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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 电流 - 反向电流@Vr | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTXV1N5520DUR-1/TR | 55.0221 | ![]() | 1163 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±1% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | 500毫W | DO-213AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N5520DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 1V时为1μA | 3.9V | 22欧姆 | |||
![]() | 1N5382A/TR8 | - | ![]() | 6244 | 0.00000000 | 美高森美公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±10% | -65℃~150℃ | 通孔 | T-18,团结 | 1N5382 | 5W | T-18 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2V@1A | 101V时为500nA | 140伏 | 230欧姆 | ||
![]() | BZT52B7V5 RHG | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123F | BZT52B | 500毫W | SOD-123F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1V@10mA | 900nA@5V | 7.5V | 15欧姆 | ||
![]() | 1N2998B | 6.5000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N2998 | 10W | DO-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-1N2998B | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.5V@2A | 39.5V时为5μA | 52V | 15欧姆 | |
![]() | HZ9C1LTA-E | 0.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | BZX55C75 | 0.0305 | ![]() | 7558 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | BZX55 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-BZX55C75TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1V@100mA | 56V时为100nA | 75V | 170欧姆 | ||
![]() | TSZU52C16 | 0.0669 | ![]() | 7439 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -55°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 0603(1608公制) | TSZU52 | 150毫W | 0603 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-TSZU52C16TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 20,000 | 900毫伏@10毫安 | 12V时为100nA | 16V | 40欧姆 | ||
![]() | JANTX1N4615UR-1/TR | 8.1662 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | 500毫W | DO-213AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTX1N4615UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V时为2.5μA | 2V | 1250欧姆 | ||||
![]() | CDLL5238C | 6.7200 | ![]() | 9823 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA | 10毫W | DO-213AA | - | REACH 不出行 | 150-CDLL5238C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 6.5V时为3μA | 8.7V | 8欧姆 | ||||
![]() | BZT52C9V1-13-F-79 | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | 分散公司 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | BZT52 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | BZT52C9V1-13-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||
![]() | BZV55B16 L0G | 0.0357 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | BZV55B | 500毫W | 迷你MELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1V@100mA | 12V时为100nA | 16V | 40欧姆 | ||
JAN1N968D-1 | 7.1850 | ![]() | 1989年 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 的积极 | ±1% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N968 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 15V时为500nA | 20V | 25欧姆 | |||
![]() | JANTX1N4955C | 18.2850 | ![]() | 2601 | 0.00000000 | 美高森美公司 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 通孔 | E,结 | 1N4955 | 5W | E,结 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@1A | 5.7V时为100μA | 7.5V | 1.5欧姆 | ||
![]() | 1SMA4746-GT3 | 0.0710 | ![]() | 4341 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | SMA (DO-214AC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2V@200mA | 13.7V时为5μA | 18V | 20欧姆 | |||
JANTXV1N6344US | - | ![]() | 2595 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | SIC停产 | ±5% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 500毫W | B、SQ-MELF | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4V@1A | 52V时为50nA | 68V | 155欧姆 | ||||
![]() | EDZ9HKTE615.6B | - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 经济特区 | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | -55℃~125℃ | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZ9HKT | 100毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-EDZ9HKTE615.6BTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||
BZD17C47P MHG | - | ![]() | 7958 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6.38% | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-219AB | BZD17 | 800毫W | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2V@200mA | 1μA@36V | 47V | 45欧姆 | |||
JANTX1N4114D-1/TR | 17.7156 | ![]() | 4590 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±1% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTX1N4114D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 10nA@15.2V | 20V | 150欧姆 | ||||
![]() | BZG05C62-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 第838章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | BZG05C-M | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6.45% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | BZG05C62 | 1.25W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 1.2V@200mA | 500nA@47V | 62V | 125欧姆 | ||
![]() | CDLL5530/TR | 5.9052 | ![]() | 7612 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±20% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 500毫W | DO-213AB | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-CDLL5530/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 8V时为50nA | 10V | 60欧姆 | |||
JANS1N937B-1/TR | - | ![]() | 1962年 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/156 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANS1N937B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10μA@6V | 9V | 20欧姆 | |||||
![]() | 1PMT4133CE3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1636 | 0.00000000 | 微芯片 | POWERMITE® | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | DO-216AA | 1PMT4133 | 1W | DO-216 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1V@200mA | 66.12V时为10nA | 87伏 | 250欧姆 | ||
![]() | RD6.2E-T4 | 0.0600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | |||||||||||||||
![]() | BZX884S-B11-QYL | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±1.82% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-882 | 365毫W | DFN1006BD-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900毫伏@10毫安 | 8V时为100nA | 11伏 | 20欧姆 | |||
![]() | CLL5234B TR | - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±5% | -65℃~200℃ | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | SOD-80 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 1.25V@200mA | 4V时为5μA | 6.2V | 7欧姆 | ||||
![]() | HZS3.9NB1TD-E | 0.1100 | ![]() | 第665章 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | PDZ2.4BZ | 0.2100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | PDZ2.4 | 400毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 1V时为50μA | 2.63V | 1000欧姆 | ||
![]() | JANTXV1N4622CUR-1 | - | ![]() | 3658 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | SIC停产 | ±2% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | 500毫W | DO-213AA | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 2V时为2.5μA | 3.9V | 1650欧姆 | |||
![]() | 1N5936BPE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 3828 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N5936 | 1.5W | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2V@200mA | 22.8V时为1μA | 30V | 28欧姆 | ||
![]() | 1N4702UR-1 | 5.0850 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 1N4702 | 500毫W | DO-213AA | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@100mA | 11.4V时为50nA | 15V |
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