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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | RM1A5N30S3AE | 0.0390 | ![]() | 6517 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-RM1A5N30S3AETR | 8541.10.0080 | 30,000 | n通道 | 30 V | 1.5A(TA),1.4a(tc) | 2.5V,4.5V | 144MOHM @ 1A,4.5V | 1.5V @ 250µA | ±10V | 105 pf @ 15 V | - | 400MW(TA),500MW((((((((((( | |||||
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![]() | irlr3410pbf | - | ![]() | 8585 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 100 v | 17a(TC) | 4V,10V | 105mohm @ 10a,10v | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 V | ±16V | 800 pf @ 25 V | - | 79W(TC) | |||
![]() | FDD26AN06A0-F085 | - | ![]() | 3404 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FDD26AN06 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | (7A)(ta),36a (TC) | 10V | 26mohm @ 36a,10v | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 800 pf @ 25 V | - | 75W(TC) | ||
![]() | SPU03N60S5IN | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FQU5N50TU | - | ![]() | 6782 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | FQU5 | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | n通道 | 500 v | 3.5A(TC) | 10V | 1.8OHM @ 1.75a,10V | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 610 pf @ 25 V | - | 2.5W(ta),50W(50W)(TC) | |||
![]() | IXFP4N85XM | 3.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | IXFP4N85 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 850 v | 3.5A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A,10V | 5.5V @ 250µA | 7 NC @ 10 V | ±30V | 247 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | ||
![]() | FQP4N50 | - | ![]() | 6409 | 0.00000000 | Onmi | QFET® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FQP4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 3.4A(TC) | 10V | 2.7OHM @ 1.7A,10V | 5V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 460 pf @ 25 V | - | 70W(TC) | |||
![]() | BS170RLM | 1.0000 | ![]() | 4762 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | BS170 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | ||||||||||||||||||
![]() | DMP2104LP-7 | 0.4300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 3-udfn | DMP2104 | MOSFET (金属 o化物) | DFN1411-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 1.5A(TA) | 1.8V,4.5V | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | ±12V | 320 pf @ 16 V | - | 500MW(TA) | |||
![]() | SI3867DV-T1-GE3 | - | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | SI3867 | MOSFET (金属 o化物) | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 3.9a(ta) | 2.5V,4.5V | 51MOHM @ 5.1A,4.5V | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 V | ±12V | - | 1.1W(TA) | |||
![]() | MSC750SMA170B4 | 5.6100 | ![]() | 137 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSC750SMA170B4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 90 | n通道 | 1700 v | 7A(TC) | 20V | 940MOHM @ 2.5A,20V | 3.25V @ 100µA(100µA)) | 11 NC @ 20 V | +23V,-10V | 184 PF @ 1360 V | - | 68W(TC) | |||
![]() | NVHL040N65S3HF | 8.5422 | ![]() | 3882 | 0.00000000 | Onmi | SuperFet®III,FRFET® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NVHL040N65S3HF | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 65A(TC) | 10V | 40mohm @ 32.5a,10v | 5V @ 2.1mA | 157 NC @ 10 V | ±30V | 6655 PF @ 400 V | - | 446W(TC) | ||
![]() | ZVP4525E6TA | 0.9100 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | ZVP4525 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 250 v | 197MA(ta) | 3.5V,10V | 14ohm @ 200ma,10v | 2V @ 1mA | 3.45 NC @ 10 V | ±40V | 73 pf @ 25 V | - | 1.1W(TA) | ||
![]() | IRFR3704Tr | - | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001573372 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 20 v | 75A(TC) | 10V | 9.5Mohm @ 15a,10v | 3V @ 250µA | 19 nc @ 4.5 V | ±20V | 1996 PF @ 10 V | - | 90W(TC) | ||
![]() | NTMFS4826NET1G | - | ![]() | 1889年 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NTMFS4 | MOSFET (金属 o化物) | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 30 V | 9.5A(TA),66A (TC) | 4.5V,11.5V | 5.9MOHM @ 30a,10V | 2.5V @ 250µA | 20 NC @ 4.5 V | ±20V | 1850 pf @ 12 V | - | 870MW(TA),41.7W(tc) | |||
