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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 电流 - 反向电流@Vr | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL5230C | 6.7200 | ![]() | 2773 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA | 10毫W | DO-213AA | - | REACH 不出行 | 150-CDLL5230C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 5μA@2V | 4.7V | 19欧姆 | ||||
![]() | 1N5226B散装 | 0.1800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 的积极 | ±5% | 175°C(太焦) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2439-1N5226大块 | 8541.10.0000 | 500 | 1.1V@200mA | 1V时为25μA | 3.3V | 28欧姆 | ||||
![]() | JAN1N4478美国/土耳其 | 10.9650 | ![]() | 9279 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/406 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 1.5W | D-5A | - | 150-JAN1N4478美国/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5V@1A | 28.8V时为50nA | 36V | 27欧姆 | |||||
JANTXV1N6634CUS | - | ![]() | 7908 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,E | 5W | D-5B | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@1A | 1V时为175μA | 3.9V | 2欧姆 | |||||
![]() | CMHZ4678 TR | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | REACH 不出行 | 1514-CMHZ4678TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@100mA | 1V时为7.5μA | 1.8V | |||||
![]() | BZX79-B7V5,133 | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | - | 切带 (CT) | 的积极 | ±2% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | BZX79-B7V5 | 400毫W | ALF2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900毫伏@10毫安 | 5V时为1μA | 7.5V | 15欧姆 | ||
![]() | BZX79B10 A0G | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | 台积电 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | ±2% | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | BZX79 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5V@100mA | 7毫安@200毫伏 | 10V | 20欧姆 | ||
MMBZ5230C-E3-08 | - | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBZ5230 | 225毫W | SOT-23-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5μA@2V | 4.7V | 19欧姆 | ||||
![]() | JANTXV1N6348CUS/TR | 57.2550 | ![]() | 8329 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/533 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 500毫W | B、SQ-MELF | - | 150-JANTXV1N6348CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4V@1A | 50nA@76V | 100伏 | 340欧姆 | |||||
BZT52B22-G | 0.0461 | ![]() | 3211 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SOD-123 | BZT52B | 410毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-BZT52B22-GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900毫伏@10毫安 | 100nA@15.4V | 22V | 55欧姆 | |||
![]() | MMBZ5240AW_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | MMBZ5240 | 200毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 8V时为3μA | 10V | 17欧姆 | |||
1N5528/TR | 1.9950 | ![]() | 3852 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±20% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | - | REACH 不出行 | 150-1N5528/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 第477章 | 1.1V@200mA | 500nA@6.5V | 8.2V | ||||||
![]() | MMSZ4710-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 4236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | ±5% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SOD-123 | 彩信Z4710 | 500毫W | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10nA@19V | 25V | ||||
![]() | JAN1N4464CUS/TR | 26.9100 | ![]() | 3874 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/406 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,A | 1.5W | D-5A | - | 150-JAN1N4464CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5V@1A | 5.46V时为300nA | 9.1V | 4欧姆 | |||||
![]() | 1SMB5932HR5G | - | ![]() | 3439 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | ±5% | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 1SMB5932 | 3W | DO-214AA (SMB) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1μA@15.2V | 20V | 14欧姆 | |||
![]() | 1N6013UR-1/TR | 3.7400 | ![]() | 第1486章 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 500毫W | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1V@200mA | 36V | ||||||||
JANTXV1N753D-1/TR | 15.1487 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±1% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N753D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 3.5V时为5μA | 6.2V | 7欧姆 | ||||
![]() | BZT55C4V7-GS18 | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、BZT55 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | SOD-80变体 | BZT55C4V7 | 500毫W | SOD-80 QuadroMELF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5V@200mA | 1V时为500nA | 4.7V | 80欧姆 | ||
JANTXV1N5541D-1/TR | 26.0414 | ![]() | 4346 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±1% | -65℃~175℃ | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N5541D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 10nA@19.8V | 22V | 100欧姆 | ||||
![]() | JAN1N4977CUS/TR | 23.7000 | ![]() | 6164 | 0.00000000 | 微芯片 | MIL-PRF-19500/356 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 5W | 电子MELF | - | 150-JAN1N4977CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5V@1A | 2μA@47.1V | 62V | 42欧姆 | |||||
JANTXV1N992D-1 | - | ![]() | 1112 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 的积极 | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 (DO-204AH) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3V@200mA | 152V时为500nA | 200V | 2500欧姆 | |||||
![]() | 1N4112DUR-1/TR | 9.6300 | ![]() | 4914 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±1% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AA | 500毫W | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1V@200mA | 13.7V时为50nA | 18V | 100欧姆 | ||||||
![]() | 1N5926BPE3/TR8 | 0.9450 | ![]() | 2900 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N5926 | 1.5W | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 1.2V@200mA | 8.4V时为1μA | 11伏 | 5.5欧姆 | ||
![]() | SML4762AHE3_A/I | 0.2063 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | SML4762 | 1W | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5μA@62.2V | 82V | 200欧姆 | |||
FLZ4V7C | - | ![]() | 1266 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±3% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | FLZ4 | 500毫W | SOD-80 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 1.2V@200mA | 190nA@1V | 4.8V | 21欧姆 | ||||
![]() | MM5Z47VT5G | 0.2600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | onsemi | MM5ZxxxT1G | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6.38% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | MM5Z47 | 500毫W | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900毫伏@10毫安 | 32.9V时为50nA | 47V | 170欧姆 | ||
![]() | 1N4977美国/土耳其 | 9.5200 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 5W | 电子MELF | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 101 | 1.5V@1A | 2μA@47.1V | 62V | 42欧姆 | ||||||
![]() | ZM4756A | 0.0830 | ![]() | 8016 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | ZM4756 | 1W | 梅尔夫 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-ZM4756ATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 35.8V时为5μA | 47V | 80欧姆 | |||
![]() | PZU6.8BA115 | 1.0000 | ![]() | 2909 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | CDLL5265D | 8.4150 | ![]() | 7829 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | ±1% | -65℃~175℃ | 表面贴装 | DO-213AA | 10毫W | DO-213AA | - | REACH 不出行 | 150-CDLL5265D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V@200mA | 47V时为100nA | 62V | 185欧姆 |
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