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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FFA20U120DNTU | 2.1000 | ![]() | 572 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20a | 3.5 V @ 20 A | 120 ns | 20 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | FFA20U20DNTU | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 1.2 V @ 20 A | 40 ns | 20 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | WNS40H100CGQ | 0.6930 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | WNS40 | 肖特基 | TO-262 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 100 v | 20a | 710 MV @ 20 A | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||
BYV410X-600PQ | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | BYV410 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 20a | 1.75 V @ 16 A | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°c (最大) | ||||
![]() | NTE632 | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE632 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | NTE627 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE627 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 8a | 950 mv @ 6 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | NTE6251 | 6.8200 | ![]() | 186 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE6251 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 950 MV @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | NTE528 | 29.1000 | ![]() | 2715 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE528 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 5系连接 | 30000 v | - | - | |||||||
![]() | stth60w03cw | 3.0700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | stth60 | 标准 | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 30a | 1.45 V @ 30 A | 25 ns | 20 µA @ 300 V | 175°c (最大) | ||
![]() | SS10P3CL-M3/87A | 0.3884 | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS103 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 5a | 520 mv @ 5 a | 850 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | GI2401-E3/45 | 0.8186 | ![]() | 9145 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | GI2401 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 16a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | BYVF32-150HE3_A/p | 1.0725 | ![]() | 6799 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | BYVF32 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MBRF25H45CT-E3/45 | - | ![]() | 9689 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF25 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 640 mv @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | SB20H150CT-1E3/45 | - | ![]() | 8707 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | SB20H150 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBRB2050CT-E3/45 | - | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBRB2050CTHE3/45 | - | ![]() | 5610 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | SS10P4C-M3/86A | 0.9100 | ![]() | 6427 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS10P4 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 5a | 530 mv @ 5 a | 550 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SBR160-10J | - | ![]() | 3779 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | SBR160 | 肖特基 | TO-220毫升 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 16a | 850 mv @ 8 a | 200 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | BYQ28E-200/H,127 | 0.7600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | BYQ28 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||
![]() | BAS21AVD,135 | 0.4800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | BAS21 | 标准 | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 200 v | 200ma(dc) | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C (最大) | ||
![]() | DB3X313J0L | - | ![]() | 9354 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DB3X313 | 肖特基 | mini3-g3-b | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200mA | 550 mv @ 200 ma | 1.5 ns | 50 µA @ 30 V | 125°c (最大) | |||
![]() | BAV 99W H6327 | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAV 99 | 标准 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||
V40170PW-M3/4W | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3 | V40170 | 肖特基 | to-3pw | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 170 v | 20a | 950 mv @ 20 a | 250 µA @ 170 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | MBRT40080 | 98.7424 | ![]() | 5705 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MBRT40080GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 200a | 880 mv @ 200 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MSRTA500100A | 101.4000 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA500100 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1000 v | 500A(DC) | 1.2 V @ 500 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MSRTA50080A | 101.4000 | ![]() | 4781 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA50080 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 800 v | 500A(DC) | 1.2 V @ 500 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR30040CT | 118.4160 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30040CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 150a | 1.5 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | BAS16VY,135 | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAS16 | 标准 | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 100 v | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | VS-VSKD270-08 | - | ![]() | 4327 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 3-magn-a-pak™ | VSKD270 | 标准 | Magn-A-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 270a | ||||||
![]() | VS-MURB1620CTTRRP | - | ![]() | 5517 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb1620 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C |
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