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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJNS3202RTA | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | FJNS32 | 300兆 | TO-92S | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 30 @ 5mA,5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||
2N1613L | 19.3382 | ![]() | 7456 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N1613 | 800兆 | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 500 MA | 10µA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 15mA,150mA | 40 @ 150mA,10v | - | ||||||
![]() | DTC124erlra | - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | DTC124 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | ||||||||||||||||
![]() | KSC1845PTA | 1.0000 | ![]() | 9449 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 500兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 120 v | 50 mA | 50NA(iCBO) | NPN | 300mv @ 1mA,10mA | 200 @ 1mA,6v | 110MHz | |||||||
![]() | 2SC2655-y t6canofm | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SC2655 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | 2SC2655YT6CANOFM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,1a | 70 @ 500mA,2V | 100MHz | |||||
![]() | BF550,215 | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BF550 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | 2N5153U3 | 107.4906 | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1.16 w | U3 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1ma | PNP | 1.5V @ 500mA,5a | 70 @ 2.5A,5V | - | |||||||
FMMT718TA-50 | 0.0852 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | FMMT718 | 625兆 | SOT-23-3 | 下载 | 31-FMMT718TA-50 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 1.5 a | 100NA | PNP | 220mv @ 50mA,1.5a | 300 @ 100mA,2V | 180MHz | |||||||
![]() | PDTC144VU,115 | 0.0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTC144VU,115-954 | 14,990 | |||||||||||||||||||
![]() | JANSF2N2906AUB/TR | 157.4550 | ![]() | 2630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150-JANSF2N2906AUB/TR | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2113ACT(TPL3) | 0.0527 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | RN2113 | 100兆 | CST3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 80 ma | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 150mv @ 250µA,5mA | 120 @ 1mA,5V | 47科姆斯 | ||||||
![]() | FJV3101RMTF | - | ![]() | 6273 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | FJV310 | 200兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 10mA,5v | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||
![]() | NTE175 | 5.6600 | ![]() | 3806 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 35 w | 到66 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE175 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 v | 2 a | 5mA | NPN | 750mv @ 125mA,1a | 40 @ 100mA,10v | 15MHz | ||||||
![]() | KST5087MTF | - | ![]() | 9487 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23-3 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-KST5087MTF-600039 | 1 | 50 V | 50 mA | 50NA(iCBO) | PNP | 300mv @ 1mA,10mA | 250 @ 10mA,5V | 40MHz | |||||||
![]() | BCX55TF | 0.4000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | BCX55 | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 60 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | - | ||||
![]() | PDTA144EMB,315 | 0.0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | PDTA144 | 250兆 | DFN1006B-3 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 ma | 1µA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 80 @ 5mA,5V | 180 MHz | 47科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||
![]() | JANS2N2222AUBC/TR | 185.6106 | ![]() | 8852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/255 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 500兆 | 3-SMD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS2N222222AUBC/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | |||||
![]() | 2N5599 | 43.0350 | ![]() | 1496年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 20 w | TO-66(TO-213AA) | - | 到达不受影响 | 150-2N5599 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 a | - | PNP | 850mv @ 200µA,1mA | - | - | ||||||
![]() | PMSTA3904,115 | - | ![]() | 1967年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PMSTA3904,115-1727 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SD826G | 0.2700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | EMH2FHAT2R | 0.0958 | ![]() | 3681 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EMH2FHAT2 | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN- 预偏(双重) | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | |||
![]() | BD751C | 2.2700 | ![]() | 274 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 200°C(TJ) | 通过洞 | 到204 | 250 w | TO-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 130 v | 20 a | 500µA | NPN | 1V @ 500mA,5a | 25 @ 5A,2V | ||||||
![]() | 2SD1766-Q-TP | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD1766 | 500兆 | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 353-2SD1766-Q-TPTR | 1,000 | 32 v | 1 a | 1µA(ICBO) | 800mv @ 200mA,2a | 120 @ 500mA,3v | 100MHz | |||||||
![]() | BC327-016G | - | ![]() | 6514 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | BC327 | 625兆 | TO-92(to-226) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 800 MA | 100NA | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 260MHz | |||||
![]() | BC858CWH6327 | 0.0400 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 250兆 | PG-SOT323-3-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 7,053 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 250MHz | |||||
![]() | BC847cm,315 | - | ![]() | 2710 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BC847CM,315-954 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC338 | 0.0400 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 258 | 25 v | 800 MA | 100NA | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 100MHz | |||||||
![]() | 2SC3864 | 0.0700 | ![]() | 1198 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | |||||||||||||||||
![]() | JANSL2N222222aub/tr | 181.0950 | ![]() | 4627 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150-JANSL2N222222AUB/TR | 50 | |||||||||||||||||||||
![]() | RN2409,LXHF | 0.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RN2409 | 200兆 | S-Mini | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 70 @ 10mA,5V | 200 MHz | 47科姆斯 | 22 KOHMS |
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