SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt)
JANTXV1N3335B Microchip Technology JANTXV1N3335B -
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ECAD 5380 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 柱螺安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 50W 溶解O - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@10A 47.1V时为10μA 62V 7欧姆
1EZ100D5E3/TR8 Microsemi Corporation 1EZ100D5E3/TR8 -
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ECAD 9494 0.00000000 美高森美公司 - 卷带式 (TR) 过时的 ±5% -65℃~150℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1EZ100 1W DO-204AL (DO-41) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,500人 1.2V@200mA 100伏
CDLL4627C/TR Microchip Technology CDLL4627C/TR 8.0550
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ECAD 2851 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65℃~175℃ 表面贴装 DO-213AA 500毫W DO-213AA - REACH 不出行 150-CDLL4627C/TR EAR99 8541.10.0050 118 1.1V@200mA 5V时为10μA 6.2V 1200欧姆
BZG05B3V3-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V3-E3-TR -
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ECAD 8775 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 BZG05B 卷带式 (TR) 过时的 ±2.12% 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AC、SMA BZG05 1.25W DO-214AC - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2V@200mA 1V时为40μA 3.3V 20欧姆
MMSZ4694-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4694-G3-18 0.0409
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ECAD 5811 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~150℃ 表面贴装 SOD-123 彩信Z4694 500毫W SOD-123 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 6.2V时为1μA 8.2V
JANTXV1N4986DUS Microchip Technology JANTXV1N4986DUS 51.1200
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ECAD 5299 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 的积极 ±1% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 5W 电子MELF - REACH 不出行 150-JANTXV1N4986DUS EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@1A 114V时为2μA 150伏 330欧姆
JANS1N6319DUS Microchip Technology JANS1N6319DUS 412.1550
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ECAD 7747 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/533 托盘 的积极 ±1% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 1N6319 500毫W B、SQ-MELF 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.4V@1A 3.5V时为5μA 6.2V 3欧姆
BZX79C12 Fairchild Semiconductor BZX79C12 0.0300
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ECAD 87 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 (DO-204AH) 下载 EAR99 8541.10.0050 11,539 1.5V@100mA 8V时为100nA 12V 25欧姆
1PGSMC5350 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5350 R7G -
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ECAD 5670 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) SIC停产 ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-214AB、SMC 1PGSMC 5W DO-214AB(SMC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 850 9.9V时为1μA 13伏 3欧姆
1N5253B NTE Electronics, Inc 1N5253B 0.1200
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ECAD 2 0.00000000 NTE电子公司 - 的积极 ±0.5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W - 下载 不符合 RoHS 指令 2368-1N5253B EAR99 8541.10.0050 1 100nA@19V 25V 35欧姆
CMDZ5255B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMDZ5255B TR PBFREE 0.2550
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ECAD 5294 0.00000000 中央半导体公司 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SC-76、SOD-323 CMDZ5255 250毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 100nA@21V 28V 44欧姆
CZRA5941B-G Comchip Technology CZRA5941B-G 0.1352
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ECAD 6502 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~175℃ 表面贴装 DO-214AC、SMA CZRA5941 1.5W DO-214AC (SMA) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2V@200mA 35.8V时为1μA 47V 67欧姆
JANTXV1N3035BUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N3035BUR-1/TR 16.1196
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ECAD 9747 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/115 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~175℃ 表面贴装 DO-213AB,MELF(玻璃) 1W DO-213AB(MELF,LL41) - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANTXV1N3035BUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2V@200mA 32.7V时为10μA 43V 70欧姆
JANTX1N4467/TR Microchip Technology JANTX1N4467/TR 6.2111
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ECAD 9129 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/406 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1.5W DO-41 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANTX1N4467/TR EAR99 8541.10.0050 1 1V@200mA 9.6V时为200nA 12V 7欧姆
1N704A Microchip Technology 1N704A 1.0500
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ECAD 7041 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 ±5% - 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N704 250毫W DO-35 - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 5μA@4.1V 4.1V 45欧姆
BZX84B47-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B47-G3-08 0.0389
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ECAD 7413 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 BZX84-G 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84B47 300毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 15,000 32.9V时为50nA 47V 170欧姆
BZD27C22PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C22PHRVG -
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ECAD 5366 0.00000000 台积电 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5.66% -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-219AB BZD27 1W 亚SMA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.2V@200mA 1μA@16V 22.05V 15欧姆
BZT52B3V9-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V9-HE3_A-18 0.0533
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ECAD 1663 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、BZT52 卷带式 (TR) 的积极 ±2% 150°C(太焦) 表面贴装 SOD-123 300毫W SOD-123 下载 112-BZT52B3V9-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1V时为2μA 3.9V 90欧姆
ACZRW5236B-G Comchip Technology ACZRW5236B-G 0.0556
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ECAD 4087 0.00000000 芯芯科技 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~150℃ 表面贴装 SOD-123F ACZRW5236 350毫W SOD-123F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 6V时为3μA 7.5V 6欧姆
JANTXV1N6330US Microchip Technology JANTXV1N6330US 23.2650
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ECAD 1350 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 500毫W B、SQ-MELF - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.4V@1A 14V时为50nA 18V 14欧姆
BZT52C30S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C30S 0.0357
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ECAD 8112 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-90、SOD-323F BZT52C 200毫W SOD-323F 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 1801-BZT52C30STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1V@10mA 21V时为45nA 30V 80欧姆
JANTXV1N750AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N750AUR-1 7.4850
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ECAD 6169 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 的积极 ±5% -65℃~175℃ 表面贴装 DO-213AA(玻璃) 1N750 500毫W DO-213AA 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 1.5V时为5μA 4.7V 19欧姆
JANS1N4996 Microchip Technology JANS1N4996 -
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ECAD 4102 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 通孔 E,结 5W E,结 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@1A 2μA@297V 390伏 1800欧姆
NTE5226AK NTE Electronics, Inc NTE5226AK 13.3600
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ECAD 20 0.00000000 NTE电子公司 - 的积极 ±5% -65℃~175℃ 结构,螺柱安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 10W DO-4 下载 符合ROHS3标准 2368-NTE5226AK EAR99 8541.10.0050 1 150伏 175欧姆
UZ860 Microchip Technology UZ860 22.4400
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ECAD 9786 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 - -65℃~175℃ 通孔 A、 结节 3W A、 结节 - REACH 不出行 150-UZ860 EAR99 8541.10.0050 1
BZV85-C36,113 Nexperia USA Inc. BZV85-C36,113 0.3900
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ECAD 1 0.00000000 安世半导体美国公司 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 BZV85-C36 1.3W DO-41 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000 1V@50mA 50nA@25V 36V 50欧姆
PZU9.1BA-QX Nexperia USA Inc. PZU9.1BA-QX 0.3100
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ECAD 3 0.00000000 安世半导体美国公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±5% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-76、SOD-323 320毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V@100mA 500μA@6V 9.06V 10欧姆
JANS1N6353US Microchip Technology JANS1N6353US -
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ECAD 1295 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 500毫W B、SQ-MELF - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.4V@1A 122V时为50nA 151伏 1200欧姆
JAN1N4976US/TR Microchip Technology JAN1N4976美国/TR 9.3600
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ECAD 7577 0.00000000 微芯片 MIL-PRF-19500/356 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 5W 电子MELF - 150-JAN1N4976美国/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5V@1A 2μA@42.6V 56V 35欧姆
MM5Z12B-AQ Diotec Semiconductor MM5Z12B-AQ 0.0477
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ECAD 9625 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 200毫W SOD-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-MM5Z12B-AQTR 8541.10.0000 4,000 9V时为100nA 12V 30欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库