	3381	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	DMT32	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8（type UX）	下载			到达不受影响	31-DMT32M4LPSW-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	3944 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），83W（tc）
IXFB70N60Q2	30.0952	RFQ	8285	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB70	MOSFET （金属 o化物）	加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	600 v	70A（TC）	10V	88mohm @ 35a，10v	5.5V @ 8mA	265 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
TPC8031-H （TE12LQM）	-	RFQ	5858	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8031	MOSFET （金属 o化物）	8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	11a（11a）		13.3MOHM @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V		2150 pf @ 10 V	-	-
MCAC38N10YA-TP	1.1200	RFQ	7	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC38N10Y	MOSFET （金属 o化物）	DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	38a	10V	20mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	17.5 NC @ 10 V	±20V	1209 PF @ 50 V	-	60W（TJ）
ZVNL120GTA	0.9400	RFQ	360	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ZVNL120	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	200 v	320mA（TA）	3V，5V	10ohm @ 250mA，5V	1.5V @ 1mA		±20V	85 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IRFR4104TRR	-	RFQ	2833	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BUK7Y25-60E/GFX	-	RFQ	8189	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				buk7			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
PSMN016-100YS，115	1.3600	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN016	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	100 v	51A（TC）	10V	16.3mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	54 NC @ 10 V	±20V	2744 PF @ 50 V	-	117W（TC）
IPA60R120P7XKSA1	4.1600	RFQ	383	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	26a（TC）	10V	120mohm @ 8.2a，10v	4V @ 410µA	36 NC @ 10 V	±20V	1544 PF @ 400 V	-	28W（TC）
BUK7277-55A，118	0.8400	RFQ	236	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7277	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	18A（TC）	10V	77MOHM @ 10a，10v	4V @ 1mA		±20V	422 PF @ 25 V	-	51W（TC）
NTHD3133PFT1G	-	RFQ	9721	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHD31	MOSFET （金属 o化物）	chipfet™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	3.2A（TJ）	1.8V，4.5V	80MOHM @ 3.2a，4.5V	1.5V @ 250µA	7.4 NC @ 4.5 V	±8V	680 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.1W（TA）
STL8N65M2	0.7650	RFQ	5386	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL8	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.25OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±25V	270 pf @ 100 V	-	48W（TC）
BUK9Y15-60E，115	1.1000	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK9Y15	MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	60 V	53A（TC）	5V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	17.2 NC @ 5 V	±10V	2603 pf @ 25 V	-	95W（TC）
SCH1337-TL-H	-	RFQ	4980	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SCH133	MOSFET （金属 o化物）	6-SCH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000	P通道	30 V	2A（TA）	4V，10V	150MOHM @ 1A，10V	-	3.9 NC @ 10 V	±20V	172 PF @ 10 V	-	800MW（TA）
IRLR7821TRPBF	-	RFQ	2067	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRF7450	-	RFQ	5080	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7450	Ear99	8541.29.0095	95	n通道	200 v	2.5a（ta）	10V	170MOHM @ 1.5A，10V	5.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FDD16AN08A0-F085	-	RFQ	8883	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD16	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	75 v	（9a）（50A），50A （TC）	6V，10V	16mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1874 PF @ 25 V	-	135W（TC）
APT10045LLG	26.5800	RFQ	4617	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10045	MOSFET （金属 o化物）	TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1000 v	23A（TC）		450MOHM @ 11.5A，10V	5V @ 2.5mA	154 NC @ 10 V		4350 pf @ 25 V	-
BSS169H6327XTSA1	0.4700	RFQ	98	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS169	MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	100 v	170mA（TA）	0V，10V	6ohm @ 170mA，10v	1.8V @ 50µA	2.8 NC @ 7 V	±20V	68 pf @ 25 V	耗尽模式	360MW（TA）
NVD5C632NLT4G	3.6700	RFQ	6809	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NVD5C632	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	29a（ta），155a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	（4W）（115W（ta）（TC）
FDP053N08B-F102	2.2100	RFQ	355	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP053	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	80 V	75A（TC）	10V	5.3MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	5960 pf @ 40 V	-	146W（TC）
BSN254,126	-	RFQ	5940	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSN2	MOSFET （金属 o化物）	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	250 v	310mA ta）	2.4V，10V	5ohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BS170PSTOB	-	RFQ	5168	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	E-Line-3	BS170	MOSFET （金属 o化物）	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	60 V	270mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²