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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX84B2V4_R1_00001 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.08% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 410 MW | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-BZX84B2V4_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100欧姆 | ||
![]() | BZX84C5V1 | - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C5 | 300兆 | SOT23-3(TO-236) | - | 0000.00.0000 | 1 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | |||||||
![]() | VLZ7V5B-GS08 | - | ![]() | 2759 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,VLZ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | SOD-80变体 | VLZ7V5 | 500兆 | SOD-80四元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.73 V | 7.26 v | 8欧姆 | ||
![]() | 1N5934AP/TR8 | 1.8600 | ![]() | 8296 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5934 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N755CUR-1 | 19.1700 | ![]() | 9091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N755 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 6欧姆 | ||
![]() | 2EZ160D/TR8 | - | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 2EZ160 | 2 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 121.6 V | 160 v | 650欧姆 | ||
Jan1n6340us | 15.9300 | ![]() | 6162 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6340 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 36 V | 47 V | 75欧姆 | |||
1N752A-1E3 | 2.1014 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N752A-1E3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 v | 8欧姆 | ||||
![]() | 1N4893A | - | ![]() | 6780 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N4893 | 400兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 6.35 v | 10欧姆 | |||||
BZD17C62P MTG | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.45% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-219ab | BZD17 | 800兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 47 V | 62 v | 80欧姆 | |||
![]() | 1N5226B(DO-35) | - | ![]() | 8211 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5226 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||
![]() | JANS1N6338DUS/TR | 532.7850 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 150-JANS1N6338DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 30 V | 39 v | 55欧姆 | |||||
![]() | JANTXV1N4484 | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | 轴向 | 下载 | 600-JANTXV1N4484 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 250 NA @ 49.6 V | 62 v | 80欧姆 | ||||||
1月1N4954 | 5.9100 | ![]() | 6629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4954 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 1欧姆 | ||||
1N4577A-1E3 | 8.2350 | ![]() | 6016 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TA) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4577 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 50 V | 6.4 v | |||||
![]() | CDLL4957 | 11.1450 | ![]() | 1359 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDLL4957 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||
![]() | 1N5243B TR PBFRE | 0.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | |||
![]() | BZT52C47K | 0.0474 | ![]() | 6258 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZT52C | 200兆 | SOD-523F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZT52C47KTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 2 µA @ 36 V | 47 V | 170欧姆 | |||
![]() | MB7744 | - | ![]() | 3142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MB7744 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | JANTX1N4125DUR-1 | 30.4050 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4125 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250欧姆 | ||
![]() | 1N3345R | 8.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | ±20% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3345R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5 V @ 10 A | 140 v | 60欧姆 | |||
JANTX1N4371A-1/TR | 4.4821 | ![]() | 4710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4371A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | ||||
![]() | BZT52-C43J | 0.2200 | ![]() | 131 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±7% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52 | 350兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 30.1 V | 43 V | 80欧姆 | ||
![]() | 1SMB5944BT3G | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 1SMB5944 | 3 W | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 v | 100欧姆 | ||
![]() | CDLL4714C/TR | 6.0249 | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4714C/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | 2M180Z B0G | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2M180 | 2 w | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 136.8 V | 180 v | 725欧姆 | |||
MMBZ5248C-HE3-08 | - | ![]() | 5987 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5248 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | ||||
![]() | PD3Z284C12-7 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | PowerDi™323 | PD3Z284 | 500兆 | PowerDi™323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 V | 12 v | 10欧姆 | ||
![]() | JAN1N4107DUR-1 | 18.2400 | ![]() | 6191 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N4107 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 200欧姆 | |||
![]() | JANS1N4963US/TR | 86.8802 | ![]() | 9334 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4963US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
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