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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
JANS2N5794UC/TR	349.3816	RFQ	9962	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794	600MW	UC	-			到达不受影响	150-JANS2N5794UC/TR			50	40V	600mA	10µA（ICBO）	2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
提示3055-S	-	RFQ	2384	Bourns Inc.	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3	提示30	3.5 w	SOT-93	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	300	60 V	15 a	700µA	NPN	3V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	-
NMB2227AH	0.0665	RFQ	6756	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	NMB2227	300MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934070344125	Ear99	8541.21.0075	3,000	40V	600mA	10NA（ICBO）	NPN，PNP	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
2SC3857	-	RFQ	1973	桑肯	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯		150 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC3857 DK	Ear99	8541.29.0095	250	200 v	15 a	100µA（ICBO）	NPN	3V @ 1a，10a	50 @ 5A，4V	20MHz
JANTXV2N3725UB/TR	-	RFQ	5942	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			UB	-			到达不受影响	150-JANTXV2N3725UB/TR			50	50 V	500 MA	-	NPN	-	-	-
MJE16004	0.5200	RFQ	103	Onmi	*	大部分	积极的							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MMPQ2907	1.0000	RFQ	2228	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ29	1W	16-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	40V	600mA	50NA（iCBO）	4 pnp（（	1.6V @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
BC857AW，115	0.1700	RFQ	13	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857	200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BCP55,115	0.4800	RFQ	972	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP55	1.35 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	60 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BD676AG	-	RFQ	8101	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD676	40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	45 v	4 a	500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
BSP51H6327XTSA1	-	RFQ	8542	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP51	1.5 w	PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	60 V	1 a	10µA	npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
JAN2N2N22222222222	5.3998	RFQ	1579年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，非标准		500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N222222AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1	50 V	800 MA	50NA	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
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BC847BU3HZGT106	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847	200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	200MHz
2SD1781-R-TP	-	RFQ	9922	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SD1781	200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-2SD1781-R-TPTR			3,000	32 v	800 MA	500NA（ICBO）		400mv @ 50mA，500mA	180 @ 100mA，3v	100MHz
KSA733CYTA	-	RFQ	1594年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA733	250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	9,616	50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
2N2443	32.2800	RFQ	7466	微芯片技术	*	大部分	积极的							-			到达不受影响	150-2N2443			1
2SC4901YK-TR-E	-	RFQ	1594年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000
KTC3198-Y	0.0583	RFQ	2280	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198	500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-KTC3198-YTB	Ear99	8541.21.0095	4,000	50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
CPH3215-TL-H	-	RFQ	6952	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CPH3215	900兆	3-CP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	30 V	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	225mv @ 15mA，750mA	200 @ 100mA，2V	500MHz
2N4449	12.9010	RFQ	8022	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N4449	360兆w	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1	20 v		400NA	NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
2SD1061R	0.5700	RFQ	3	Onmi	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1
STD724T4	-	RFQ	1043	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD724	15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500	30 V	3 a	100µA	NPN	1.1V @ 150mA，3a	80 @ 1A，2V	100MHz
2N6031	129.5850	RFQ	5524	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		200 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6031	Ear99	8541.29.0095	1	140 v	16 a	-	PNP	-	-	-
KSD1020GTA	-	RFQ	3364	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	KSD1020	350兆	TO-92S	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	25 v	700 MA	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 70mA，700mA	200 @ 100mA，1V	170MHz
2SB1150-AZ	0.6800	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PBSS4230QA147	-	RFQ	9558	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
NTE2343	2.0000	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		80 W	TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2343	Ear99	8541.29.0095	1	120 v	12 a	1ma	npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 3a，3v	-
NSVMUN2233T1G	0.0363	RFQ	1984	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	NSVMUN2233	230兆	SC-59	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v		4.7科姆斯	47科姆斯
2SC6026MFV-Y，L3F	0.1900	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SC6026	150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	8,000	50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	60MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²