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单FET，MOSFET（（44971）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
DMP3007SFG-13	0.8700	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3007	MOSFET （金属 o化物）	PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	64.2 NC @ 10 V	±25V	2826 PF @ 15 V	-	2.8W（ta）
IXFL132N50P3	29.7500	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL132	MOSFET （金属 o化物）	ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfl132n50p3	Ear99	8541.29.0095	25	n通道	500 v	63A（TC）	10V	43mohm @ 66a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18600 PF @ 25 V	-	520W（TC）
FDS5672	1.7200	RFQ	47	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS56	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	12A（TC）	6V，10V	10mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
STP40N20	-	RFQ	3004	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4380-5	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	40a（TC）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRLR9343-701PBF	-	RFQ	3226	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）	i-pak（LF701）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	P通道	55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
NTD78N03-001	-	RFQ	9133	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTD78	MOSFET （金属 o化物）	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	25 v	11.4A（ta），78a tc）	4.5V，10V	6mohm @ 78a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2250 pf @ 12 V	-	1.4W（TA），64W（tc）
STFU8N60DM2	-	RFQ	2931	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU8	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STFU8N60DM2	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	12A（TC）	10V	295MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	25W（TC）
FDMS8025S	1.4000	RFQ	2	Onmi	PoterTrench®，SyncFet™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	FDMS8025	MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	24A（24A），49A （TC）	4.5V，10V	2.8MOHM @ 24A，10V	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
SI1305DL-T1-E3	-	RFQ	3341	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1305	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	8 V	860ma（ta）	1.8V，4.5V	280MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±8V		-	290MW（TA）
IXFN94N50P2	31.2300	RFQ	2	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN94	MOSFET （金属 o化物）	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn94n50p2	Ear99	8541.29.0095	10	n通道	500 v	68A（TC）	10V	55mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	220 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IRF3707ZCSTRRP	-	RFQ	4294	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SSM3J14TTE85LF	-	RFQ	8348	东芝半导体和存储	U-MOSII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J14	MOSFET （金属 o化物）	TSM	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	2.7a（ta）	4V，10V	85mohm @ 1.35a，10v	-		±20V	413 PF @ 15 V	-	700MW（TA）
IRF6721STRPBF	-	RFQ	3333	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺		MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™SQ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道	30 V	14a（TA），60A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
BSD314SPEL6327	1.0000	RFQ	5563	Infineon技术	Optimos™-P 3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）	PG-SOT363-6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
2SK3326 （2）-az	-	RFQ	1431	肾脏	-	大部分	过时的							-				2156-2SK3326（2）-2			1
DMP2110UQ-13	0.0648	RFQ	7690	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP2110	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3	下载			到达不受影响	31-DMP2110UQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	P通道	20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
R6011enx	3.0700	RFQ	500	Rohm半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	R6011	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道	600 v	11A（TC）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	40W（TC）
STD100N3LF3	1.9300	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD100	MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	80A（TC）	5V，10V	5.5MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±20V	2060 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FDB6670AS	-	RFQ	1925年	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB667	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	30 V	62a（ta）	4.5V，10V	8.5mohm @ 31a，10v	3V @ 1mA	39 NC @ 15 V	±20V	1570 pf @ 15 V	-	62.5W（TC）
IRF3315STRLPBF	-	RFQ	3506	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRL3102STRL	-	RFQ	9348	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IRLR120NTRLPBF	1.2400	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	100 v	10A（TC）	4V，10V	185mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	48W（TC）
TSM120N06LCS RLG	2.5200	RFQ	19	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM120	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2193 PF @ 30 V	-	12.5W（TC）
FDD3706	0.6000	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）	TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	500	n通道	20 v	14.7a（ta），50a （TC）	2.5V，10V	9mohm @ 16.2a，10v	1.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±12V	1882 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），44W（tc）
IPP050N10NF2SAKMA1	2.9200	RFQ	9517	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP0505050m	MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	100 v	19.4a（ta），110a tc）	6V，10V	5mohm @ 60a，10v	3.8V @ 84µA	76 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 50 V	-	3.8W（ta），150W（TC）
IPD50N06S4L08ATMA1	-	RFQ	2686	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 50a，10v	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 V	±16V	4780 pf @ 25 V	-	71W（TC）
2N7002-TP	0.1800	RFQ	44	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10V	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
H7N0608LS90TL	3.6800	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
NTA4001NT1G	0.3800	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	NTA4001	MOSFET （金属 o化物）	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	20 v	238ma（tj）	2.5V，4.5V	3ohm @ 10mA，4.5V	1.5V @ 100µA		±10V	20 pf @ 5 v	-	300MW（TJ）
DMTH8008LPSQ-13	0.5023	RFQ	1256	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	PowerDI5060-8	下载			到达不受影响	31-DMTH8008LPSQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	91A（TC）	4.5V，10V	7.8mohm @ 14a，10v	2.8V @ 1mA	41.2 NC @ 10 V	±20V	2345 PF @ 40 V	-	1.6W（TA），100W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

单FET，MOSFET（（44971）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²