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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
PTVA093002TCV1R250XTMA1	-	RFQ	9512	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	105 v		H-37248G-4/2		730MHz〜960MHz	ldmos	H-49248H-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001482274	Ear99	8541.29.0075	250	双重，共同来源	10µA	400 MA	300W	18.5db	-	50 V
ATF-531P8-BLK	-	RFQ	4398	Broadcom Limited	-	大部分	过时的	7 V		8-WFDFN暴露垫	ATF-531P8	2GHz	e-phemt	8-lpcc （2x2）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		300mA	135 MA	24.5dbm	20dB	0.6dB	4 V
MRF24300GNR3	-	RFQ	1353	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	32 v	底盘安装	OM-780-2G	MRF24	2.45GHz	hemt	OM-780-2鸥	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935313135528	Ear99	8541.29.0075	250		-		300W	-	-
MRF6S9045MBR1	-	RFQ	7824	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		TO-272-2	MRF6	880MHz	ldmos	TO-272-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	350 MA	10W	22.7dB	-	28 V
NE3515S02-T1C-A	1.0000	RFQ	7495	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET	S02	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000		88mA	10 MA	14dBm	12.5db	0.3dB	2 v
BLF6G27-10,112	-	RFQ	6805	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-975B	BLF6G27	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos	CDFM2	-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	60		3.5a	130 MA	2W	19db	-	28 V
MRF9030LR1	-	RFQ	3225	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v	底盘安装	NI-360		1GHz	ldmos	NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		10µA	250 MA	30W	19db	-	26 V
MRF9060LR1	-	RFQ	6172	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos	NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		-	450 MA	60W	17dB	-	26 V
ATF-33143-TR2G	-	RFQ	4990	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5.5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-34143	2GHz	Phemt fet	SOT-343	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		305mA	80 ma	22DBM	15DB	0.5dB	4 V
2N5485_D75Z	-	RFQ	9863	Onmi	-	（TB）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5485	400MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	10mA		-	-	4DB	15 v
BLA0912-250	-	RFQ	7848	Rochester Electronics，LLC	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLA0912-250-2156			1
MRF6VP11KHR6	-	RFQ	3706	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	110 v	底盘安装	NI-1230	MRF6	130MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	150 ma	1000W	26dB	-	50 V
GTRB424908FC/1-V1-R2	202.1939	RFQ	9410	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	48 v	表面安装	H-37248KC-6/2	GTRB424908	3.7GHz〜4GHz	hemt	H-37248KC-6/2	-				1697-GTRB424908FC/1-V1-R2TR			250	-	-		450W	12DB	-
MMBF4416LT1	-	RFQ	7617	Onmi	*	（CT）	过时的				MMBF44				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2N5485_D26Z	-	RFQ	8771	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N5485	400MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	10mA		-	-	4DB	15 v
MRF6V14300HS	-	RFQ	1345	自由度半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
A2G35S160-01SR3	131.2400	RFQ	222	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	表面安装	NI-400S-2S	A2G35	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	190 MA	51DBM	15.7dB	-	48 v
MRF7S21210HSR5	-	RFQ	3408	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	NI-780	MRF7	2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.4 a	63W	18.5db	-	28 V
NE34018-T1-A	-	RFQ	8342	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V	表面安装	SC-82A，SOT-343	NE340	2GHz	GAAS HJ-FET	SOT-343	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		120mA	5 ma	12DBM	16dB	0.6dB	2 v
AFT09S282NR3	-	RFQ	1818年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	表面安装	OM-780-2	AFT09	960MHz	ldmos	OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	250		-	1.4 a	80W	20dB	-	28 V
NPT35015D	61.1251	RFQ	2487	MACOM技术解决方案	-	管子	积极的	100 v	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NPT35015	3.3GHz〜3.8GHz	hemt	8-SOIC-EP	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	95		5a	200 ma	1.7W	10.5db	-	28 V
MRF6V14300HSR3	-	RFQ	3008	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	100 v	底盘安装	NI-780	MRF6	1.4GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	150 ma	330W	18db	-	50 V
ATF-50189-TR2	-	RFQ	9378	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		TO-243AA	ATF-50189	2GHz	e-phemt	SOT-89	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000		1a	280 MA	29DBM	15.5db	1.1db	4.5 v
MRFE6VP5600HSR5	132.0164	RFQ	4275	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	130 v	底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos	NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319677178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	100 ma	600W	25DB	-	50 V
MRF1535NT1	-	RFQ	3368	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V	底盘安装	TO-272AA	MRF15	520MHz	ldmos	TO-272-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500		6a	500 MA	35W	13.5dB	-	12.5 v
NE5500234-T1-AZ	2.6200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	20 v		TO-243AA		1.9GHz	MOSFET	SOT-89	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	115	n通道	1a	400 MA	32.5dBm	-	-	4.8 v
BLC8G27LS-245AVJ	-	RFQ	2532	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	SOT-1251-2	BLC8	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos	8-DFM	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934068216118	Ear99	8541.29.0075	100	双重，共同来源	-	500 MA	56W	14.5db	-	28 V
BLA1011S-200R，112	353.1400	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	75 v	底盘安装	SOT-502B		1.03GHz〜1.09GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20		-	150 ma	200W	13DB	-	36 V
BLF7G22L-130,118	-	RFQ	7866	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502A	BLF7G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502A	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934063499118	Ear99	8541.29.0095	100		28a	950 MA	30W	18.5db	-	28 V
BF909AR，215	-	RFQ	4799	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	SOT-143R	BF909	800MHz	mesfet	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	双门	40mA		-	-	2DB

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²