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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRA3045NTU | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 肖特基 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 760 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 800 mv @ 30 a | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||
![]() | FFA20U120DNTU | 2.1000 | ![]() | 572 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 20a | 3.5 V @ 20 A | 120 ns | 20 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | FFA20U20DNTU | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 1.2 V @ 20 A | 40 ns | 20 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | FFAF10U120DNTU | 1.4800 | ![]() | 360 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3 | 标准 | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 10a | 3.5 V @ 10 A | 100 ns | 10 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | FFPF06U20DNTU | 0.3300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 6a | 1.2 V @ 6 A | 35 ns | 6 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | RHRA1560CC | 2.6100 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | 标准 | to-3pn | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 15a | 2.1 V @ 15 A | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | MDMA425P1600PT-PC | 147.9679 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | MDMA425 | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MDMA425P1600PT-PC | 24 | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | SBS804-TL-E | 0.2200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | SOT-23-5薄,TSOT-23-5 | SBS804 | 肖特基 | 5-CPH | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 15 v | 1a | 400 mV @ 1 A | 15 ns | 500 µA @ 6 V | -55°C〜125°C | ||||
![]() | DFE240x600NA | 39.2000 | ![]() | 7897 | 0.00000000 | ixys | DFE240x600NA | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DFE240 | 标准 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 238-DFE240X600NA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 120a | 1.3 V @ 120 A | 80 ns | 3 ma @ 600 V | -40°C〜150°C | |
![]() | CMFD2004I BK | - | ![]() | 1003 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CMFD2004IBK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,000 | |||||||||||||||
![]() | FFP20UP20DNTU | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.15 V @ 10 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | fep16ft | 0.5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 16a | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBRP20035L | 11.7100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
![]() | FFPF10U20DNTU | 0.2500 | ![]() | 55 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.2 V @ 10 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | RURD1515 | 2.3200 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-218-3隔离选项卡,TO-218AC | 雪崩 | TO-218隔离 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 93 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | SN74S1056D | - | ![]() | 7454 | 0.00000000 | Texas Instruments | * | 大部分 | 积极的 | SN74S1056 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 52 | ||||||||||||||
![]() | RURD3050 | - | ![]() | 5836 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-218-3隔离选项卡,TO-218AC | 雪崩 | TO-218隔离 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 500 v | 30a | 1.5 V @ 30 A | 60 ns | 30 µA @ 500 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | SB007W03C-TB-E | 0.1000 | ![]() | 372 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | rurg3010cc | 2.8600 | ![]() | 768 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 雪崩 | TO-247 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 30a | 1 V @ 30 A | 50 ns | 500 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | rurg1520cc_nl | - | ![]() | 5962 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 雪崩 | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | SB0503EJ-Tr | 0.0700 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 1S2836(0)-t1b-a | 0.1500 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 1S2836 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | BAS40-04B5000 | 1.0000 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 120mA(DC) | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 30 V | 150°C | |||
![]() | BAS40-05/DG/B2235 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BAS40 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||
![]() | HSU119-2TRF-E | 0.1400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | BAS70-06B5003 | 0.0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS70 | 肖特基 | PG-SOT23-3-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 na @ 50 V | 150°C | |||
![]() | 1S2076JTD | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 1S2076 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||
![]() | BAS70-5 | 1.0000 | ![]() | 9868 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | BAS70 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | ||||||||||||||
![]() | 1S2076TA-E | 0.1000 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 1S2076 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||
![]() | BAS7006B5003 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS7006 | 肖特基 | PG-SOT23 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) |
每日平均RFQ量
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