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RF FET，MOSFET（4585）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	噪音图	电压 -测试
PTRA087008NB-V1-R2	113.7041	RFQ	1964年	Wolfspeed，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v	表面安装	HB2SOF-6-1	PTRA087008	755MHz〜805MHz	ldmos	PG-HB2SOF-6-1	下载				1697-PTRA087008NB-V1-R2TR	Ear99	8541.29.0075	250	双重的	10µA	510 MA	650W	18.5db	-	48 v
2SK853A（1）-t1-a	0.1800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
VRF3933	113.5000	RFQ	28	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	250 v		M177	VRF3933	30MHz	MOSFET	M177	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道	20a	250 MA	300W	22DB	-	100 v
ATF-55143-TR1	-	RFQ	8304	Broadcom Limited	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	5 v		SC-82A，SOT-343	ATF-55143	2GHz	e-phemt	SOT-343	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000		100mA	10 MA	14.4dbm	17.7dB	0.6dB	2.7 v
RF5L15120CB4	163.3500	RFQ	3024	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	95 v	底盘安装	LBB	RF5L15120	1.5GHz	ldmos	LBB	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-RF5L15120CB4TR			100		1µA	100 ma	120W	20dB	-	50 V
1214GN-700V	-	RFQ	8142	微芯片技术	-	大部分	积极的	150 v	表面安装	55-Q03		960MHz〜1.215GHz	hemt	55-Q03	下载			到达不受影响	150-1214GN-700V	Ear99	8541.29.0095	1		-	100 ma	750W	16.5db	-	50 V
PTFA092213ELV4T400XWSA1	-	RFQ	8106	Infineon技术	*	托盘	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000820802	Ear99	8541.29.0075	40
MRF7S38010HSR5	56.8300	RFQ	20	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-400S-2S	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos	NI-400S-2S	-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-	160 MA	2W	15DB	-	30 V
MRF21030LR5	-	RFQ	4860	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-400	MRF21	2.14GHz	ldmos	NI-400	-	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定				6		-	250 MA	30W	13DB	-	28 V
LET9070FB	-	RFQ	3593	Stmicroelectronics	-	托盘	过时的	80 V		M250	LET9070	945MHz	ldmos	M250	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		1µA	400 MA	70W	16dB	-	28 V
MRF8S19260HSR6	-	RFQ	5639	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-111110B	MRF8	1.99GHz	ldmos	NI1230S-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935310356128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的	-	1.6 a	74W	18.2db	-	30 V
MRF6S21060BR1	-	RFQ	1939年	自由度半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
MRF8S18260HR6	-	RFQ	9262	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v	底盘安装	SOT-1110A	MRF8	1.81GHz	ldmos	NI1230-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314351128	5A991G	8541.29.0075	150	双重的	-	1.6 a	74W	17.9db	-	30 V
AFT21S230SR3	-	RFQ	7962	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos	NI-780S-6	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314997128	5A991G	8541.29.0095	250		-	1.5 a	50W	16.7dB	-	28 V
BF909,235	-	RFQ	6850	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF909	800MHz	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934028850235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门	40mA	15 ma	-	-	2DB	5 v
CGHV40100F	323.5600	RFQ	55	Wolfspeed，Inc。	甘	托盘	积极的	125 v		440193	CGHV40100	0Hz〜3GHz	hemt	440193	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100		8.7a	600 MA	116W	11DB	-	50 V
PXAC182002FC-V1-R0	-	RFQ	2440	Wolfspeed，Inc。	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				PXAC182002				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			过时的		50
BLF546	168.6200	RFQ	14	Ampleon USA Inc.	BLF	大部分	积极的	65 v	底盘安装	SOT-268A		500MHz	MOSFET	CDFM4	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	2 n 通道（双）公共来源	2mA	160 MA	80W	13DB	-	28 V
BLF6G22LS-75112	68.6400	RFQ	34	Ampleon USA Inc.	BLF	大部分	积极的	65 v	底盘安装	SOT-502B		2GHz〜2GHz	ldmos	SOT502B	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1		3µA	690 MA	75W	18.7dB	-	28 V
CLF1G0035-100P	202.5400	RFQ	994	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150 v	底盘安装	SOT-1228A		3.5GHz	hemt	最多	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		-	330 MA	100W	12.5db	-	50 V
MRF21010LR1	39.4200	RFQ	2	自由度半导体	-	大部分	积极的	65 v		NI-360	MRF21	2.17GHz	ldmos	NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		-	100 ma	10W	13.5dB	-	28 V
FDMC0223	0.1700	RFQ	6	Fairchild半导体	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000
BLF7G10LS-250,112	97.2300	RFQ	55	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v	底盘安装	SOT-502B		869MHz〜960MHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	4		5µA	1.8 a	250W	19.5db	-	30 V
BLM9H0610S-60PGZ	45.5700	RFQ	9406	Ampleon USA Inc.	*	托盘	积极的	108 v	表面安装	OMP-780-16G-1	BLM9	600MHz〜1GHz	ldmos	OMP-780-16G-1	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	100	双重的	1.4µA	125 MA	2.5W	35.5dB	-	48 v
NE3517S03-T1C-A	-	RFQ	2513	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V		4-SMD，平坦的铅		20GHz	HFET	S03	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000		15mA	10 MA	-	13.5dB	0.7dB	2 v
WP28020015	55.3320	RFQ	35	WAVEPIA。，CO.LTD	-	盒子	积极的	28 V		死		15GHz	甘姆特	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		3140-WP28020015	Ear99	8541.29.0040	5		880mA	300 MA	15W	10dB	-	28 V
MRF7S38010HR3,118	-	RFQ	8531	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0075	1
PTFA212001EV4XWSA1	-	RFQ	5038	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v	底盘安装	H-36260-2	PTFA212001	2.14GHz	ldmos	H-36260-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35		10µA	1.6 a	50W	15.8db	-	30 V
BF1108,215	-	RFQ	1418	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	3 V	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF110	-	MOSFET	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000	n通道	10mA		-	-	-
PD55035STR-E	-	RFQ	5819	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		Powerso-10裸露的底部垫	PD55035	500MHz	ldmos	Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		7a	200 ma	35W	16.9db	-	12.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

RF FET，MOSFET（4585）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²