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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
EPC2219	1.3200	RFQ	8	EPC	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	死		ganfet（n化岩）	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	917-EPC2219TR	Ear99	8541.29.0040	2,500	n通道	65 v	500mA（ta）	5V	3.3OHM @ 59mA，5V	2.5V @ 100µA	0.064 NC @ 5 V	-	10 pf @ 32.5 V	-	-
BSZ070N08LS5ATMA1	1.6400	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ070	MOSFET （金属 o化物）	PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	80 V	40a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	5 NC @ 4.5 V	±20V	2340 pf @ 40 V	标准	69W（TC）
IRF7580MTRPBF	1.2600	RFQ	7	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距我	下载					Ear99	8541.29.0095	238	n通道	60 V	114a（TC）	6V，10V	3.6mohm @ 70a，10v	3.7V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	6510 PF @ 25 V	-	115W（TC）
MTM232270LBF	-	RFQ	4609	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）	smini3-g1-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	2A（TA）	2.5V，4V	110MOHM @ 1A，4V	1.3V @ 1mA		±10V	290 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FQU4N50TU	-	RFQ	9154	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	FQU4	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,040	n通道	500 v	2.6A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
AOTF16N50	1.0079	RFQ	3204	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF16	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	500 v	16A（TC）	10V	370MOHM @ 8A，10V	4.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	2297 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IPC60R075CPX1SA1	-	RFQ	6848	Infineon技术	-	大部分	积极的				IPC60			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000926270		0000.00.0000	1			-
AO3454	-	RFQ	6476	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AO3454Tr	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	25mohm @ 5.8A，10V	2.6V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	373 PF @ 15 V	-	1.4W（TA）
NTMFS4119NT1G	-	RFQ	9325	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS4	MOSFET （金属 o化物）	5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,500	n通道	30 V	11a（11a）	4.5V，10V	3.5mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±20V	4800 PF @ 24 V	-	900MW（TA）
APTM100DA18CT1G	-	RFQ	2360	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）	SP1	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	n通道	1000 v	40a（TC）	10V	216MOHM @ 33A，10V	5V @ 2.5mA	570 NC @ 10 V	±30V	14800 PF @ 25 V	-	657W（TC）
AOTF190A60CL	2.4800	RFQ	469	Alpha＆欧米茄半导体公司	AMOS5™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	AOTF190	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOTF190A60CL	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	20A（TJ）	10V	190MOHM @ 7.6A，10V	4.6V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1935 PF @ 100 V	-	32W（TC）
IPDD60R145CFD7XTMA1	4.5500	RFQ	4677	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60	MOSFET （金属 o化物）	PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700	n通道	600 v	24A（TC）		145MOHM @ 6A，10V	4.5V @ 300µA	28 NC @ 10 V	±20V	1199 PF @ 400 V	-	160W（TC）
IPA60R120C7XKSA1	5.5100	RFQ	8932	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001385040	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	11A（TC）	10V	120MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 390µA	34 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 400 V	-	32W（TC）
PJD25N10A_L2_00001	0.7700	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD25	MOSFET （金属 o化物）	TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD25N10A_L2_00001DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	4.4A（TA），25a （TC）	4.5V，10V	50mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3601 PF @ 15 V	-	2W（TA），60W（60w）TC）
HUF75343S3	1.0800	RFQ	557	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	HUF75	MOSFET （金属 o化物）	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
TSM1NB60CH C5G	0.7448	RFQ	1518年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM1NB60	MOSFET （金属 o化物）	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
BUK6D22-30EX	0.4200	RFQ	5	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	BUK6D22	MOSFET （金属 o化物）	DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	7.2A（ta），22a （TC）	4.5V，10V	22mohm @ 7.2a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 15 V	-	2W（TA），19W（tc）
IPD12CN10NGATMA1	2.5000	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD12CN10	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	67A（TC）	10V	12.4mohm @ 67a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 50 V	-	125W（TC）
SI7411DN-T1-E3	-	RFQ	5353	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7411	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	7.5A（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 11.4a，4.5V	1V @ 300µA	41 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
BUK762R7-30B，118	-	RFQ	9705	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	75A（TC）	10V	2.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	6212 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPD70P04P4L08AUMA2	-	RFQ	4755	Infineon技术	Optimos®-P2	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-313	-					过时的		1	P通道	40 V	70A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 70a，10v	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 V	+5V，-16V	5430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RM35N30DF	0.2700	RFQ	1960年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2516-RM35N30DFTR		8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA		±20V	2330 pf @ 15 V	-	40W（TC）
SI4421DY-T1-GE3	2.4800	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4421	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	8.75MOHM @ 14a，4.5V	800mv @ 850µA	125 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.5W（TA）
RCX700N20	3.9000	RFQ	127	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RCX700	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	200 v	70A（TC）	10V	42.7MOHM @ 35A，10V	5V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	2.23W（ta），40W（TC）
SIHG35N60E-GE3	6.6700	RFQ	4693	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG35	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	32A（TC）	10V	94mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	2760 pf @ 100 V	-	250W（TC）
NDB4060	0.5500	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
ICE15N73W	3.7300	RFQ	300	ICEMOS技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-247	下载				5133-ICE15N73W	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	730 v	15A（TC）	10V	350MOHM @ 7.5A，10V	3.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2816 PF @ 100 V	-	208W（TC）
DMT64M8LCG-13	0.3973	RFQ	4643	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）	V-DFN3333-8（B型）	下载			到达不受影响	31-DMT64M8LCG-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	16.1a（ta），77.8a tc）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.4V @ 250µA	47.5 NC @ 10 V	±20V	2664 PF @ 30 V	-	990MW（TA）
NDB7050L	-	RFQ	2815	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NDB705	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	50 V	75A（TC）		15mohm @ 37.5a，5v	2V @ 250µA	115 NC @ 5 V		4000 pf @ 25 V	-
NP50P04SDG-E1-AY	1.9900	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP50P04	MOSFET （金属 o化物）	TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5000 pf @ 10 V	-	1.2W（ta），84W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²