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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 86CNQ200SL | 17.4777 | ![]() | 4759 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | PRM2-SL | 86cnq | 肖特基 | PRM2-SL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 86CNQ200SLSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 40a | 1.14 V @ 40 A | 1.1 ma @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | VS-10AWT10-E3 | - | ![]() | 3628 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 10AWT10 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||
![]() | JANTX1N6660CCT1 | - | ![]() | 4435 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/608 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) | 1N6660 | 肖特基 | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 750 MV @ 15 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | BAV70 | 0.0300 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | MBR10200FCT | 0.2890 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBR10200 | 肖特基 | ITO-220AB | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBR10200FCTSTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 950 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | PD260MYN18 | 150.0000 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1800 v | 260a | 1.24 V @ 750 A | 10 ma @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | RB085T-40HZC9 | 0.9500 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB085 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 12.3 ns | 200 µA @ 40 V | 150°C (最大) | ||
![]() | MBRB20200CT | 0.3580 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 肖特基 | TO-263 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBRB20200CTSTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 950 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | MBRS2550CTHMNG | - | ![]() | 4995 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS2550 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 25a | 900 mv @ 25 A | 200 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR400200CT | 98.8155 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR400200 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 200a | 920 MV @ 200 A | 3 ma @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBRF10H150CT | - | ![]() | 5020 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 970 mv @ 10 A | 5 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | NRVBD660CTT4 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | |||||||||||||||
![]() | V30D60CHM3_A/i | 1.0720 | ![]() | 1345 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | V30D60 | 肖特基 | TO-263AC(SMPD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 700 MV @ 15 A | 1.2 ma @ 60 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBR20200PT | 0.7430 | ![]() | 180 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 肖特基 | TO-247 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBR20200PTTR | Ear99 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 900 mv @ 10 a | 10 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | UG18DCT-5410HE3/45 | - | ![]() | 7584 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | UG18 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 18a | 1.1 V @ 9 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBR200150CTR | 90.1380 | ![]() | 1591年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 100a | 880 mv @ 100 a | 3 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | VIT3060C-E3/4W | 0.6326 | ![]() | 6685 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VIT3060 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VIT3060C-E3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 700 MV @ 15 A | 1.2 ma @ 60 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | STPR1620 | 0.7588 | ![]() | 6481 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPR16 | 标准 | TO220AB(wx类型) | 下载 | 到达不受影响 | 31-STPR1620 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 1.1 V @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | RBR30NS60AFHTL | 1.5700 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR30 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 670 mv @ 15 A | 600 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||
![]() | G3S12040B | 46.4400 | ![]() | 4306 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 64.5A(DC) | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | ST3060A | 63.3000 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | ST3060 | 标准 | TO-204AA(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-ST3060A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 30a | 5 µs | 25 µA @ 600 V | - | ||||
![]() | SBT20120LCT_T0_00001 | 0.9200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBT20120 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 820 mv @ 10 a | 20 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MSCD120-12 | - | ![]() | 1036 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D1 | 标准 | D1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 120a | 1.43 V @ 300 A | 6 ma @ 1200 V | ||||||
![]() | SDT20120CT | 0.7124 | ![]() | 4224 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SDT20120 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SDT20120CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 880 mv @ 10 a | 80 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | VS-U5FX120FA120 | 24.4400 | ![]() | 138 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | VS-U5FX | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-U5FX120FA120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 60a(DC) | 3.33 V @ 60 A | 46 ns | 80 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | RF601BM2DFHTL | 1.1200 | ![]() | 2885 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RF601 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 6a | 930 MV @ 3 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||
![]() | FEPE16FT-E3/45 | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | FEPE16 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 16a | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | CDBH3-54A-HF | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-523 | CDBH3-54 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-CDBH3-54A-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200ma(dc) | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°c (最大) | ||
![]() | CDBV3-70S-G | - | ![]() | 5034 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 肖特基 | SOT-323 | - | 641-CDBV3-70S-GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | DSA70C100HB | - | ![]() | 4970 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSA70C100 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 35a | 920 MV @ 35 A | 450 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C |
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