SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
86CNQ200SL SMC Diode Solutions 86CNQ200SL 17.4777
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ECAD 4759 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 大部分 积极的 表面安装 PRM2-SL 86cnq 肖特基 PRM2-SL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 86CNQ200SLSMC Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 40a 1.14 V @ 40 A 1.1 ma @ 200 V -55°C 〜175°C
VS-10AWT10-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10AWT10-E3 -
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ECAD 3628 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 10AWT10 - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1
JANTX1N6660CCT1 Microsemi Corporation JANTX1N6660CCT1 -
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ECAD 4435 0.00000000 Microsemi Corporation 军事,MIL-PRF-19500/608 大部分 积极的 通过洞 TO-254-3,TO-254AA((TO-254AA)) 1N6660 肖特基 TO-254AA 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 750 MV @ 15 A 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
BAV70 Infineon Technologies BAV70 0.0300
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ECAD 125 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对普通阴极 70 v 200mA 1.25 V @ 150 mA 6 ns 5 µA @ 70 V 150°C (最大)
MBR10200FCTS Yangjie Technology MBR10200FCT 0.2890
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ECAD 100 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBR10200 肖特基 ITO-220AB - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBR10200FCTSTR Ear99 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 950 mv @ 5 a 100 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
PD260MYN18 KYOCERA AVX PD260MYN18 150.0000
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ECAD 5625 0.00000000 Kyocera avx - 大部分 积极的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1800 v 260a 1.24 V @ 750 A 10 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
RB085T-40HZC9 Rohm Semiconductor RB085T-40HZC9 0.9500
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ECAD 255 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RB085 肖特基 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 550 mv @ 5 a 12.3 ns 200 µA @ 40 V 150°C (最大)
MBRB20200CTS Yangjie Technology MBRB20200CT 0.3580
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ECAD 100 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 肖特基 TO-263 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBRB20200CTSTR Ear99 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 20a 950 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBRS2550CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2550CTHMNG -
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ECAD 4995 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRS2550 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 25a 900 mv @ 25 A 200 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR400200CT GeneSiC Semiconductor MBR400200CT 98.8155
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ECAD 5900 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR400200 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 200a 920 MV @ 200 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBRF10H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10H150CT -
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ECAD 5020 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF10 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 970 mv @ 10 A 5 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
NRVBD660CTT4 onsemi NRVBD660CTT4 0.4500
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ECAD 4 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500
V30D60CHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30D60CHM3_A/i 1.0720
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ECAD 1345 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V30D60 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 1.2 ma @ 60 V -40°C〜150°C
MBR20200PT Yangjie Technology MBR20200PT 0.7430
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ECAD 180 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 TO-247-3 肖特基 TO-247 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBR20200PTTR Ear99 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 20a 900 mv @ 10 a 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
UG18DCT-5410HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18DCT-5410HE3/45 -
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ECAD 7584 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG18 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR 90.1380
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ECAD 1591年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
VIT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3060C-E3/4W 0.6326
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ECAD 6685 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT3060 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VIT3060C-E3/4WGI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 1.2 ma @ 60 V -55°C〜150°C
STPR1620 Diodes Incorporated STPR1620 0.7588
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ECAD 6481 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 STPR16 标准 TO220AB(wx类型) 下载 到达不受影响 31-STPR1620 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 8a 1.1 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C
RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR30NS60AFHTL 1.5700
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ECAD 680 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RBR30 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 670 mv @ 15 A 600 µA @ 60 V 150°C (最大)
G3S12040B Global Power Technology-GPT G3S12040B 46.4400
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ECAD 4306 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 64.5A(DC) 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
ST3060A Microchip Technology ST3060A 63.3000
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ECAD 8193 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-204AA,TO-3 ST3060 标准 TO-204AA(TO-3) - 到达不受影响 150-ST3060A Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 600 v 30a 5 µs 25 µA @ 600 V -
SBT20120LCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBT20120LCT_T0_00001 0.9200
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ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBT20120 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 820 mv @ 10 a 20 µA @ 120 V -55°C〜150°C
MSCD120-12 Microsemi Corporation MSCD120-12 -
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ECAD 1036 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 底盘安装 D1 标准 D1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 120a 1.43 V @ 300 A 6 ma @ 1200 V
SDT20120CT Diodes Incorporated SDT20120CT 0.7124
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ECAD 4224 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SDT20120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SDT20120CTDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 880 mv @ 10 a 80 µA @ 120 V -55°C〜150°C
VS-U5FX120FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-U5FX120FA120 24.4400
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ECAD 138 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 VS-U5FX 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-U5FX120FA120 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 60a(DC) 3.33 V @ 60 A 46 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
RF601BM2DFHTL Rohm Semiconductor RF601BM2DFHTL 1.1200
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ECAD 2885 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RF601 标准 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 930 MV @ 3 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大)
FEPE16FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPE16FT-E3/45 -
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ECAD 8766 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEPE16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 16a 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C
CDBH3-54A-HF Comchip Technology CDBH3-54A-HF -
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ECAD 1256 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-523 CDBH3-54 肖特基 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-CDBH3-54A-HFTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大)
CDBV3-70S-G Comchip Technology CDBV3-70S-G -
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ECAD 5034 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 肖特基 SOT-323 - 641-CDBV3-70S-GTR Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对系列连接 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V -40°C〜150°C
DSA70C100HB IXYS DSA70C100HB -
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ECAD 4970 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA70C100 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 35a 920 MV @ 35 A 450 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库