![]() | IXFR24N100 | 18.6177 | ![]() | 3869 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFR24 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1000 v | 22a(TC) | 10V | 390MOHM @ 12A,10V | 5.5V @ 8mA | 267 NC @ 10 V | ±20V | 8700 PF @ 25 V | - | 416W(TC) | |||
![]() | IXFN120N20 | 31.6500 | ![]() | 3810 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN120 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | IXFN120N20-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 200 v | 120A(TC) | 10V | 17mohm @ 500mA,10v | 4V @ 8mA | 360 NC @ 10 V | ±20V | 9100 PF @ 25 V | - | 600W(TC) | |
![]() | IXTP8N70X2M | 3.4000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ixys | Ultra X2 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | ixtp8 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220隔离选项卡 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixtp8n70x2m | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 700 v | 4A(TC) | 10V | 550MOHM @ 500mA,10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 800 pf @ 10 V | - | 32W(TC) | |
![]() | irfr3412pbf | - | ![]() | 9817 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *irfr3412pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 48A(TC) | 10V | 25mohm @ 29a,10v | 5.5V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | ±20V | 3430 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | |||
![]() | 2SK3377-Z-E1-AZ | - | ![]() | 1122 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 20A(TJ) | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRFSL8405 | - | ![]() | 6271 | 0.00000000 | 国际整流器 | Hexfet® | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 120A(TC) | 10V | 2.3MOHM @ 100A,10V | 3.9V @ 100µA | 161 NC @ 10 V | ±20V | 5193 PF @ 25 V | - | 163W(TC) | ||||||
![]() | NTD25P03LT4G | 1.4300 | ![]() | 8931 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NTD25 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 25A(TA) | 4V,5V | 80Mohm @ 25a,5v | 2V @ 250µA | 20 nc @ 5 V | ±15V | 1260 pf @ 25 V | - | 75W(TJ) | ||
TSM048NB06LCR RLG | 3.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerldfn | TSM048 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5.2x5.75) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TSM048NB06LCRRLGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 16A(16A),107A (TC) | 4.5V,10V | 4.8mohm @ 16a,10v | 2.5V @ 250µA | 105 NC @ 10 V | ±20V | 6253 PF @ 30 V | - | 3.1W(TA),136W(tc) | ||
![]() | IPP65R074C6XKSA1 | - | ![]() | 1947年 | 0.00000000 | Infineon技术 | coolmos™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | ipp65r | MOSFET (金属 o化物) | pg-to220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000898650 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 650 v | 57.7A(TC) | 10V | 74mohm @ 13.9a,10v | 3.5V @ 1.4mA | 17 NC @ 10 V | ±20V | 3020 PF @ 100 V | - | 480.8W(TC) | |
![]() | irfu3412pbf | - | ![]() | 1359 | 0.00000000 | Infineon技术 | Hexfet® | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | IPAK(TO-251AA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *irfu3412pbf | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 48A(TC) | 10V | 25mohm @ 29a,10v | 5.5V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | ±20V | 3430 pf @ 25 V | - | 140W(TC) | |||
![]() | IXFT40N30Q | - | ![]() | 7840 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXFT40 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | IXFT40N30Q-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 300 v | 40a(TC) | 10V | 80Mohm @ 500mA,10V | 4V @ 4mA | 140 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 25 V | - | 300W(TC) | |||
![]() | SSM6K341NU,LF | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6K341 | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfnb(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 6a(6a) | 4V,10V | 36mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 100µA | 9.3 NC @ 10 V | ±20V | 550 pf @ 10 V | - | 2.5W(TA) | |||
PMV37ener | 0.4100 | ![]() | 709 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1727-PMV37Enertr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 3.5A(ta) | 4.5V,10V | 49MOHM @ 3.5A,10V | 2.7V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 450 pf @ 30 V | - | 710MW(TA),8.3W(tc) |
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