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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4385GP-E3/54 | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 1N4385 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1V@1A | 2微秒 | 5μA@600V | -65℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | FFPF06U40STU | 0.3000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 仙童 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2全包 | 标准 | TO-220F-2L | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.4V@6A | 50纳秒 | 400V时为20μA | -65℃~150℃ | 6A | - | |||||
![]() | SDT2U40CP3-7 | 0.1892 | ![]() | 4563 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-DFN | 肖特基 | X3-DSN1406-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 31-SDT2U40CP3-7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 480毫伏@2安 | 40V时为150μA | -55℃~150℃ | 2A | 180pF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | SK83C | 0.2997 | ![]() | 1670 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | SK83 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 30V时为500μA | -55℃~125℃ | 8A | - | ||||
![]() | 1N6482-E3/96 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,MELF(玻璃) | 1N6482 | 标准 | DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@1A | 600V时为10μA | -65℃~175℃ | 1A | 8pF@4V,1MHz | |||
![]() | R1200-TP | - | ![]() | 第1739章 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | R1200 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 2V@500mA | 1200V时为5μA | -55℃~150℃ | 500毫安 | 30pF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | SF4004-TR | 0.3267 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | SOD-57,肥胖 | SF4004 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1V@1A | 50纳秒 | 5μA@400V | -55℃~175℃ | 1A | 76pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | DSF10TB-AT1 | - | ![]() | 9477 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | DSF10 | 标准 | - | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1V@1A | 10μA@100V | 150℃(最高) | 1A | - | ||||
![]() | JANTX1N6770R | - | ![]() | 3113 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-257-3 | 标准 | TO-257 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.06V@8A | 35纳秒 | 120V时为10μA | - | 8A | 150pF@5V,1MHz | ||||
![]() | 巴43 | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 巴4 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 30V | 800 毫伏 @ 100 毫安 | 5纳秒 | 500nA@25V | 150℃(最高) | 200毫安 | - | |||
![]() | BY133GPHE3/73 | - | ![]() | 6943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 133年 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1300伏 | 1.2V@2A | 2微秒 | 1300V时为5μA | - | 1A | - | ||
![]() | 1N5392S-T | - | ![]() | 3083 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N5392 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.1V@1.5A | 100V时为5μA | -65℃~150℃ | 1.5A | 20pF@4V,1MHz | |||
![]() | BAT46WH,115 | 1.0000 | ![]() | 6908 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123F | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 850 毫伏 @ 250 毫安 | 5.9纳秒 | 100V时为9μA | 150℃(最高) | 250毫安 | 39pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | 1N6076美国/土耳其 | 23.5500 | ![]() | 4809 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 标准 | 电子MELF | - | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.76V@18.8A | 30纳秒 | 5μA@50V | -65℃~155℃ | 1.3A | - | ||||||||
![]() | R2000F | 0.2700 | ![]() | 225 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | R2000 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 2000伏 | 4V@200mA | 500纳秒 | 5μA@2000V | -55℃~150℃ | 200毫安 | - | ||
![]() | 1N4454 | 0.9600 | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N4454 | 标准 | DO-35 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1N4454MS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 75V | 1V@10mA | 4纳秒 | 50V时为100nA | -65℃~175℃ | 200毫安 | - | |
![]() | S8KCHR7G | - | ![]() | 8569 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | S8KC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 985毫伏@8安 | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | 8A | 48pF@4V,1MHz | |||
![]() | MBRS4201T3G | 1.3700 | ![]() | 4742 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | MBRS4201 | 肖特基 | SMC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 860 毫伏 @ 4 安 | 35纳秒 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | 4A | - | ||
![]() | AS3BGHM3_A/I | 0.1769 | ![]() | 1299 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | AS3 | 雪崩 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.05V@3A | 600V时为20μA | -55℃~175℃ | 3A | 40pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | VS-80PF120W | 4.9319 | ![]() | 1241 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 80PF120 | 标准 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS80PF120W | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.4V@220A | -55℃~180℃ | 80A | - | |||
![]() | S2B/54 | - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | S2B | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.15V@1.5A | 2微秒 | 1μA@100V | -55℃~150℃ | 1.5A | 16pF@4V,1MHz | ||
![]() | RS3JHE3/57T | - | ![]() | 8707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | RS3 | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@2.5A | 250纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | 3A | 34pF@4V,1MHz | ||
![]() | 1N1200 | 34.7100 | ![]() | 2086 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1200 | 标准 | DO-4 (DO-203AA) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.2V@30A | 10μA@100V | -65℃~200℃ | 12A | - | ||||
![]() | PMEG3002ESFCYL | 0.0300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | * | 大部分 | 的积极 | 聚B二醇3002 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | NSR0340V2T5G | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | NSR0340 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 510毫伏@200毫安 | 5纳秒 | 40V时为6μA | -55℃~150℃ | 250毫安 | 6pF@10V,1MHz | ||
![]() | JANTX1N5418/TR | 6.4800 | ![]() | 第1564章 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTX1N5418/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.5V@9A | 150纳秒 | 400V时为1μA | -65℃~175℃ | 3A | - | |||
![]() | 1N4937GPHE3/73 | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4937 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.2V@1A | 200纳秒 | 5μA@600V | -65℃~175℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N1205B | 34.7100 | ![]() | 6438 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 1N1205 | 标准 | DO-4 (DO-203AA) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 1N1205BMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 500V | 1.2V@30A | 500V时为10μA | -65℃~200℃ | 12A | - | |||
![]() | BYM07-200HE3_A/H | - | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、Superectifier® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | BYM07 | 标准 | DO-213AA (GL34) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | BYM07-200HE3_B/H | EAR99 | 8541.10.0070 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.25V@500mA | 50纳秒 | 5μA@200V | -65℃~175℃ | 500毫安 | 7pF@4V、1MHz | ||
![]() | VS-73-5266A | - | ![]() | 8486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | - | 112-VS-73-5266A | 过时的 | 1 |

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