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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | 2N3448 | 68.7450 |  | 1635 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | 115W | TO-204AD (TO-3) | - | REACH 不出行 | 150-2N3448 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 7A | - | 国民党 | 1.5V@500μA,500μA | - | - | ||||||
|  | NSS35200CF8TIG | 1.0000 |  | 6223 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SMD,写入 | 635毫W | 芯片FET™ | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 35V | 2A | 100纳安 | 国民党 | 300mV@20mA,2A | 100 @ 1.5A,2V | 100兆赫兹 | |||||
|  | PN4258 TRE | - |  | 1242 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 625毫W | TO-92 | - | 1514-PN4258TRE | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 12V | 50毫安 | 10纳安 | 国民党 | 500毫伏@5毫安,50毫安 | 30@500mA,1V | 700兆赫 | |||||||
|  | BCP56-16/DG/B2115 | 0.1800 |  | 5 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||
|  | KSP55TA | - |  | 9254 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 60V | 500毫安 | 100纳安 | 国民党 | 250毫伏@10毫安,100毫安 | 50@100mA,1V | 50兆赫 | ||||||||
| 2N3019SP | 27.0002 |  | 8812 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AD、TO-39-3金属罐 | 800毫W | TO-39 (TO-205AD) | - | REACH 不出行 | 150-2N3019SP | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80V | 1A | 10纳安 | NPN | 500毫伏@50毫安,500毫安 | 100@150mA,10V | - | |||||||
|  | CP327V-2N5308-WN | - |  | 3597 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 死 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1514-CP327V-2N5308-WN | EAR99 | 8541.21.0040 | 1 | 40V | 300毫安 | 100nA(ICBO) | NPN-达林顿 | 1.4V@200μA,200mA | 7000@2mA,5V | 60兆赫 | |||||
|  | RN2115,LXHF(CT | 0.3300 |  | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | RN2115 | 100毫W | SSM | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 50@10mA,5V | 200兆赫 | 2.2欧姆 | 10欧姆 | |||||
|  | PN2906A TRE PBFREE | - |  | 9293 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 625毫W | TO-92 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1514-PN2906ATREPBFREETR | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60V | 600毫安 | 50纳安 | 国民党 | 1.6V@50mA、500mA | 40@500mA,10V | 200兆赫 | |||||
|  | CTLT7410-M521 TR | - |  | 第1137章 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 5-PowerTFDFN | 900毫W | TLM521 | 下载 | 1514-CTLT7410-M521TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 25V | 1A | 100nA(ICBO) | 国民党 | 450mV@100mA,1A | 100@500mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||
| 2N6668 | 1.7300 |  | 第791章 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 65W | TO-220 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2368-2N6668 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80V | 10A | 1毫安 | PNP-达林顿 | 3V@100mA,10A | 1000 @ 5A,3V | - | |||||||
|  | BCW65C | 1.0000 |  | 3062 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||
|  | JANSP2N5152L | 98.9702 |  | 3886 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/544 | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AA、TO-5-3金属罐 | 1W | TO-5AA | - | REACH 不出行 | 150-JANSP2N5152L | 1 | 80V | 2A | 50微安 | NPN | 1.5V@500mA,5A | 30 @ 2.5A,5V | - | ||||||||
|  | BC338-25 A1 | - |  | 2708 | 0.00000000 | 台积电 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 625毫W | TO-92 | 下载 | REACH 不出行 | 1801-BC338-25A1TB | 过时的 | 1 | 25V | 800毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||
|  | RN2104,LF(CT | 0.2000 |  | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | RN2104 | 100毫W | SSM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 80@10mA,5V | 200兆赫 | 47欧姆 | 47欧姆 | ||||
|  | EMB1 | 0.0260 |  | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-EMB1TR | EAR99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
|  | RN2113,LXHF(CT | 0.0624 |  | 9067 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | RN2113 | 100毫W | SSM | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | PNP - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 120@1mA,5V | 200兆赫 | 47欧姆 | ||||||
|  | BC817K-25WH6327 | 0.0500 |  | 23 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BC817 | 500毫W | PG-SOT323-3-1 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,217 | 45V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 160@100mA,1V | 170兆赫 | |||||
|  | D44C11 | - |  | 3984 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1514-D44C11 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
| NHDTC123JTVL | 0.2200 |  | 7466 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | NHDTC123 | 250毫W | TO-236AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 80V | 100毫安 | 100纳安 | NPN - 预偏置 | 100mV@500μA,10mA | 100@10mA,5V | 170兆赫 | 2.2欧姆 | 47欧姆 | ||||
|  | NTE2354 | 14.8200 |  | 1 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | 150W | TO-3P | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2368-NTE2354 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V | 10A | 1毫安 | NPN | 5V@2A、8A | 8 @ 1A,5V | - | ||||||
|  | FN1F4M-T2B-A | - |  | 7058 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 559-FN1F4M-T2B-ATR | 过时的 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
|  | 2SC4632LS-RA11 | - |  | 6056 | 0.00000000 | 三洋 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | |||||||||||||||||||
|  | BC856BM3-TP | 0.0340 |  | 5860 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SOT-723 | BC856 | 265毫W | SOT-723 | 下载 | 353-BC856BM3-TP | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 65V | 100毫安 | 1毫安 | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 200@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||
|  | JANSL2N2906AUB/TR | 148.3710 |  | 8116 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/291 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -65℃~200℃ | 表面贴装 | 3-SMD,无铅 | 2N2906 | 500毫W | UB | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANSL2N2906AUB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600毫安 | 50纳安 | 国民党 | 1.6V@50mA、500mA | 40@150mA,10V | - | ||||
|  | 2SC2314E | 0.1500 |  | 170 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
|  | BC857BW | 0.1500 |  | 2552 | 0.00000000 | 扬州扬杰电子科技有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BC857 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 3,000 | 45V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 650mV@5mA、100mA | 220@2mA,5V | 100兆赫兹 | |||||
|  | MSA1162GT1GH6-PANA | - |  | 9964 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 1 | ||||||||||||||||||||
|  | 2SD1145G | 0.2000 |  | 121 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
|  | NSVMUN5234T1G | 0.0400 |  | 36 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | NSVMUN5234 | 202毫W | SC-70 (SOT323) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2156-NSVMUN5234T1G-488 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 250mV@1mA、10mA | 80@5mA,10V | 22欧姆 | 47欧姆 | 

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