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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
DMTH45M5LFVWQ-13	0.3197	RFQ	7031	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		31-DMTH45M5LFVWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	18A（18A），71A（71A）（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 25A，10V	2.3V @ 250µA	13.9 NC @ 10 V	±20V	978 PF @ 20 V	-	3.5W（TA），51W（TC）
IXTQ44P15T	7.1800	RFQ	46	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq44	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道	150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IRFR9220TRR	-	RFQ	6034	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
2n6796u	-	RFQ	7583	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC		MOSFET （金属 o化物）	18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	8A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250mA	6.34 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
FQPF6P25	-	RFQ	7271	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	250 v	4.2A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.1a，10v	5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	780 pf @ 25 V	-	45W（TC）
2SK3704	-	RFQ	8303	Onmi	-	包	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3704	MOSFET （金属 o化物）	TO-220毫升	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	n通道	60 V	45A（TA）	4V，10V	14mohm @ 23A，10V	-	67 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
IRF3808LPBF	-	RFQ	8475	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）	TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3808LPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
FQAF11N90	-	RFQ	5265	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FQAF1	MOSFET （金属 o化物）	to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360	n通道	900 v	7.2A（TC）	10V	960MOHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	120W（TC）
FQB11N40TM	-	RFQ	3947	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	400 v	11.4A（TC）	10V	480MOHM @ 5.7A，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
HUFA75344P3_F085	-	RFQ	4941	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	HUFA75	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
SCTH90N65G2V-7	35.0600	RFQ	87	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCTH90	sicfet （碳化硅）	H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	90A（TC）	18V	26mohm @ 50a，18v	5V @ 1mA	157 NC @ 18 V	+22V，-10V	3300 PF @ 400 V	-	330W（TC）
IXFR15N100P	-	RFQ	6572	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR15	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1000 v	-		-	-				-	-
STF23N80K5	5.4700	RFQ	43	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF23	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16305-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	16A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	5V @ 100µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 100 V	-	35W（TC）
FDB9409-F085	-	RFQ	8389	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB9409	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
TPH3R70APL，L1Q	1.6400	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R70	MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	100 v	90A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 50 V	-	960MW（TA），170W（tc）
IXFX26N90	18.8423	RFQ	8647	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX26	MOSFET （金属 o化物）	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	560W（TC）
FDD86567-F085	2.4400	RFQ	3007	Onmi	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD86567	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	100A（TC）	10V	3.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 30 V	-	227W（TJ）
FQA12P20	-	RFQ	4369	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA1	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	P通道	200 v	12.6a（TC）	10V	470MOHM @ 6.3a，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	150W（TC）
DMTH6016LFVWQ-13	0.6500	RFQ	2	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH6016	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	41A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	939 PF @ 30 V	-	1.17W（TA）
APT20M38BVRG	13.3000	RFQ	2588	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20M38	MOSFET （金属 o化物）	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
RJK1001DPP-A0 ＃T2	6.7400	RFQ	5871	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3	RJK1001	MOSFET （金属 o化物）	TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道	100 v	80a（ta）	10V	5.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 1mA	147 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 10 V	-	30W（TA）
2SK4161D	2.6244	RFQ	6327	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK4161	MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	Rohs符合条件			1261-2SK4161D	Ear99	8541.29.0095	1,020	n通道	60 V	100A（TC）	8V，10V	155mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	145 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 10 V	-	132W（TC）
DMTH10H032LFVWQ-13	0.2533	RFQ	7722	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMTH10	MOSFET （金属 o化物）	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	-				31-DMTH10H032LFVWQ-13	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	26a（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	11.9 NC @ 10 V	±20V	683 PF @ 50 V	-	1.7W（TA）
PJD1NA60B_L2_00001	-	RFQ	2418	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD1NA60	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	1A（1A）	10V	10ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	210 pf @ 25 V	-	28W（TC）
STP35N60M2-EP	3.0791	RFQ	6975	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP35	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	26a（TC）	-	-	-		±25V		-	-
JANTXV2N6901	-	RFQ	5221	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/570	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）	to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	100 v	1.69a（TC）	5V	1.4OHM @ 1.07A，5V	2V @ 1mA	5 nc @ 5 V	±10V		-	8.33W（TC）
TPH3R003PL，LQ	0.9900	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R003	MOSFET （金属 o化物）	8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	88A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 44A，4.5V	2.1V @ 300µA	50 NC @ 10 V	±20V	3825 pf @ 15 V	-	90W（TC）
FQA24N50-ON	1.0000	RFQ	7811	Onmi	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	500 v	24A（TC）	10V	200mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	290W（TC）
SFT1431-W	-	RFQ	6229	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SFT143	MOSFET （金属 o化物）	IPAK/TP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	35 v	11a（11a）	4V，10V	25mohm @ 5.5a，10v	2.6V @ 1mA	17.3 NC @ 10 V	±20V	960 pf @ 20 V	-	1W（1W），15W（tc）
TK110E10PL，S1X	1.3400	RFQ	78	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3	TK110E10	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	42A（TC）	4.5V，10V	10.7MOHM @ 21A，10V	2.5V @ 300µA	33 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 50 V	-	87W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²