SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IXFP4N100PM IXYS IXFP4N100PM 4.5182
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IXFP4N100 MOSFET (金属 o化物) TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfp4n100pm Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 2.1A(TC) 10V 3.3ohm @ 2a,10v 6V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1456 pf @ 25 V - 40W(TC)
RM1A5N30S3AE Rectron USA RM1A5N30S3AE 0.0390
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 MOSFET (金属 o化物) SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2516-RM1A5N30S3AETR 8541.10.0080 30,000 n通道 30 V 1.5A(TA),1.4a(tc) 2.5V,4.5V 144MOHM @ 1A,4.5V 1.5V @ 250µA ±10V 105 pf @ 15 V - 400MW(TA),500MW(((((((((((
3SK222-T2-A Renesas Electronics America Inc 3SK222-T2-A 0.4400
RFQ
ECAD 195 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
IRLR3410PBF International Rectifier irlr3410pbf -
RFQ
ECAD 8585 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 100 v 17a(TC) 4V,10V 105mohm @ 10a,10v 2V @ 250µA 34 NC @ 5 V ±16V 800 pf @ 25 V - 79W(TC)
FDD26AN06A0-F085 onsemi FDD26AN06A0-F085 -
RFQ
ECAD 3404 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101,PowerTrench® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 FDD26AN06 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V (7A)(ta),36a (TC) 10V 26mohm @ 36a,10v 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±20V 800 pf @ 25 V - 75W(TC)
SPU03N60S5IN Infineon Technologies SPU03N60S5IN 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
FQU5N50TU onsemi FQU5N50TU -
RFQ
ECAD 6782 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA FQU5 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 500 v 3.5A(TC) 10V 1.8OHM @ 1.75a,10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 610 pf @ 25 V - 2.5W(ta),50W(50W)(TC)
IXFP4N85XM IXYS IXFP4N85XM 3.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IXFP4N85 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 850 v 3.5A(TC) 10V 2.5OHM @ 2A,10V 5.5V @ 250µA 7 NC @ 10 V ±30V 247 PF @ 25 V - 35W(TC)
FQP4N50 onsemi FQP4N50 -
RFQ
ECAD 6409 0.00000000 Onmi QFET® 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FQP4 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 3.4A(TC) 10V 2.7OHM @ 1.7A,10V 5V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±30V 460 pf @ 25 V - 70W(TC)
BS170RLRM onsemi BS170RLM 1.0000
RFQ
ECAD 4762 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 BS170 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000
DMP2104LP-7 Diodes Incorporated DMP2104LP-7 0.4300
RFQ
ECAD 78 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 3-udfn DMP2104 MOSFET (金属 o化物) DFN1411-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 1.5A(TA) 1.8V,4.5V 150MOHM @ 950mA,4.5V 1V @ 250µA ±12V 320 pf @ 16 V - 500MW(TA)
SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Vishay Siliconix Trechfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6薄,TSOT-23-6 SI3867 MOSFET (金属 o化物) 6-TSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3.9a(ta) 2.5V,4.5V 51MOHM @ 5.1A,4.5V 1.4V @ 250µA 11 NC @ 4.5 V ±12V - 1.1W(TA)
MSC750SMA170B4 Microchip Technology MSC750SMA170B4 5.6100
RFQ
ECAD 137 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 sicfet (碳化硅) TO-247-4 下载 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSC750SMA170B4 Ear99 8541.29.0095 90 n通道 1700 v 7A(TC) 20V 940MOHM @ 2.5A,20V 3.25V @ 100µA(100µA)) 11 NC @ 20 V +23V,-10V 184 PF @ 1360 V - 68W(TC)
NVHL040N65S3HF onsemi NVHL040N65S3HF 8.5422
RFQ
ECAD 3882 0.00000000 Onmi SuperFet®III,FRFET® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NVHL040N65S3HF Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 65A(TC) 10V 40mohm @ 32.5a,10v 5V @ 2.1mA 157 NC @ 10 V ±30V 6655 PF @ 400 V - 446W(TC)
ZVP4525E6TA Diodes Incorporated ZVP4525E6TA 0.9100
RFQ
ECAD 3822 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 ZVP4525 MOSFET (金属 o化物) SOT-23-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 250 v 197MA(ta) 3.5V,10V 14ohm @ 200ma,10v 2V @ 1mA 3.45 NC @ 10 V ±40V 73 pf @ 25 V - 1.1W(TA)
IRFR3704TR Infineon Technologies IRFR3704Tr -
RFQ
ECAD 3357 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 SP001573372 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 20 v 75A(TC) 10V 9.5Mohm @ 15a,10v 3V @ 250µA 19 nc @ 4.5 V ±20V 1996 PF @ 10 V - 90W(TC)
