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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
CE3514M4	0.7590	RFQ	8887	cel	-	条	积极的	4 V		4-SMD，平坦的铅	CE3514	12GHz	Phemt fet	4超级迷你霉菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	200		15mA	10 MA	125MW	12.2db	0.62dB	2 v
MRF7S35015HSR5	-	RFQ	8650	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos	NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	50 mA	15W	16dB	-	32 v
SAV-541+	16.0200	RFQ	6	迷你电路	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	5 v	表面安装	SC-82A，SOT-343		45MHz〜6GHz	e-phemt	MMM1362	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.33.0001	3,000		-	60 ma	21.5db	23.2db	1.9dB	3 V
MRF8S9100H5	-	RFQ	2498	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v	底盘安装	SOT-957A	MRF8	920MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314124178	5A991G	8541.29.0075	50		-	500 MA	72W	19.3db	-	28 V
MRFE6S9130HSR5	-	RFQ	3762	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v	底盘安装	NI-780	MRFE6	880MHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	950 MA	27W	19.2db	-	28 V
BCP120C	30.7800	RFQ	1	BEREX INC	-	托盘	积极的	12 v		死		6GHz〜18GHz	Phemt fet	死	-	rohs3符合条件	不适用	到达受影响	4704-BCP120C	Ear99	8541.21.0040	5		500mA	180 MA	30.5dbm	11DB	-	8 V
MMRF1316NR1	82.6800	RFQ	60	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v	表面安装	TO-270-4	MMRF1316	230MHz	ldmos	TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500	双重的	-	100 ma	300W	27dB	-	50 V
PD57070-E	62.7200	RFQ	18	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	65 v		Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）	PD57070	945MHz	ldmos	Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		7a	250 MA	70W	14.7dB	-	28 V
CLF1G0035S-200PU	481.2600	RFQ	4700	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计			-	CLF1G0035	-	甘姆特	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067524112	光盘3A001B3	8541.29.0075	20		-		-	-	-
PTVA104501EH-V1-R250	438.9042	RFQ	2614	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				PTVA104501				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	250
AFT23S160W02GSR3	-	RFQ	9836	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-780GS-2L	AFT23	2.4GHz	ldmos	NI-780GS-2L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935315216128	Ear99	8541.29.0095	250		-	1.1 a	45W	17.9db	-	28 V
BF244C_J35Z	-	RFQ	6218	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF244	100MHz	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	50mA		-	-	1.5dB	15 v
PTFA192401FV4R250XTMA1	-	RFQ	4442	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA192401	1.96GHz	ldmos	H-37260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	1.6 a	50W	16dB	-	30 V
CPH6413-TL-E	0.0700	RFQ	339	Onmi	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
2N5950	-	RFQ	7461	Onmi	-	大部分	过时的	30 V	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	2N5950	-	JFET	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000	n通道	15mA		-	-	-
MRF7S38010HSR5	-	RFQ	9298	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	160 MA	2W	15DB	-	30 V
RF2L24280CB4	217.8000	RFQ	3263	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	65 v	底盘安装	D4E	RF2L24280	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos	D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF2L24280CB4			100	-	1µA	10 MA	280W	13DB	-	28 V
BLS6G2735L-30,112	187.8400	RFQ	60	Ampleon USA Inc.	-	托盘	不适合新设计	60 V	底盘安装	SOT-1135A	BLS6	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos	CDFM2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20		-	50 mA	30W	13DB	-	32 v
BLP7G22-05Z	-	RFQ	1621年	Ampleon USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	表面安装	12-vdfn裸露的垫子	BLP7	2.14GHz	ldmos	12-hvson（6x4）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934067582515	Ear99	8541.29.0075	500		-	55 MA	1W	16dB	-	28 V
MMRF1312HR5	652.3000	RFQ	38	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	112 v	底盘安装	SOT-979A	MMRF1312	1.03GHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的	-	100 ma	1000W	19.6dB	-	50 V
MMBFJ211	0.4200	RFQ	44	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25 v	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBFJ2	-	JFET	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道	20mA		-	-	-
VRF141G	172.8110	RFQ	3165	微芯片技术	-	大部分	积极的	80 V		SOT-540A	VRF141	175MHz	MOSFET	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	40a	500 MA	300W	14dB	-	28 V
BLF6G22LS-180PN，11	-	RFQ	5999	Ampleon USA Inc.	-	管子	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G22	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos	SOT502B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	934064282112	Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源	-	1.6 a	50W	17.5db	-	32 v
NE3521M04-T2-A	-	RFQ	9154	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET		-		3（168））	到达不受影响	NE3521M04-T2-ATR	Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道	70mA	6 ma	-	11DB	0.85dB	2 v
MRF6P9220HR3	149.3000	RFQ	230	自由度半导体	-	大部分	积极的	68 v		NI-860C3	MRF6	880MHz	ldmos	NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	250		-	1.6 a	47W	20dB	-	28 V
AFT09S200W02SR3	-	RFQ	8810	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				AFT09				-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318364128	Ear99	8541.29.0075	250
CGH60060D-GP4	108.7440	RFQ	50	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	不适合新设计	84 v		死	CGH60060	6GHz	hemt	死	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			光盘3A001B3	8541.29.0075	10		-	400 MA	60W	13DB	-	28 V
ATF-36077-STR	-	RFQ	7707	Broadcom Limited	-	大部分	过时的	3 V		4-SMD（（（77））		12GHz	Phemt fet	77	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	100		45mA	10 MA	5DBM	12DB	0.5dB	1.5 v
A2T14H450-23NR6	110.1408	RFQ	3271	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v	底盘安装	OM-1230-4L2S	A2T14	1.452GHZ〜1.511GHZ	ldmos	OM-1230-4L2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935316214528	Ear99	8541.29.0075	150		10µA	1 a		18.8db	-	31 v
BLF6G38LS-50,112	-	RFQ	1314	Ampleon USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v	底盘安装	SOT-502B	BLF6G38	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	20		16.5a	450 MA	9W	14dB	-	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²