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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PBSS4032SP，115	1.0400	RFQ	22	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PBSS4032	2.3W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	30V	4.8a	100NA	2 PNP （双）	510MV @ 250mA，5a	150 @ 2a，2v	115MHz
BC546B	-	RFQ	8350	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000	65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
MMBTA92	0.0260	RFQ	300	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		300兆	SOT-23	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-MMBTA92TR	Ear99		3,000	300 v	300 MA	250NA（ICBO）	PNP	200mv @ 2mA，20mA	100 @ 10mA，10v	50MHz
BC556B，112	-	RFQ	6425	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC55	500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000	65 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PMBT222222ARES115	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PMBT2222			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
JAN2N5014S	-	RFQ	3417	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用			Ear99	8541.29.0095	1	900 v	200 ma	10NA（ICBO）	NPN		30 @ 20mA，10v	-
MMBT3906TT1	0.0200	RFQ	111	Onmi	-	大部分	过时的				MMBT3906			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
NTE159-10	14.8600	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		625兆	到92	下载	Rohs不合规			2368-NTE159-10	Ear99	8541.21.0095	1	80 V	800 MA	50NA（iCBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 10mA，10v	-
JANS2N222221AUB/TR	65.0804	RFQ	4082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANS2N222221AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	50	50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
BC807-25HR	0.2800	RFQ	2	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807	320兆W	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
PHPT61003PY，115	1.0000	RFQ	4426	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
JANSF2N5151	98.9702	RFQ	6943	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3		1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	80 V	50 µA	50µA	PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANS2N2369AUB/TR	82.4304	RFQ	1698年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		360兆w	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N2369AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1	20 v		400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
CP247-MJ11016-WN	-	RFQ	1079	中央半导体公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	死	CP247	200 w	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP247-MJ11016-WN	Ear99	8541.29.0095	1	120 v	30 a	1ma	npn-达灵顿	4V @ 300mA，30a	1000 @ 20a，5v	4MHz
2N5760	77.3850	RFQ	7509	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		150 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5760	Ear99	8541.29.0095	1	140 v	6 a	-	NPN	-	-	-
S2SA1774G	0.4000	RFQ	4	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	S2SA1774	150兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	500PA（ICBO）	PNP	500mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	140MHz
2SC3458L	0.9900	RFQ	3	Sanyo	*	大部分	积极的							下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SC3458L-600057			1
BCR08PN	0.0702	RFQ	3415	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR08	250MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-bcr08pntr		8541.21.0000	3,000	60V	100mA	100NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
KSD1020GTA	-	RFQ	3364	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020	350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	25 v	700 MA	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 70mA，700mA	200 @ 100mA，1V	170MHz
TIP42A-BP	0.3150	RFQ	5228	微商业公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示42	2 w	TO-220AB	下载				353-Tip42a-bp	Ear99	8541.29.0075	1	60 V	6 a	700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
2SB1150-AZ	0.6800	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NTE2343	2.0000	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		80 W	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2343	Ear99	8541.29.0095	1	120 v	12 a	1ma	npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 3a，3v	-
PIMC31F	0.4000	RFQ	10	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	PIMC31	420MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	50V	500mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	-	1KOHMS	10KOHMS
2N6031	129.5850	RFQ	5524	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		200 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6031	Ear99	8541.29.0095	1	140 v	16 a	-	PNP	-	-	-
PBSS4230QA147	-	RFQ	9558	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
NSVMUN2233T1G	0.0363	RFQ	1984	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMUN2233	230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
2SC6026MFV-Y，L3F	0.1900	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SC6026	150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000	50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	60MHz
2N1613L	19.3382	RFQ	7456	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N1613	800兆	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	30 V	500 MA	10µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
2SC2655-y t6canofm	-	RFQ	8697	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655	900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		2SC2655YT6CANOFM	Ear99	8541.21.0075	1	50 V	2 a	1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
JANS2N2222AUBC/TR	185.6106	RFQ	8852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		500兆	3-SMD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N222222AUBC/tr	Ear99	8541.21.0095	1	50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²