SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VX20170CHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX20170CHM3/p 1.1187
RFQ
ECAD 5783 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 肖特基 TO-220AB 下载 到达不受影响 112-VX20170CHM3/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 170 v 10a 840 mv @ 10 a 50 µA @ 170 V -40°C〜175°C
V15KM45CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15km45chm3/h 0.4719
RFQ
ECAD 2471 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 到达不受影响 112-V15KM45CHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 5.4a 600 MV @ 7.5 A 350 µA @ 45 V -40°C〜175°C
V15K170CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K170CHM3/i 0.7996
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 到达不受影响 112-V15K170CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 170 v 3a 900 MV @ 7.5 A 50 µA @ 170 V -40°C〜150°C
V10KM150CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10km150chm3/i 0.3666
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-v10km150chm3/itr Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 3.5a 1.08 V @ 5 A 200 µA @ 150 V -40°C〜175°C
V30DM153CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM153CHM3/i 1.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 960 mv @ 15 A 100 µA @ 150 V -40°C〜175°C
V10P22CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P22CHM3/i 0.4950
RFQ
ECAD 1666年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-V10P22CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 3.2a 930 MV @ 5 A 100 µA @ 200 V -40°C〜175°C
AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2 9.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Anbon 半导体((Int'l) - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 AS3D03012 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4530-AS3D030120P2 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 42a 1.8 V @ 15 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
BAS70-06-HF Comchip Technology BAS70-06-HF 0.0460
RFQ
ECAD 4351 0.00000000 comchip技术 BAS70-XX-HF 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-BAS70-06-HFTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 5 ns 200 na @ 50 V -55°C〜125°C
NDSH40120CDN onsemi NDSH40120CDN 19.4900
RFQ
ECAD 7339 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 NDSH40120 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NDSH40120CDN Ear99 8541.10.0080 450 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 20a 1.75 V @ 20 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
MDMA280P1600YD IXYS MDMA280P1600YD 87.6000
RFQ
ECAD 6888 0.00000000 ixys MDMA280P1600YD 盒子 积极的 底盘安装 Y4-M6 MDMA280 标准 Y4-M6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-MDMA280P1600YD Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1600 v 280a 1.14 V @ 280 A 1 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
BAV99/8,235 NXP USA Inc. BAV99/8,235 1.0000
RFQ
ECAD 8888 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV99 标准 SOT-23 - rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 100 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
BYV410X-600PQ WeEn Semiconductors BYV410X-600PQ 1.3100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYV410 标准 TO-220F 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 20a 1.75 V @ 16 A 55 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大)
WNS40H100CGQ WeEn Semiconductors WNS40H100CGQ 0.6930
RFQ
ECAD 1458 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA WNS40 肖特基 TO-262 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) - 100 v 20a 710 MV @ 20 A 50 µA @ 100 V 150°C (最大)
NTE534 NTE Electronics, Inc NTE534 24.0000
RFQ
ECAD 4966 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 Rohs不合规 2368-NTE534 Ear99 8541.10.0080 1 - 3对系列连接 - -
RB480SFTE61 Rohm Semiconductor RB480SFTE61 -
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 846-RB480SFTE61TR 过时的 3,000
RB480SGJTE61 Rohm Semiconductor RB480SGJTE61 -
RFQ
ECAD 3709 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 846-RB480SGJTE61TR 过时的 3,000
NTE528 NTE Electronics, Inc NTE528 29.1000
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 底盘安装 模块 标准 - 下载 Rohs不合规 2368-NTE528 Ear99 8541.10.0080 1 - 5系连接 30000 v - -
NTE627 NTE Electronics, Inc NTE627 1.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 通过洞 TO-220-3 标准 TO-220 下载 rohs3符合条件 2368-NTE627 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 8a 950 mv @ 6 a 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C
NTE6251 NTE Electronics, Inc NTE6251 6.8200
RFQ
ECAD 186 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 标准 to-3p 下载 rohs3符合条件 2368-NTE6251 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 30a 950 MV @ 15 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C
NTE632 NTE Electronics, Inc NTE632 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准 SOT-23 下载 Rohs不合规 2368-NTE632 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 75 v 150mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -65°C〜150°C
RBQ20BM100AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20BM100AFHTL 2.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBQ20 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 690 mv @ 10 A 200 µA @ 100 V 150°C (最大)
PMEG060T080CLPEZ Nexperia USA Inc. PMEG060T080CLPEZ 0.7200
RFQ
ECAD 1834年 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn PMEG060 肖特基 CFP15B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4a 660 mv @ 4 a 17 ns 1.8 µA @ 60 V 175°C
PNE20080CPEZ Nexperia USA Inc. PNE20080CPEZ 0.9000
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn PNE20080 标准 CFP15B 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 4a 930 MV @ 4 A 30 ns 1 µA @ 200 V 175°c (最大)
DPG30C200PC-TUB IXYS DPG30C200pc-tub 3.9800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 ixys DPG30C200pc 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DPG30C200 标准 TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-DPG30C200pc-tub Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 15a 1.26 V @ 15 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
DPJ50XS1800NA IXYS DPJ50XS1800NA 35.6460
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 ixys DPJ50XS1800NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 DPJ50XS1800 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-DPJ50XS1800NA Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1800 v 25a 6.99 V @ 25 A 30 ns 250 µA @ 1800 V -40°C〜150°C
DPG30C300PC-TUB IXYS DPG30C300PC-TUB 3.0790
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 ixys DPG30C300PC 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DPG30C300 标准 TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DPG30C300PC-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 15a 1.26 V @ 15 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C
DHG100X650NA IXYS DHG100X650NA 52.9360
RFQ
ECAD 1377年 0.00000000 ixys DFE250x600NA 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 DHG100 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DHG100X650NA Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 125a 1.26 V @ 125 A 80 ns 3 ma @ 600 V -40°C〜150°C
DSA10C150UC-TUB IXYS DSA10C150UC-TUB -
RFQ
ECAD 4024 0.00000000 ixys DSA10C150UC 管子 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DSA10C150 肖特基 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSA10C150UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 860 mv @ 5 a 100 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
FFB20UP20DN Fairchild Semiconductor FFB20UP20DN 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 D2PAK(TO-263) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.15 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MBRA3045NTU Fairchild Semiconductor MBRA3045NTU -
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 肖特基 to-3p 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.10.0080 760 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 800 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库