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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 获得 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | FJC1308PTF | - |  | 5291 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | FJC13 | 500毫W | SOT-89-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30V | 3A | 500纳安 | 国民党 | 450mV@150mA,1.5A | 80@500mA,2V | - | |||||||
|  | 2SC4110M | - |  | 9465 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
|  | 2SC3954E | 0.5500 |  | 9 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
|  | BCW61DLT1 | 0.0300 |  | 2565 | 0.00000000 | onsemi | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,000 | |||||||||||||||||||
|  | ADC114YUQ-13 | 0.3200 |  | 10 | 0.00000000 | 分散公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | ADC114 | 270毫W | SOT-363 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50V | 100毫安 | - | 2 NPN - 预偏置(双) | - | - | 250兆赫 | 10kOhms、47kOhms | 10kOhms、47kOhms | |||||
|  | JANSH2N2907AUBC | 342.7406 |  | 3956 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/291 | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,无铅 | 500毫W | 英属哥伦比亚大学 | - | REACH 不出行 | 150-JANSH2N2907AUBC | 1 | 60V | 600毫安 | 50纳安 | 国民党 | 1.6V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | - | ||||||||||
|  | BC846A-TP | 0.1300 |  | 8 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BC846 | 225毫W | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100毫安 | 100纳安 | NPN | 500毫伏@5毫安、100毫安 | 110@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||
|  | UNR921DG0L | - |  | 9863 | 0.00000000 | 松下电子元件 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | 联合国R921 | 125毫W | SSMini3-F3 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | NPN - 预偏置 | 250mV@300μA,10mA | 30@5mA,10V | 150兆赫 | 47欧姆 | 10欧姆 | |||||||
|  | 2N6185 | 287.8650 |  | 第1339章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | - | 柱螺安装 | TO-210AA、TO-59-4、螺柱 | 60W | TO-59 | - | REACH 不出行 | 150-2N6185 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100伏 | 10A | - | 国民党 | - | - | - | ||||||||
|  | JANTXV2N5796U/TR | 143.1479 |  | 7577 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/496 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | 6-SMD,无铅 | 2N5796 | 600毫W | 6-SMD | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV2N5796U/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 600毫安 | 10μA(ICBO) | 2 PNP(双) | 1.6V@50mA、500mA | 100@150mA,10V | - | ||||||
|  | 2SA2169-H-TL-E | - |  | 2785 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 2SA2169 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 488-2SA2169-H-TL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
|  | PBSS9110D/S911115 | 0.0800 |  | 51 | 0.00000000 | 恩智浦 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||
|  | TIP29F-S | - |  | 8950 | 0.00000000 | 伯恩斯公司 | - | 管子 | 过时的 | - | 通孔 | TO-220-3 | 提示29 | 2W | TO-220 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 160伏 | 1A | 300微安 | NPN | 700mV@125mA,1A | 40@200mA,4V | - | |||||||
|  | HN1C01F-GR(TE85L,F | - |  | 7146 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | HN1C01 | 300毫W | SM6 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150毫安 | 100nA(ICBO) | 2 NPN(双) | 250毫伏@10毫安,100毫安 | 120@2mA,6V | 800兆赫 | |||||||
|  | PDTC124EE,115-PH | - |  | 6159 | 0.00000000 | 飞利浦 | * | 大部分 | 的积极 | PDTC124 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
|  | BC327TFR | - |  | 7850 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | BC327 | 625毫W | TO-92-3 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45V | 800毫安 | 100纳安 | 国民党 | 700毫伏@50毫安,500毫安 | 100@100mA,1V | 100兆赫兹 | |||||||
|  | ZXTP5401ZTA | 0.4600 |  | 2 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | ZXTP5401 | 1.2W | SOT-89-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 150伏 | 600毫安 | 50nA(ICBO) | 国民党 | 500毫伏@5毫安,50毫安 | 60@10mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||
|  | BC857BW-QF | 0.0196 |  | 5438 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车、AEC-Q101、BC847xW-Q | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | BC857 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 400毫伏@5毫安、100毫安 | 200@2mA,5V | 100兆赫兹 | ||||||
| JAN2N335AT2 | - |  | 2061 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 175°C(太焦) | 通孔 | TO-205AD、TO-39-3金属罐 | TO-39 (TO-205AD) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 0000.00.0000 | 1 | 45V | 10毫安 | - | NPN | - | - | - | |||||||||||
|  | RN2316,LXHF | 0.3900 |  | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | RN2316 | 100毫W | SC-70 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 50@10mA,5V | 200兆赫 | 4.7欧姆 | 10欧姆 | |||||||
|  | 2SA1652-AZ | - |  | 7299 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 129 | |||||||||||||||||||
|  | BC548ATFR | - |  | 2801 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BC548 | 500毫W | TO-92-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30V | 100毫安 | 15nA(ICBO) | NPN | 600毫伏@5毫安、100毫安 | 110@2mA,5V | 300兆赫 | |||||||
|  | PMBT4403,215 | - |  | 5979 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 250毫W | TO-236AB | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2156-PMBT4403,215-954 | 1 | 40V | 600毫安 | 50nA(ICBO) | 国民党 | 750mV@50mA、500mA | 100@150mA,2V | 200兆赫 | |||||||||
| BCW68HVL | 0.2000 |  | 16 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | BCW68 | 250毫W | TO-236AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 45V | 800毫安 | 5μA(ICBO) | 国民党 | 450mV@50mA、500mA | 250@100mA,1V | 80兆赫 | |||||||
|  | 2N5671 | 55.8334 |  | 6665 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | 2N5671 | 6W | TO-3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 90V | 30A | 10毫安 | NPN | 5V@6A、30A | 20@20A,5V | - | |||||||
|  | 提示41 | - |  | 7135 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 提示41 | 2W | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 40V | 6A | 700微安 | NPN | 1.5V@600mA,6A | 15@3A,4V | 3兆赫兹 | |||||||
|  | UMF21NTR | 0.1172 |  | 4972 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 | UMF21 | 150毫W | UMT6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V、12V | 100毫安、500毫安 | 500纳安 | 1个NPN预偏置,1个PNP | 300mV @ 500μA、10mA / 250mV @ 10mA、200mA | 30 @ 5mA、5V / 270 @ 10mA、2V | 250兆赫、260兆赫 | 10k欧姆 | 10k欧姆 | |||||
|  | RN1110(T5L,F,T) | - |  | 5975 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | RN1110 | 100毫W | SSM | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 300mV@250μA,5mA | 120@1mA,5V | 250兆赫 | 4.7欧姆 | ||||||||
|  | SFT1202-E | 0.8200 |  | 819 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | SFT1202 | 1W | TP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 150伏 | 2A | 1μA(ICBO) | NPN | 165mV@100mA,1A | 200@100mA,5V | 140兆赫 | ||||||
|  | BFU580GX | 0.8300 |  | 999 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | BFU580 | 1W | SC-73 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10.5分贝 | 12V | 60毫安 | NPN | 60@30mA,8V | 11GHz | 1.4dB@1.8GHz | 

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