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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt)
BZX85C62-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C62-TR 0.3800
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ECAD 3345 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、BZX85 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 BZX85C62 1.3W DO-204AL (DO-41) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 25,000 500nA@47V 62V 125欧姆
1N970B NTE Electronics, Inc 1N970B 0.1700
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ECAD 4 0.00000000 NTE电子公司 - 的积极 ±5% -65℃~200℃ 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 2368-1N970B EAR99 8541.10.0050 1 18.2V时为5μA 24V 33欧姆
SZBZX84C51LT3 onsemi SZBZX84C51LT3 0.0200
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ECAD 30 0.00000000 onsemi 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 ±6% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 SZBZX84 225毫W SOT-23-3 (TO-236) - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0050 15,000 900毫伏@10毫安 35.7V时为50nA 51V 180欧姆
JANTX1N4957US/TR Microchip Technology JANTX1N4957US/TR 9.7650
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ECAD 7032 0.00000000 微芯片 MIL-PRF-19500/356 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 5W 电子MELF - 150-JANTX1N4957美国/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5V@1A 6.9V时为25μA 9.1V 2欧姆
BZX84C30_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C30_R1_00001 0.1900
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84 410毫W SOT-23 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BZX84C30_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA@21V 30V 80欧姆
BZX85C7V5-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C7V5-TR 0.0475
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ECAD 3402 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、BZX85 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 BZX85C7V5 1.3W DO-204AL (DO-41) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 25,000 4.5V时为1μA 7.5V 3欧姆
BZS55B18 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B18 RXG -
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ECAD 7677 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 1206(3216 公制) BZS55 500毫W 1206 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5V@10mA 100nA@13V 18V 50欧姆
MMSZ5233C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5233C-G3-18 0.0483
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ECAD 6591 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SOD-123 彩信Z5233 500毫W SOD-123 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 3.5V时为5μA 6V 7欧姆
JANTX1N4130CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N4130CUR-1/TR 24.9641
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ECAD 6866 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/435 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65℃~175℃ 表面贴装 DO-213AA(玻璃) 500毫W DO-213AA - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANTX1N4130CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 51.7V时为10nA 68V 700欧姆
BZT03C120-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C120-TAP 0.2640
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ECAD 3739 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 BZT03 胶带和盒子 (TB) 的积极 ±5.42% 175°C(太焦) 通孔 SOD-57,肥胖 BZT03C120 1.3W SOD-57 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 25,000 1.2V@500mA 91V时为1μA 120V 250欧姆
JANHCA1N985B Microchip Technology 扬卡1N985B 9.8154
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ECAD 2836 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/117 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AA、DO-7、团结 500毫W DO-7 (DO-204AA) 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANHCA1N985B EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 5μA@76V 100伏 500欧姆
BZX85B3V3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B3V3-TR 0.3800
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ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、BZX85 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55℃~175℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 BZX85B3V3 1.3W DO-204AL (DO-41) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 5,000 1V时为40μA 3.3V 20欧姆
JANTXV1N5526BUR-1 Microchip Technology JANTXV1N5526BUR-1 19.3500
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ECAD 9933 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 DO-213AA 500毫W DO-213AA - REACH 不出行 JANTXV1N5526BUR-1MS EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 6.2V时为1μA 6.8V 30欧姆
BZT52C3V0S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V0S RRG 0.3400
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ECAD 2 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-90、SOD-323F BZT52C 200毫W SOD-323F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 1V@10mA 1V时为9μA 3V 100欧姆
CZRF52C27-HF Comchip Technology CZRF52C27-HF 0.0805
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ECAD 8865 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~125℃ 表面贴装 1005(2512 公制) CZRF52 200毫W 1005/SOD-323F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 4,000 900毫伏@10毫安 100nA@20V 27V 80欧姆
