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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANS1N6350C | 358.7400 | ![]() | 9840 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANS1N6350C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 | |||||
![]() | JANTXV1N4467US | - | ![]() | 8833 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF | - | 下载 | 600-JANTXV1N4467US | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 200 na @ 9.6 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||
![]() | HZM5.1NB3JTL-E | 0.1000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||
BZY55B3V6 | 0.0413 | ![]() | 1828年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 0805(2012年) | BZY55 | 500兆 | 0805 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BZY55B3V6TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 mA | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85欧姆 | |||
BZX84C16-G3-08 | 0.0353 | ![]() | 2496 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX84-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C16 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 11.2 V | 16 V | 40欧姆 | ||||
![]() | Cll4691 Tr | - | ![]() | 7223 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 1514-CLL4691TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | ||||||
JANTX1N4996DUS | - | ![]() | 1620年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 297 V | 390 v | 1800欧姆 | |||||
Jan1n4496d | 25.4550 | ![]() | 2759 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4496 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 160 V | 200 v | 1500欧姆 | |||
JANTX1N988B-1 | - | ![]() | 3337 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 99 V | 130 v | 1100欧姆 | ||||||
jankca1n5540d | - | ![]() | 9598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5540D | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18 V | 20 v | 100欧姆 | |||||
![]() | BZV55-B27,115 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | llds;最小 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BZV55-B27,115-954 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80欧姆 | |||||
![]() | JANS1N4615DUR-1/TR | 449.6820 | ![]() | 9885 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4615DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1.25欧姆 | |||
JANTXV1N6347 | 14.6700 | ![]() | 7247 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6347 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 69 V | 91 v | 270欧姆 | |||
![]() | PLZ7V5B-G3/h | 0.2800 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | plz | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2.62% | 150°C(TJ) | 表面安装 | DO-219AC | PLZ7V5 | 960兆 | DO-219AC(MicroSMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mv @ 10 ma | 500 na @ 4 V | 7.26 v | 8欧姆 | ||
MMBZ5232B-E3-18 | - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5232 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11欧姆 | ||||
![]() | BZX84C6V2LT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6.45% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 250兆 | SSD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||
![]() | 1N4697 | 4.8300 | ![]() | 6011 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N4697 | 500兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7.6 V | 10 v | ||||
![]() | 1 PMT4121/TR7 | 0.9600 | ![]() | 5199 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午4121 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 25.08 V | 33 V | 200欧姆 | ||
![]() | BZT52-C43S_R1_00001 | 0.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-BZT52-C43S_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 na @ 32 V | 43 V | 100欧姆 | ||
1N6314 | 8.4150 | ![]() | 3061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6314 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||||
![]() | NZ9F4V3ST5G | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-923 | NZ9F | 250兆 | SOD-923 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 100欧姆 | ||
![]() | MTZJ24SC R0G | 0.0305 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204Ag,do-34,轴向 | MTZJ24 | 500兆 | do-34 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 na @ 19 V | 23.72 v | 35欧姆 | |||
![]() | BZV90-C3V0,115 | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BZV90-C3V0 | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1 V @ 50 mA | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | ||
JANTX1N6323DUS | 57.9000 | ![]() | 7390 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N6323 | 500兆 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6欧姆 | |||
![]() | JANTXV1N4967 | - | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | 轴向 | 1N4967 | 5 w | 轴向 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5欧姆 | ||||||
![]() | JANTX1N3156UR-1/TR | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/158 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C 〜175°C(TA) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3156UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 v | 15欧姆 | ||||
![]() | JANTXV1N4464C | 30.7500 | ![]() | 6368 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4464 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 300 NA @ 5.46 V | 9.1 v | 4欧姆 | ||
![]() | MMBZ5245ELT3G | - | ![]() | 6419 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ52 | 225兆 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||
![]() | UDZLVFHTE-1756 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.25% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | UDZLVFHTE-1756 | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 43 V | 56 v | ||||
![]() | 1N4734APE3/TR8 | 0.9450 | ![]() | 4077 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4734 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 |
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