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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irli2910pbf	-	RFQ	8281	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	31a（TC）	4V，10V	26mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±16V	3700 PF @ 25 V	-	63W（TC）
IQE008N03LM5ATMA1	2.6800	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE008N	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	27a（27A），253a（tc）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±16V	5700 PF @ 15 V	-	2.1W（TA），89W（tc）
DMNH6012SPSQ-13	1.5400	RFQ	4	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	DMNH6012	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	50A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	35.2 NC @ 10 V	±20V	1926 PF @ 30 V	-	1.6W（TA）
IRL3705ZSTRL	-	RFQ	4004	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	55 v	75A（TC）		8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V		2880 pf @ 25 V	-
FDP027N08B-F102	3.2900	RFQ	9820	Onmi	PowerTrench®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP027	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	80 V	120A（TC）	10V	2.7MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	13530 PF @ 40 V	-	246W（TC）
FQP33N10	1.6000	RFQ	2279	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FQP33	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FQP33N10-OS	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	33A（TC）	10V	52MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±25V	1500 pf @ 25 V	-	127W（TC）
NTMFS5C609NLT1G	2.9680	RFQ	2999	Onmi	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				NTMFS5			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1,500
DMP1008UCB9-7	0.3007	RFQ	8938	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，Wlbga	DMP1008	MOSFET （金属 o化物）	U-WLB1515-9	下载			到达不受影响	31-DMP1008UCB9-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	8 V	9.8A（ta）	2.5V，4.5V	5.7MOHM @ 2A，4.5V	1.1V @ 250µA	8.2 NC @ 4.5 V	-6V	900 pf @ 4 V	-	840MW（TA）
CMPDM303NH BK	-	RFQ	5822	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）	SOT-23F	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,500	n通道	30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 1.8A，4.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
ZXMN3A02X8TC	-	RFQ	6969	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	ZXMN3	MOSFET （金属 o化物）	8-msop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 12a，10v	1V @ 250µA	26.8 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	1.1W（TA）
RM180N60T2	0.7300	RFQ	2096	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM180N60T2		8541.10.0080	5,000	n通道	60 V	180a（TC）	10V	2.9mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA		±20V	4500 pf @ 30 V	-	220W（TC）
FQPF5P20	-	RFQ	5551	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道	200 v	3.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRFSL7430pbf	-	RFQ	1788年	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFSL7430	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557608	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	195a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
CSD17552Q3A	0.9700	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17552	MOSFET （金属 o化物）	8-son（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	（15a）（TA），60a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
HUF75345S3ST_NL	1.0000	RFQ	4487	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	275 NC @ 20 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	325W（TC）
PMN27UP，115-nxp	-	RFQ	2799	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	P通道	20 v	5.7A（ta）		32MOHM @ 2.4a，4.5V	950mv @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±8V	2340 pf @ 10 V	-	540MW（TA），6.25W（tc）
NP50P06SDG-E1-AY	1.9300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	50A（TC）		16.5MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V		5000 pf @ 10 V	-	1.2W（ta），84W（tc）
IRLMS2002TRPBF	0.7200	RFQ	125	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	IRLMS2002	MOSFET （金属 o化物）	Micro6™（SOT23-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IRL7833STRLPBF	2.3700	RFQ	1334	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL7833	MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 38a，10v	2.3V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±20V	4170 pf @ 15 V	-	140W（TC）
SUD50P04-23-GE3	-	RFQ	1787年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	40 V	8.2a（ta），20a（tc）	4.5V，10V	23mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±16V	1880 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），45.4W（TC）
SIHP5N50D-E3	0.6185	RFQ	8471	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP5	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IRL3103D1PBF	-	RFQ	8288	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103D1PBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	2W（ta），89w（tc）
IRF840S	-	RFQ	4727	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840S	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRF432	1.2100	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	500 v	4a	-	-	-		-		-	75W
IRF9540	-	RFQ	6306	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9540	Ear99	8541.29.0095	50	P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SQJQ480E-T1_GE3	3.0300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ480	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	80 V	150a（TC）	10V	3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	8625 PF @ 25 V	-	136W（TC）
SPA08N50C3XKAS1	1.0000	RFQ	4176	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO220-3-111	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	560 v	7.6A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	32 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	32W（TC）
IXFH120N25T	12.9570	RFQ	4685	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	n通道	250 v	120A（TC）	10V	23mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	11300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IRFIBC20G	-	RFQ	2867	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIBC20G	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	1.7A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IRFZ48NPBF	1.5900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	130W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²