RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ3495EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	18	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3495	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQ3495EV-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	8A（TC）	2.5V，10V	21MOHM @ 5A，4.5V	1.4V @ 250µA	41 NC @ 4.5 V	±12V	3950 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SIR172ADP-T1-GE3	0.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir172	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1515 PF @ 15 V	-	29.8W（TC）
CPH3348-TL-E	0.1900	RFQ	15	Sanyo	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-96	CPH334	MOSFET （金属 o化物）	3-CPH	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	12 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	70MOHM @ 1.5A，4.5V	-	5.6 NC @ 4.5 V	±10V	405 pf @ 6 V	-	1W（ta）
DMN10H170SFDE-13	0.1559	RFQ	8120	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerudfn	DMN10	MOSFET （金属 o化物）	U-DFN2020-6（e）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN10H170SFDE-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道	100 v	2.9a（ta）	4.5V，10V	160MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±20V	1167 PF @ 25 V	-	660MW（TA）
SIDR140DP-T1-RE3	2.6900	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	79A（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.67MOHM @ 20A，10V	2.1V @ 250µA	170 NC @ 10 V	+20V，-16V	8150 pf @ 10 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
IMBG65R039M1HXTMA1	15.6600	RFQ	2599	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBG65	sicfet （碳化硅）	PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	54A（TC）	18V	51mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+23V，-5V	1393 PF @ 400 V	-	211W（TC）
YJD60P04A	0.3070	RFQ	250	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-YJD60P04ATR	Ear99		2,500
SISHA12ADN-T1-GE3	0.8600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	sisha12	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	22a（22A），25a（tc）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	+20V，-16V	2070 pf @ 15 V	-	3.5W（ta），28W（28W）TC）
IMBG120R017M2HXTMA1	23.2180	RFQ	5363	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IMBG120R017M2HXTMA1TR			1,000
STB15N65M5	-	RFQ	3740	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB15N	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	11A（TC）	10V	340MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	810 PF @ 100 V	-	85W（TC）
IXFI7N80P	-	RFQ	6019	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ixfi7	MOSFET （金属 o化物）	TO-262（I2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BFL4001-1E	-	RFQ	6632	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BFL40	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3 FULLPACK/TO-220F-3SG	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	900 v	4.1A（TC）	10V	2.7OHM @ 3.25A，10V	-	44 NC @ 10 V	±30V	850 pf @ 30 V	-	2W（TA），37W（tc）
IPAW60R280CEXKSA1	-	RFQ	7407	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，变体	ipaw60	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220完整包，宽阔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450	n通道	600 v	19.3a（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	3.5V @ 430µA	43 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IXFT70N30Q3	21.6000	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT70	MOSFET （金属 o化物）	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft70n30q3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	300 v	70A（TC）	10V	54mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 25 V	-	830W（TC）
Auirfu4104	-	RFQ	9512	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518784	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
SI2305-TP	0.4200	RFQ	37	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2305	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	8 V	4.1a（ta）	4.5V	90MOHM @ 2A，1.8V	900mv @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V		-	350MW（TA）
25P06	0.8300	RFQ	4	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	25A（TC）	10V	45mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	3384 pf @ 30 V	-	100W（TC）
Stu4n80k5	1.6400	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu4n80	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	800 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	60W（TC）
NVMFS5C442NWFT1G	-	RFQ	4376	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道	40 V	140a（TC）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），83W（tc）
AUIRF6218S-IR	-	RFQ	6333	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道	150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
NP88N04KUG-E1-AY	-	RFQ	2967	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	88A（TC）	10V	2.9MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	RFQ	490	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R1	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	800 v	3.9a（TC）	10V	1.4OHM @ 2.3a，10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	31W（TC）
STW18NK80Z	-	RFQ	1762年	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW18N	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4423-5	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	800 v	19a（tc）	10V	380MOHM @ 10a，10v	4.5V @ 150µA	250 NC @ 10 V	±30V	6100 PF @ 25 V	-	350W（TC）
SIHD3N50D-E3	0.3563	RFQ	9541	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD3	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75	n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	175 pf @ 100 V	-	69W（TC）
SI7852ADP-T1-GE3	2.2500	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7852	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	80 V	30A（TC）	8V，10V	17mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1825 PF @ 40 V	-	5W（5W），62.5W（TC）
GKI04048	1.6200	RFQ	2	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	14A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 35.4a，10v	2.5V @ 650µA	35.3 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），59w（tc）
IRF8010STRLPBF	2.8400	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF8010	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
IRFL9014TR	-	RFQ	7049	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9014	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	1.8A（TC）	10V	500MOHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
MCB90N12-TP	1.1562	RFQ	3199	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MCB90N12	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	120 v	90a		7.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	4514 PF @ 50 V	-	260W
PSMB055N08NS1_R2_00601	1.6100	RFQ	398	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMB055N08	MOSFET （金属 o化物）	TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PSMB055N08NS1_R2_00601TR	Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	108a（TC）	7V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	3.75V @ 250µA	48 NC @ 7 V	±20V	4773 PF @ 40 V	-	113.6W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²