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单FET，MOSFET（（44971）

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AUIRFS4010-7P	-	RFQ	1043	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	190a（TC）		4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
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IXFP5N100P	5.5900	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP5N100	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp5n100p	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 500mA，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFN23N100	-	RFQ	1316	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN23	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	n通道	1000 v	23A（TC）	10V	-	5V @ 8mA		±20V		-	600W（TC）
BUK9535-100A，127	-	RFQ	6834	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	41A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3573 PF @ 25 V	-	149W（TC）
IXFP12N65X2M	4.2300	RFQ	2832	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	12A（TC）	10V	310MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	1134 PF @ 25 V	-	40W（TC）
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TSM9434CS	0.6218	RFQ	7118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9434	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9434CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	20 v	6.4A（TC）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
BSC034N06NSATMA1	1.9000	RFQ	14	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC034	MOSFET （金属 o化物）	PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	100A（TC）	6V，10V	3.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 41µA	41 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 30 V	-	2.5W（ta），74W（TC）
BSS138-T	-	RFQ	4294	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	BSS138	MOSFET （金属 o化物）	EFCP1313-4CC-037	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	n通道	50 V	220mA（ta）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 1mA	2.4 NC @ 10 V	±20V	27 PF @ 25 V	-	360MW（TA）
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PSMN013-100P，127	2.3300	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN013	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	68A（TC）	10V	13.9mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	3195 PF @ 50 V	-	170W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²