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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VX20170CHM3/p | 1.1187 | ![]() | 5783 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 到达不受影响 | 112-VX20170CHM3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 170 v | 10a | 840 mv @ 10 a | 50 µA @ 170 V | -40°C〜175°C | |||||
![]() | v15km45chm3/h | 0.4719 | ![]() | 2471 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V15KM45CHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 5.4a | 600 MV @ 7.5 A | 350 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | |||||
![]() | V15K170CHM3/i | 0.7996 | ![]() | 4476 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V15K170CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 170 v | 3a | 900 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 170 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | v10km150chm3/i | 0.3666 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-v10km150chm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 3.5a | 1.08 V @ 5 A | 200 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | V30DM153CHM3/i | 1.9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | 肖特基 | TO-263AC(SMPD) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 960 mv @ 15 A | 100 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | |||||
![]() | V10P22CHM3/i | 0.4950 | ![]() | 1666年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V10P22CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 3.2a | 930 MV @ 5 A | 100 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | AS3D030120P2 | 9.2100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Anbon 半导体((Int'l) | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | AS3D03012 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4530-AS3D030120P2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 42a | 1.8 V @ 15 A | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | BAS70-06-HF | 0.0460 | ![]() | 4351 | 0.00000000 | comchip技术 | BAS70-XX-HF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-BAS70-06-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 200 na @ 50 V | -55°C〜125°C | ||
![]() | NDSH40120CDN | 19.4900 | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | NDSH40120 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 488-NDSH40120CDN | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20a | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | MDMA280P1600YD | 87.6000 | ![]() | 6888 | 0.00000000 | ixys | MDMA280P1600YD | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | Y4-M6 | MDMA280 | 标准 | Y4-M6 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-MDMA280P1600YD | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 280a | 1.14 V @ 280 A | 1 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | BAV99/8,235 | 1.0000 | ![]() | 8888 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | SOT-23 | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||||
BYV410X-600PQ | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | BYV410 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 20a | 1.75 V @ 16 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | ||||
![]() | WNS40H100CGQ | 0.6930 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | WNS40 | 肖特基 | TO-262 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 100 v | 20a | 710 MV @ 20 A | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | NTE534 | 24.0000 | ![]() | 4966 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE534 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 3对系列连接 | - | - | ||||||||
![]() | RB480SFTE61 | - | ![]() | 5700 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB480SFTE61TR | 过时的 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | RB480SGJTE61 | - | ![]() | 3709 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB480SGJTE61TR | 过时的 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | NTE528 | 29.1000 | ![]() | 2715 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE528 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 5系连接 | 30000 v | - | - | |||||||
![]() | NTE627 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE627 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 8a | 950 mv @ 6 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | NTE6251 | 6.8200 | ![]() | 186 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE6251 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 950 MV @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | NTE632 | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE632 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | RBQ20BM100AFHTL | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ20 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 690 mv @ 10 A | 200 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||
![]() | PMEG060T080CLPEZ | 0.7200 | ![]() | 1834年 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | PMEG060 | 肖特基 | CFP15B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 4a | 660 mv @ 4 a | 17 ns | 1.8 µA @ 60 V | 175°C | ||
![]() | PNE20080CPEZ | 0.9000 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | PNE20080 | 标准 | CFP15B | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 4a | 930 MV @ 4 A | 30 ns | 1 µA @ 200 V | 175°c (最大) | ||
DPG30C200pc-tub | 3.9800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | ixys | DPG30C200pc | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DPG30C200 | 标准 | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-DPG30C200pc-tub | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 1.26 V @ 15 A | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | DPJ50XS1800NA | 35.6460 | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ixys | DPJ50XS1800NA | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DPJ50XS1800 | 标准 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-DPJ50XS1800NA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1800 v | 25a | 6.99 V @ 25 A | 30 ns | 250 µA @ 1800 V | -40°C〜150°C | |
DPG30C300PC-TUB | 3.0790 | ![]() | 2351 | 0.00000000 | ixys | DPG30C300PC | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DPG30C300 | 标准 | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DPG30C300PC-TUB | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 15a | 1.26 V @ 15 A | 35 ns | 1 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | DHG100X650NA | 52.9360 | ![]() | 1377年 | 0.00000000 | ixys | DFE250x600NA | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DHG100 | 标准 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DHG100X650NA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 125a | 1.26 V @ 125 A | 80 ns | 3 ma @ 600 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | DSA10C150UC-TUB | - | ![]() | 4024 | 0.00000000 | ixys | DSA10C150UC | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DSA10C150 | 肖特基 | TO-252AA | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DSA10C150UC-TUB | Ear99 | 8541.10.0080 | 70 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 5a | 860 mv @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | FFB20UP20DN | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | D2PAK(TO-263) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.15 V @ 10 A | 40 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | MBRA3045NTU | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 肖特基 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 760 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 800 mv @ 30 a | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C |
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