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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
bav23clt1g	-	RFQ	4391	Texas Instruments	*	大部分	积极的						下载						0000.00.0000	1
ffa60up20dntu	1.1600	RFQ	450	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准	to-3pn	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	30a	1.15 V @ 30 A	40 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
BAS28,235	0.0400	RFQ	746	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28	标准	SOT-143B	下载					Ear99	8541.10.0070	7,713	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
BAV170/DG/B3215	-	RFQ	2442	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						下载						0000.00.0000	1
RB218NS-40TL	1.5200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB218	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	20a	770 mv @ 10 A		5 µA @ 40 V	150°C
RB238T-30NZC9	2.0100	RFQ	988	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB238	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	40a	750 mv @ 20 a		12 µA @ 30 V	150°C
RB238T150NZC9	2.8600	RFQ	792	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB238	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	40a	870 mv @ 20 a		30 µA @ 150 V	150°C
RB098BM-40TL	0.9400	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB098	肖特基	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	6a	770 mv @ 3 a		1.5 µA @ 40 V	150°C
RB238T100NZC9	2.7600	RFQ	864	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB238	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	40a	860 mv @ 20 a		20 µA @ 100 V	150°C
RB218T-60NZC9	1.5400	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB218	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	20a	830 MV @ 10 A		5 µA @ 60 V	150°C
RB098BM-60TL	0.9400	RFQ	1883年	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB098	肖特基	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	6a	830 mv @ 3 a		1.5 µA @ 60 V	150°C
RB088NS-30TL	1.2900	RFQ	980	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB088	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	10a	720 MV @ 5 A		3 µA @ 30 V	150°C
RB218T-30NZC9	1.5400	RFQ	990	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB218	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	20a	720 MV @ 10 A		5 µA @ 30 V	150°C
RB298NS100TL	1.9800	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB298	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	870 mv @ 15 A		10 µA @ 100 V	150°C
RF1001T2DNZC9	1.4400	RFQ	951	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RF1001	标准	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RF1001T2DNZC9	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	930 MV @ 5 A	30 ns	10 µA @ 200 V	150°C
RBQ15BGE45ATL	1.8200	RFQ	562	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RBQ15	肖特基	TO-252GE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	590 MV @ 7.5 A		140 µA @ 45 V	150°C
DD750S65K3NOSA2	-	RFQ	2350	Infineon技术	*	大部分	积极的						-					Ear99	8541.10.0080	1
BAW56W，115	0.0200	RFQ	800	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAW56W			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BAT54CM315	1.0000	RFQ	4472	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAT54			下载					Ear99	8541.10.0070	1
stth1002csfy	0.9200	RFQ	925	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-277，3-PowerDfn	stth1002	标准	TO-277A（SMPC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STTH1002CSFYTR	Ear99	8541.10.0080	6,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	5a	1.05 V @ 5 A	35 ns	4 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
stth602csfy	0.8900	RFQ	5	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-277，3-PowerDfn	stth602	标准	TO-277A（SMPC）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	3a	1.06 V @ 3 A	31 ns	4 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
CDBH3-54A-HF	-	RFQ	1256	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	SOT-523	CDBH3-54	肖特基	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CDBH3-54A-HFTR	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	30 V	200ma（dc）	1 V @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°c （最大）
ISL9K3060G3	1.6300	RFQ	17	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		雪崩	TO-247	下载					Ear99	8541.10.0070	184	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	30a	2.4 V @ 30 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
BAS70-07W	-	RFQ	6188	Infineon技术	-	大部分	积极的	表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS70	肖特基	PG-SOT343-4-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BAW56W/DG/B3115	-	RFQ	7199	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAW56W			下载						0000.00.0000	1
PMBD354,215	0.0800	RFQ	37	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			PMBD3			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
MMBD2838	-	RFQ	6233	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准	SOT-23-3	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
1S953-T4	0.1000	RFQ	40	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的			1S95			下载					Ear99	8541.10.0070	1
BAT74V115	0.0600	RFQ	5612	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0070	3,400
RBR40NS60ATL	2.0200	RFQ	970	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RBR40	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	20a	600 mv @ 20 a		800 µA @ 60 V	150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²