SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTXV1N4480CUS Microchip Technology JANTXV1N4480CUS 45.1350
RFQ
ECAD 5242 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 到达不受影响 150-JANTXV1N4480CUS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
BZT52H-A7V5X Nexperia USA Inc. BZT52H-A7V5X 0.1463
RFQ
ECAD 3489 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123F BZT52 375兆 SOD-123F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1727-BZT52H-A7V5XTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 1 µA @ 5 V 7.5 v 10欧姆
1N5927BUR-1 Microchip Technology 1N5927BUR-1 4.0650
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 1N5927 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
BZT52C39HE3-TP Micro Commercial Co BZT52C39HE3-TP 0.2400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微商业公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5.13% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 BZT52C39 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 353-BZT52C39HE3-TPTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 mv @ 10 ma 100 na @ 27.3 V 39 v 130欧姆
JANHCA1N4129D Microchip Technology Janhca1n4129d -
RFQ
ECAD 8666 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 500兆 - 到达不受影响 150-Janhca1n4129d Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
JANS1N6332DUS/TR Microchip Technology JANS1N6332DUS/TR 527.7150
RFQ
ECAD 2129 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - 150-JANS1N6332DUS/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 A 50 na @ 17 V 22 v 20欧姆
CMHZ4688 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CMHz4688 bk锡/铅 -
RFQ
ECAD 6581 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 500兆 SOD-123 下载 到达不受影响 1514-CMHZ4688BKTIN/铅 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 ma 10 µA @ 3 V 4.7 v
BZX585-C39,115 NXP USA Inc. BZX585-C39,115 -
RFQ
ECAD 4391 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 300兆 SOD-523 下载 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 mA 50 na @ 27.3 V 39 v 130欧姆
JANS1N6339D Microchip Technology JANS1N6339D 350.3400
RFQ
ECAD 4336 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANS1N6339D Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 33 V 43 V 65欧姆
BZG05C39TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C39TR -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 - -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA BZG05 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 30 V 39 v 1000欧姆
BZX384C3V9-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C3V9-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX384 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384C3V9 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
1N5241BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5241BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5241BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22欧姆
JANS1N4464DUS Microchip Technology JANS1N4464DUS 330.2550
RFQ
ECAD 6015 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 到达不受影响 150-JANS1N4464DUS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 300 NA @ 5.46 V 9.1 v 4欧姆
BZB84-C51,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C51,215 0.0469
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZB84-C51 300兆 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1对公共阳极 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 35.7 V 51 v 180欧姆
TZX30A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX30A-TAP 0.0285
RFQ
ECAD 5228 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX30 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 23 V 30 V 100欧姆
RD20F-T8-AZ Renesas Electronics America Inc RD20F-T8-AZ 0.2200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 1
HZS2C2JRX Renesas Electronics America Inc HZS2C2JRX 0.1100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 1
BZS55C8V2 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C8V2 RXG 0.0340
RFQ
ECAD 6896 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 1206 (3216公制) BZS55 500兆 1206 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 mA 100 na @ 6.2 V 8.2 v 7欧姆
JANTXV1N4467US Semtech Corporation JANTXV1N4467US -
RFQ
ECAD 8833 0.00000000 Semtech Corporation MIL-PRF-19500/406 大部分 在sic中停产 ±5% -55°C 〜175°C 表面安装 SQ-MELF - 下载 600-JANTXV1N4467US Ear99 8541.10.0050 1 200 na @ 9.6 V 12 v 7欧姆
HZM5.1NB3JTL-E Renesas Electronics America Inc HZM5.1NB3JTL-E 0.1000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 3,000
BZY55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B3V6 0.0413
RFQ
ECAD 1828年 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 0805(2012年) BZY55 500兆 0805 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BZY55B3V6TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 mA 2 µA @ 1 V 3.6 v 85欧姆
BZX84C16-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-G3-08 0.0353
RFQ
ECAD 2496 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C16 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 11.2 V 16 V 40欧姆
CLL4691 TR Central Semiconductor Corp Cll4691 Tr -
RFQ
ECAD 7223 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 SOD-80 下载 1514-CLL4691TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 ma 10 µA @ 5 V 6.2 v
JANTX1N4996DUS Microchip Technology JANTX1N4996DUS -
RFQ
ECAD 1620年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 297 V 390 v 1800欧姆
JAN1N4496D Microchip Technology Jan1n4496d 25.4550
RFQ
ECAD 2759 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4496 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 NA @ 160 V 200 v 1500欧姆
JANTX1N988B-1 Microchip Technology JANTX1N988B-1 -
RFQ
ECAD 3337 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 99 V 130 v 1100欧姆
JANKCA1N5540D Microchip Technology jankca1n5540d -
RFQ
ECAD 9598 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANKCA1N5540D Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 18 V 20 v 100欧姆
BZV55-B27,115 NXP Semiconductors BZV55-B27,115 0.0200
RFQ
ECAD 125 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 500兆 llds;最小 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZV55-B27,115-954 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80欧姆
JANS1N4615DUR-1/TR Microchip Technology JANS1N4615DUR-1/TR 449.6820
RFQ
ECAD 9885 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4615DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2.5 µA @ 1 V 2 v 1.25欧姆
JANTXV1N6347 Microchip Technology JANTXV1N6347 14.6700
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6347 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 69 V 91 v 270欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库