RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
A3T18H455W23SR6	98.0184	RFQ	7499	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos	ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935354975128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	10µA	600 MA	192W	16.7dB	-	30 V
STMFS4834NST1G	0.4900	RFQ	210	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0040	1,500
BLM7G1822S-40PBY	-	RFQ	8063	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	表面安装	SOT-1211-1	BLM7	1.81GHz〜2.17GHz	ldmos	16-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重的	-	40 MA	4W	31.5db	-	28 V
AFM912NT1	2.9754	RFQ	9766	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V	表面安装	16-vdfn暴露垫		136MHz〜941MHz	ldmos	16-DFN （4x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFM912NT1TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	-	10µA		-	13.3db	-
MDSGN-750ELMV	-	RFQ	3528	微芯片技术	-	大部分	积极的	150 v	表面安装	55 kr		1.03GHz〜1.09GHz	hemt	55 kr	下载			到达不受影响	150-MDSGN-750ELMV	Ear99	8541.29.0095	5		-	100 ma	800W	19.1db	-	50 V
MRFE6S9125NR1	-	RFQ	1518年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	表面安装	TO-270AB	MRFE6	880MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	950 MA	27W	20.2dB	-	28 V
MRF6VP3450HSR5	-	RFQ	5195	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	底盘安装	NI-1230S	MRF6	860MHz	ldmos	NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314024178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的	-	1.4 a	90W	22.5dB	-	50 V
MRF5S4140HR3	-	RFQ	1459	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-957A	MRF5	465MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.25 a	28W	21dB	-	28 V
BLC8G27LS-160AVJ	-	RFQ	1253	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1275-1	BLC8	2.5GHz〜2.69GHz	ldmos	DFM6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067822118	Ear99	8542.39.0001	100	双重，共同来源	-	250 MA	31.6W	14.3db	-	28 V
MRF 101亿	22.9600	RFQ	80	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	133 v		TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		10µA	100 ma	115W	21.1db	-	50 V
PTFC261402FC-V1	-	RFQ	9751	Wolfspeed，Inc。	-	托盘	过时的	65 v		-		2.69GHz	ldmos		下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		-	900 MA	28W	18db	-	28 V
A2T09VD300NR1	-	RFQ	3163	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	105 v	表面安装	TO-270-6变体，平面线	A2T09	920MHz	ldmos	TO-270WB-6A	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316219528	Ear99	8541.29.0075	500	双重的	-	1.2 a	79W	21.5db	-	48 v
PXAC260602FC-V1-R0	82.5176	RFQ	6017	Wolfspeed，Inc。	-	条	积极的	65 v	底盘安装	H-37248-4	PXAC260602	2.69GHz	ldmos	H-37248-4	下载	Rohs符合条件	3（168））			Ear99	8542.33.0001	50		-	85 MA	5W	15.7dB	-	28 V
BLF6G10L-260PBM，11	-	RFQ	5179	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1110A	BLF6G10	-	ldmos	最多	-		（1 （无限）	到达不受影响	934064281112	Ear99	8541.29.0075	20	双重的	64a	1.8 a	40W	-	-	28 V
ARF465BG	61.8200	RFQ	3633	微芯片技术	-	大部分	积极的	1200 v		TO-247-3	ARF465	40.68MHz	MOSFET	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	6a		150W	15DB	-	300 v
A3I25D080NR1	29.5050	RFQ	6184	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270-17变体，平面线		2.3GHz〜2.69GHz	ldmos	TO-270WB-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500	双重的	10µA	175 MA	8.3W	29.2dB	-	28 V
A3G18D510-04SR3	114.4650	RFQ	6841	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v	表面安装	NI-780S-4L		1.805GHZ〜2.2GHz	-	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	-	-	250 MA	56W	16dB	-	48 v
PTRA093302DC V1	-	RFQ	7324	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50
Blp10H660pgy	-	RFQ	3080	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v	表面安装	4-Besop （0.173“，4.40mm宽度）	BLP10	1GHz	ldmos	4-HSOP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	934960011518	Ear99	8541.29.0075	100		1.4µA	40 MA	60W	18db	-	50 V
PTVA127002EV-V1-R250	454.6128	RFQ	9916	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PTVA127002				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）					250
BLF6G20LS-180RN：11	-	RFQ	1342	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G20	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934062732118	Ear99	8541.29.0075	100		49a	1.4 a	40W	17.2db	-	30 V
A2I20H060NR1	25.9164	RFQ	4916	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	表面安装	TO-270-15，平面线，平面线	A2i20	1.84GHz	ldmos	TO-270WB-15	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318716528	Ear99	8542.33.0001	500	双重的	-	24 ma	12W	28.9db	-	28 V
SD2933-03W	130.6800	RFQ	3490	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的			M177	SD2933	-	-	M177	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	-	-		-	-	-
BLD6G21L-50,112	92.1400	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1130A		2.02GHz	ldmos	CDFM4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	10.2a	170 MA	8W	14.5db	-	28 V
tbb1010kmtl-h	0.3100	RFQ	48	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PTFC262157FH-V1-R0	139.8726	RFQ	5336	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PTFC262157				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	50
BLP10H610AZ	-	RFQ	4958	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	104 v	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP10	860MHz	ldmos	12-hvson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	双重，共同来源	-	60 ma	10W	22DB	-	50 V
PXAC261202FCV1R250XTMA1	-	RFQ	9545	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	H-37248-4		2.61GHz	ldmos	H-37248-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001178444	过时的	0000.00.0000	1	双重，共同来源	-	230 MA	28W	13.5dB	-	28 V
MRF6S21100HSR3	-	RFQ	2442	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	NI-780	MRF6	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	950 MA	23W	15.9db	-	28 V
MRF6S18140HR3	-	RFQ	2204	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v	底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.88GHz	ldmos	NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	1.2 a	29W	16dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²