NTMFS4826NET1G onsemi NTMFS4826NET1G -
RFQ
ECAD 1889年 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 NTMFS4 MOSFET (金属 o化物) 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 9.5A(TA),66A (TC) 4.5V,11.5V 5.9MOHM @ 30a,10V 2.5V @ 250µA 20 NC @ 4.5 V ±20V 1850 pf @ 12 V - 870MW(TA),41.7W(tc)
IXFR24N100 IXYS IXFR24N100 18.6177
RFQ
ECAD 3869 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFR24 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 22a(TC) 10V 390MOHM @ 12A,10V 5.5V @ 8mA 267 NC @ 10 V ±20V 8700 PF @ 25 V - 416W(TC)
IXFN120N20 IXYS IXFN120N20 31.6500
RFQ
ECAD 3810 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN120 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFN120N20-NDR Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 120A(TC) 10V 17mohm @ 500mA,10v 4V @ 8mA 360 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 600W(TC)
IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M 3.4000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 ixtp8 MOSFET (金属 o化物) TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtp8n70x2m Ear99 8541.29.0095 50 n通道 700 v 4A(TC) 10V 550MOHM @ 500mA,10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 10 V - 32W(TC)
IRFR3412PBF Infineon Technologies irfr3412pbf -
RFQ
ECAD 9817 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 *irfr3412pbf Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 48A(TC) 10V 25mohm @ 29a,10v 5.5V @ 250µA 89 NC @ 10 V ±20V 3430 pf @ 25 V - 140W(TC)
2SK3377-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3377-Z-E1-AZ -
RFQ
ECAD 1122 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000 20A(TJ)
AUIRFSL8405 International Rectifier AUIRFSL8405 -
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 国际整流器 Hexfet® 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 40 V 120A(TC) 10V 2.3MOHM @ 100A,10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 V ±20V 5193 PF @ 25 V - 163W(TC)
NTD25P03LT4G onsemi NTD25P03LT4G 1.4300
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 NTD25 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 25A(TA) 4V,5V 80Mohm @ 25a,5v 2V @ 250µA 20 nc @ 5 V ±15V 1260 pf @ 25 V - 75W(TJ)
TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLG 3.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerldfn TSM048 MOSFET (金属 o化物) 8-pdfn(5.2x5.75) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 TSM048NB06LCRRLGTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 16A(16A),107A (TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 16a,10v 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 6253 PF @ 30 V - 3.1W(TA),136W(tc)
IPP65R074C6XKSA1 Infineon Technologies IPP65R074C6XKSA1 -
RFQ
ECAD 1947年 0.00000000 Infineon技术 coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ipp65r MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP000898650 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 650 v 57.7A(TC) 10V 74mohm @ 13.9a,10v 3.5V @ 1.4mA 17 NC @ 10 V ±20V 3020 PF @ 100 V - 480.8W(TC)
IRFU3412PBF Infineon Technologies irfu3412pbf -
RFQ
ECAD 1359 0.00000000 Infineon技术 Hexfet® 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) IPAK(TO-251AA) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 *irfu3412pbf Ear99 8541.29.0095 75 n通道 100 v 48A(TC) 10V 25mohm @ 29a,10v 5.5V @ 250µA 89 NC @ 10 V ±20V 3430 pf @ 25 V - 140W(TC)
IXFT40N30Q IXYS IXFT40N30Q -
RFQ
ECAD 7840 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXFT40 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) IXFT40N30Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 40a(TC) 10V 80Mohm @ 500mA,10V 4V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 25 V - 300W(TC)
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU,LF 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K341 MOSFET (金属 o化物) 6-udfnb(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 6a(6a) 4V,10V 36mohm @ 4A,10V 2.5V @ 100µA 9.3 NC @ 10 V ±20V 550 pf @ 10 V - 2.5W(TA)
PMV37ENER Nexperia USA Inc. PMV37ener 0.4100
RFQ
ECAD 709 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET (金属 o化物) TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1727-PMV37Enertr Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 3.5A(ta) 4.5V,10V 49MOHM @ 3.5A,10V 2.7V @ 250µA 13 NC @ 10 V ±20V 450 pf @ 30 V - 710MW(TA),8.3W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库