BZX84C30-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C30-HE3-08 0.0323
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ECAD 3552 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、BZX84 卷带式 (TR) 最后一次购买 ±5% -55℃~150℃ 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84C30 300毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 15,000 21V时为50nA 30V 80欧姆
JANTXV1N5535DUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N5535DUR-1/TR 55.0221
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ECAD 7786 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/437 卷带式 (TR) 的积极 ±1% -65℃~175℃ 表面贴装 DO-213AA(玻璃) 500毫W DO-213AA - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANTXV1N5535DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 10nA@13.5V 15V 100欧姆
1N5988B-1/TR Microchip Technology 1N5988B-1/TR 3.5850
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ECAD 8310 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 (DO-204AH) - REACH 不出行 150-1N5988B-1/TR EAR99 8541.10.0050 264 1.1V@200mA 1V时为25μA 3.3V 95欧姆
JANTXV1N4970DUS Microchip Technology JANTXV1N4970DUS 51.1200
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ECAD 2279 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 的积极 ±1% -65℃~175℃ 表面贴装 SQ-MELF,E 1N4970 5W D-5B 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1 1.5V@1A 2μA@25.1V 33V 10欧姆
BZX84B6V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B6V2_R1_00001 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 ±1.94% -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BZX84 410毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BZX84B6V2_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0050 3,000 4V时为3μA 6.2V 10欧姆
1N825E3 Microchip Technology 1N825E3 5.4750
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ECAD 5114 0.00000000 微芯片 - 的积极 ±5% -65℃~175℃ 通孔 DO-204AA、DO-7、团结 1N825 500毫W DO-7 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 1N825E3MS EAR99 8541.10.0050 1 3V时为2μA 5.9V 15欧姆
BZX84-A3V3-QR Nexperia USA Inc. BZX84-A3V3-QR 0.1443
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ECAD 4423 0.00000000 安世半导体美国公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±1% -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W TO-236AB 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 1727-BZX84-A3V3-QRTR EAR99 8541.10.0050 3,000 900毫伏@10毫安 1V时为5μA 3.3V 95欧姆
JAN1N6331CUS/TR Microchip Technology JAN1N6331CUS/TR 63.8550
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ECAD 8875 0.00000000 微芯片 MIL-PRF-19500/533 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SQ-MELF,B 500毫W B、SQ-MELF - 150-JAN1N6331CUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4V@1A 15V时为50nA 20V 18欧姆
BZD27B75P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B75P-E3-08 0.1155
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ECAD 1906年 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 BZD27B 卷带式 (TR) 的积极 - -65℃~175℃ 表面贴装 DO-219AB BZD27B75 800毫W DO-219AB(单模) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 30,000 1.2V@200mA 56V时为1μA 75V 100欧姆
SMZ43 Diotec Semiconductor SMZ43 0.0772
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ECAD 65 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% 150°C(太焦) 表面贴装 DO-213AB,梅尔夫 2W 梅尔夫DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 2796-SMZ43TR 8541.10.0000 5,000 1μA@20V 43V 24欧姆
3EZ27 Diotec Semiconductor 3EZ27 0.0995
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ECAD 2169 0.00000000 德欧泰克半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -50°C ~ 150°C(太焦) 通孔 DO-204AC、DO-15、极性 3W DO15/DO204AC 下载 符合ROHS3标准 不适用 2796-3EZ27TR 8541.10.0000 4,000 1μA@14V 27V 7欧姆
BZX384C75-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C75-HE3-08 0.0341
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ECAD 5699 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车、AEC-Q101、BZX384 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-76、SOD-323 BZX384C75 200毫W SOD-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 15,000 50nA@52.5V 75V 255欧姆
2EZ22D2E3/TR8 Microsemi Corporation 2EZ22D2E3/TR8 -
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ECAD 2501 0.00000000 美高森美公司 - 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -65℃~150℃ 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 2EZ22 2W DO-204AL (DO-41) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,500人 1.2V@200mA 16.7V时为500nA 22V 12欧姆
1N978B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N978B TR PBFREE 0.0734
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ECAD 5261 0.00000000 中央半导体公司 - 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5V@200mA 38.8V时为5μA 51V 125欧姆
JANTXV1N4370AUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4370AUR-1/TR 9.2302
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ECAD 8024 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/435 卷带式 (TR) 的积极 ±5% -65℃~175℃ 表面贴装 DO-213AA(玻璃) 500毫W DO-213AA - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-JANTXV1N4370AUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1V@200mA 1V时为100μA 2.4V 30欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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