SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
CDLL4680 Microchip Technology CDLL4680 3.3000
RFQ
ECAD 8301 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa CDLL4680 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 4 µA @ 1 V 2.2 v
CDLL5234B Microchip Technology CDLL5234B 4.7700
RFQ
ECAD 5363 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5234 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
JANTX1N4101DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4101DUR-1 28.5450
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4101 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.3 V 8.2 v 200欧姆
JAN1N4103-1 Microchip Technology Jan1n4103-1 4.1400
RFQ
ECAD 5331 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4103 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 7 V 9.1 v 200欧姆
JAN1N4495DUS Microchip Technology JAN1N4495DUS 33.4500
RFQ
ECAD 1640年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4495 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 NA @ 144 V 180 v 1300欧姆
JANTXV1N4570AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4570AR-1 8.9100
RFQ
ECAD 1104 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4570 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 100欧姆
JANTXV1N4372DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4372DUR-1 -
RFQ
ECAD 1477 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANTX1N3043CUR-1 Microchip Technology JANTX1N3043CUR-1 37.3500
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3043 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
JAN1N4110CUR-1 Microchip Technology JAN1N4110CUR-1 14.5650
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4110 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 12.2 V 16 V 100欧姆
JANTXV1N4115-1 Microchip Technology JANTXV1N4115-1 9.0450
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4115 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 16.8 V 22 v 150欧姆
JAN1N4115C-1 Microchip Technology Jan1n4115c-1 10.5000
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4115 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 16.8 V 22 v 150欧姆
JAN1N4118CUR-1 Microchip Technology JAN1N4118CUR-1 22.3200
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4118 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 20.5 V 27 V 150欧姆
JAN1N4125CUR-1 Microchip Technology JAN1N4125CUR-1 22.3200
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4125 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250欧姆
JAN1N4129UR-1 Microchip Technology Jan1n4129ur-1 8.7150
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4129 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 47.1 V 62 v 500欧姆
JAN1N4131CUR-1 Microchip Technology JAN1N4131CUR-1 22.3200
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4131 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 57 V 75 v 700欧姆
JANTX1N4131DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4131DUR-1 30.4050
RFQ
ECAD 7636 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4131 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 57 V 75 v 700欧姆
JAN1N3031DUR-1 Microchip Technology JAN1N3031DUR-1 40.7250
RFQ
ECAD 6039 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3031 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
JAN1N3036C-1 Microchip Technology JAN1N3036C-1 17.3250
RFQ
ECAD 4034 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3036 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
JAN1N4485CUS Microchip Technology JAN1N4485CUS 27.6750
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1N4485 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 NA @ 54.4 V 68 v 100欧姆
JAN1N4486 Microchip Technology 1月1N4486 8.1900
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4486 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 250 na @ 60 V 75 v 130欧姆
JANTX1N3019D-1 Microchip Technology JANTX1N3019D-1 31.9500
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3019 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 6欧姆
JANTXV1N3021D-1 Microchip Technology JANTXV1N3021D-1 38.0400
RFQ
ECAD 3182 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3021 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
JANTXV1N752DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N752DUR-1 23.9550
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N752 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 11欧姆
JANTXV1N968B-1 Microchip Technology JANTXV1N968B-1 -
RFQ
ECAD 6641 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 15 V 20 v 25欧姆
JAN1N4970C Microchip Technology Jan1n4970c 14.9250
RFQ
ECAD 5214 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4970 5 w E,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 25.1 V 33 V 10欧姆
CLL5247B BK PBFREE Central Semiconductor Corp CLL5247B BK PBFRE 0.0519
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜200°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 CLL5247 500兆 SOD-80 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.25 V @ 200 ma 100 na @ 13 V 17 V 19欧姆
CMHZ5263B BK Central Semiconductor Corp CMHZ5263B BK -
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 中央半导体公司 - 大部分 积极的 ±5% 150°C 表面安装 SOD-123 CMHZ5263 500兆 SOD-123 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,500 900 mv @ 10 ma 100 na @ 43 V 56 v 150欧姆
CDZVT2R36B Rohm Semiconductor CDZVT2R36B 0.2700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Rohm半导体 CDZV 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 150°C 表面安装 2-SMD,平坦的铅 CDZVT2 100兆 VMN2M 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 27 V 36 V 300欧姆
TZM5245F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5245F-GS18 -
RFQ
ECAD 7937 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5245 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 11 V 15 v 600欧姆
1SMA4749 SMC Diode Solutions 1SMA4749 0.0710
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA 1 w SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库