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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BAS40-05/DG/B2,235 | - | ![]() | 4062 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934062418235 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||
![]() | NTE6087 | 5.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE6087 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 15a | 620 MV @ 15 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | HRC0203B-NTRF-E | 0.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 4,000 | |||||||||||||||
![]() | BAV70/LF1215 | 0.0200 | ![]() | 555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||
![]() | WNSC2D20650CJQ | 3.4196 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | to-3pf | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 20a | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175°C | ||||
![]() | MBR10200CTH-BP | 0.4507 | ![]() | 4280 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR10200 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 353-MBR10200CTH-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 900 mv @ 5 a | 10 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | SDM0520 | 0.1653 | ![]() | 2191 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SDM052 | 肖特基 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-SDM0520STR | 8541.10.0000 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 20 v | 500mA | 460 mv @ 500 mA | 300 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | SRS20150H | 0.7935 | ![]() | 2629 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SRS20150 | 肖特基 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-SRS20150HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 20a | 1.02 V @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | 1PS76SB10/6135 | - | ![]() | 3524 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 1PS76 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||
![]() | MBR1060DC-AU_R2_006A1 | 0.9100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBR106 | 肖特基 | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 750 MV @ 5 A | 50 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | SFF10L04GAH | 0.4385 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF10L04 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-SFF10L04GAH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 10a | 980 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | V30100CI-M3/p | 1.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V30100 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-V30100CI-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 770 mv @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | V40100CI-M3/p | 1.7500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V40100 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 700 mv @ 20 a | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRF25150CT-Y | 0.8496 | ![]() | 6100 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF25150 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRF25150CT-y | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 25a | 1.02 V @ 25 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BD840CS_S2_00001 | 0.3969 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | BD840 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 8a | 700 mv @ 4 a | 50 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR30200PTH | 1.8582 | ![]() | 8802 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR30200 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-mbr30200pth | Ear99 | 8541.10.0080 | 900 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 1.1 V @ 30 A | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRB25H35CT-E3/81 | - | ![]() | 3162 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB25 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 15a | 640 mv @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | BAV23C | 0.1600 | ![]() | 2166 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV23 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 250 v | 200mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | DAN202KFHT146 | 0.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | Dan202 | 标准 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-DAN202KFHT146TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 NA @ 70 V | 150°C (最大) | |
![]() | VS-HFA08TB120SL-M3 | 0.8286 | ![]() | 3249 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | HFA08 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 4.3 V @ 16 A | 95 ns | 10 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | G3S12006B | - | ![]() | 2075 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | - | 供应商不确定 | 4436-G3S12006B | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 14A(DC) | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | SS12P4CHM3/86A | - | ![]() | 7803 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS12P4 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 6a | 520 mv @ 6 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | FEPB16JT-E3/45 | 1.7800 | ![]() | 323 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FEPB16 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 8a | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRL3045CT | 0.4910 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBRL3045CTTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 530 mv @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | G3S12010BM | - | ![]() | 9513 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | - | 供应商不确定 | 4436-G3S12010BM | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 19.8A(DC) | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | MDD950-14N1W | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | MDD950 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1400 v | 950a | 880 mv @ 500 A | 18 µs | 50 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | MBD4448HSDW REG | - | ![]() | 1074 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 标准 | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MBD444448HSDWREGTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2对系列连接 | 57 v | 250mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 NA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | NTE623 | 1.4300 | ![]() | 284 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE623 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 3a | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | RBQ10BGE65ATL | 1.4500 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ10 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 65 v | 10a | 690 mv @ 5 a | 70 µA @ 65 V | 150°C | |||
![]() | RB218T-30NZC9 | 1.5400 | ![]() | 990 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB218 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 20a | 720 MV @ 10 A | 5 µA @ 30 V | 150°C |
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