SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
SBR0330CW-7 Diodes Incorporated SBR0330CW-7 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 二极管合并 SBR® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 SBR0330 超级障碍 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对普通阴极 30 V 150mA 580 mv @ 200 ma 5 µA @ 30 V -65°C〜150°C
MBR6150FCT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR6150FCT_T0_00001 0.7695
RFQ
ECAD 1887年 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 MBR6150 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-MBR6150FCT_T0_001 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 900 mv @ 3 a 50 µA @ 150 V -65°C〜175°C
BAW56S-QF Nexperia USA Inc. BAW56S-QF 0.0519
RFQ
ECAD 3056 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAW56 标准 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1727-BAW56S-QFTR Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2对公共阳极 90 v 250mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C
V15K202C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K202C-M3/h 0.6542
RFQ
ECAD 5297 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 到达不受影响 112-V15K202C-M3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 3a 900 MV @ 7.5 A 50 µA @ 200 V -40°C〜150°C
RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR30NS60AFHTL 1.5700
RFQ
ECAD 680 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB RBR30 肖特基 LPD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 670 mv @ 15 A 600 µA @ 60 V 150°C (最大)
RF601BM2DFHTL Rohm Semiconductor RF601BM2DFHTL 1.1200
RFQ
ECAD 2885 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RF601 标准 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 930 MV @ 3 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大)
CDBH3-54A-HF Comchip Technology CDBH3-54A-HF -
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SOT-523 CDBH3-54 肖特基 SOT-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-CDBH3-54A-HFTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 30 V 200ma(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大)
ST3060A Microchip Technology ST3060A 63.3000
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-204AA,TO-3 ST3060 标准 TO-204AA(TO-3) - 到达不受影响 150-ST3060A Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 600 v 30a 5 µs 25 µA @ 600 V -
VS-U5FX120FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-U5FX120FA120 24.4400
RFQ
ECAD 138 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 VS-U5FX 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-U5FX120FA120 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 60a(DC) 3.33 V @ 60 A 46 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
FEPE16FT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPE16FT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8766 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEPE16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 16a 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜150°C
SDT20120CT Diodes Incorporated SDT20120CT 0.7124
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SDT20120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SDT20120CTDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 880 mv @ 10 a 80 µA @ 120 V -55°C〜150°C
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR 90.1380
RFQ
ECAD 1591年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR200150 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 150 v 100a 880 mv @ 100 a 3 ma @ 150 V -55°C〜150°C
VIT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3060C-E3/4W 0.6326
RFQ
ECAD 6685 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VIT3060 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VIT3060C-E3/4WGI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 1.2 ma @ 60 V -55°C〜150°C
MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A02 50.2485
RFQ
ECAD 2903 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MUR2X120 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2独立 200 v 120a 1 V @ 120 A 25 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
MMBD452_R1_00001 Panjit International Inc. MMBD452_R1_00001 0.0270
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBD452 肖特基 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,252,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对系列连接 30 V 200ma(dc) 600 mv @ 10 ma 200 na @ 25 V -55°C〜125°C
DHG20C600PB IXYS DHG20C600PB 3.1500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 DHG20 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 10a 2.37 V @ 10 A 35 ns 15 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FMET-24010 Sanken FMET-24010 -
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 桑肯 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 FMET-24 肖特基 TO-220F 下载 Rohs符合条件 1261-FMET-24010 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 40a 850 mv @ 20 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V10K60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K60C-M3/i 0.3368
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-V10K60C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4.6a 590 mv @ 5 a 900 µA @ 60 V -40°C〜150°C
VS-C5PH3012L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C5PH3012L-N3 3.2500
RFQ
ECAD 713 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 C5PH3012 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-C5PH3012L-N3 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.5 V @ 15 A 95 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
VX60M45C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60M45C-M3/p 1.0395
RFQ
ECAD 6380 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VX60M 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-VX60M45C-M3/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 620 MV @ 30 A 350 µA @ 45 V -40°C〜175°C
VX6060C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX6060C-M3/p 1.0395
RFQ
ECAD 5188 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 肖特基 TO-220AB 下载 到达不受影响 112-VX6060C-M3/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 30a 620 MV @ 30 A 3.5 ma @ 60 V -40°C〜150°C
V40PWM63C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PWM63C-M3/i 0.5580
RFQ
ECAD 6386 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 肖特基 Slimdpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-V40PWM63C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 740 mv @ 20 a 30 µA @ 60 V -40°C〜175°C
RBR15BM60AFHTL Rohm Semiconductor RBR15BM60AFHTL 1.3100
RFQ
ECAD 259 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBR15 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 580 mv @ 7.5 a 400 µA @ 60 V 150°C (最大)
DD82S10KHPSA1 Infineon Technologies DD82S10KHPSA1 -
RFQ
ECAD 5129 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 15 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 100 v 96a 1.55 V @ 300 A 40 mA @ 100 V -40°C〜150°C
SBR30A100CTFP Diodes Incorporated SBR30A100CTFP 1.3000
RFQ
ECAD 4866 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBR30 超级障碍 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 100 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MBRB2535CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2535CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB25 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
V4P22CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V4P22CHM3/h 0.7200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 2.8a 870 mv @ 2 a 50 µA @ 200 V -40°C〜175°C
MBR2X080A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A200 48.6255
RFQ
ECAD 5975 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 MBR2X080 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 80a 920 MV @ 80 A 3 ma @ 200 V -40°C〜150°C
SBR2040CT Diodes Incorporated SBR2040CT -
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SBR2040 超级障碍 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBR2040CTDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 530 mv @ 10 a 500 µA @ 40 V -65°C〜150°C
MDMA85P1600TG IXYS MDMA85P1600TG 31.0547
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDMA85 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1600 v 85a 1.17 V @ 85 A 200 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库