电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SBR0330CW-7 | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | SBR0330 | 超级障碍 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 30 V | 150mA | 580 mv @ 200 ma | 5 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | MBR6150FCT_T0_00001 | 0.7695 | ![]() | 1887年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MBR6150 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-MBR6150FCT_T0_001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 6a | 900 mv @ 3 a | 50 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | BAW56S-QF | 0.0519 | ![]() | 3056 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAW56 | 标准 | 6-TSSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BAW56S-QFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2对公共阳极 | 90 v | 250mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C | ||
![]() | V15K202C-M3/h | 0.6542 | ![]() | 5297 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V15K202C-M3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 3a | 900 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | RBR30NS60AFHTL | 1.5700 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBR30 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 670 mv @ 15 A | 600 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||
![]() | RF601BM2DFHTL | 1.1200 | ![]() | 2885 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RF601 | 标准 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 6a | 930 MV @ 3 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||
![]() | CDBH3-54A-HF | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-523 | CDBH3-54 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-CDBH3-54A-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200ma(dc) | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°c (最大) | ||
![]() | ST3060A | 63.3000 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | ST3060 | 标准 | TO-204AA(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-ST3060A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 30a | 5 µs | 25 µA @ 600 V | - | ||||
![]() | VS-U5FX120FA120 | 24.4400 | ![]() | 138 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | VS-U5FX | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-U5FX120FA120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 60a(DC) | 3.33 V @ 60 A | 46 ns | 80 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | FEPE16FT-E3/45 | - | ![]() | 8766 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | FEPE16 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 16a | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | SDT20120CT | 0.7124 | ![]() | 4224 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SDT20120 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SDT20120CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 880 mv @ 10 a | 80 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBR200150CTR | 90.1380 | ![]() | 1591年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR200150 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 100a | 880 mv @ 100 a | 3 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | VIT3060C-E3/4W | 0.6326 | ![]() | 6685 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VIT3060 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VIT3060C-E3/4WGI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 700 MV @ 15 A | 1.2 ma @ 60 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MUR2X120A02 | 50.2485 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 200 v | 120a | 1 V @ 120 A | 25 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | MMBD452_R1_00001 | 0.0270 | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBD452 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,252,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200ma(dc) | 600 mv @ 10 ma | 200 na @ 25 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | DHG20C600PB | 3.1500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | DHG20 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 10a | 2.37 V @ 10 A | 35 ns | 15 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | FMET-24010 | - | ![]() | 5534 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FMET-24 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | 1261-FMET-24010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 40a | 850 mv @ 20 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | V10K60C-M3/i | 0.3368 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V10K60C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 4.6a | 590 mv @ 5 a | 900 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | VS-C5PH3012L-N3 | 3.2500 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | C5PH3012 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-C5PH3012L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.5 V @ 15 A | 95 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VX60M45C-M3/p | 1.0395 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | VX60M | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VX60M45C-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 620 MV @ 30 A | 350 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | VX6060C-M3/p | 1.0395 | ![]() | 5188 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 到达不受影响 | 112-VX6060C-M3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 620 MV @ 30 A | 3.5 ma @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | V40PWM63C-M3/i | 0.5580 | ![]() | 6386 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-V40PWM63C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 740 mv @ 20 a | 30 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | RBR15BM60AFHTL | 1.3100 | ![]() | 259 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR15 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 580 mv @ 7.5 a | 400 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||
![]() | DD82S10KHPSA1 | - | ![]() | 5129 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 100 v | 96a | 1.55 V @ 300 A | 40 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | SBR30A100CTFP | 1.3000 | ![]() | 4866 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR30 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 800 mv @ 15 A | 100 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBRB2535CT-E3/81 | - | ![]() | 4657 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB25 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 15a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | V4P22CHM3/h | 0.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 2.8a | 870 mv @ 2 a | 50 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | MBR2X080A200 | 48.6255 | ![]() | 5975 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 80a | 920 MV @ 80 A | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | SBR2040CT | - | ![]() | 6395 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBR2040 | 超级障碍 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SBR2040CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 20a | 530 mv @ 10 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MDMA85P1600TG | 31.0547 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | TO-240AA | MDMA85 | 标准 | TO-240AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 85a | 1.17 V @ 85 A | 200 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库