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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DA3X101F0L | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DA3X101 | 标准 | mini3-g3-b | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 3 ns | 100 na @ 80 V | 150°C (最大) | |||
![]() | FEPB6DTHE3/45 | - | ![]() | 1568年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FEPB6 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 6a | 975 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF12020R | - | ![]() | 6666 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 60a | 700 mv @ 60 a | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR2045CT | 0.8100 | ![]() | 9342 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 20a | 600 mv @ 10 a | 200 na @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | SBR30100CT | - | ![]() | 3679 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBR30100 | 超级障碍 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SBR30100CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 850 MV @ 15 A | 100 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | MBR10200CT | - | ![]() | 5561 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR10200 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达受影响 | MBR10200CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 910 MV @ 5 A | 100 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VS-VSKJS409/150 | 87.7100 | ![]() | 9753 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | VSKJS409 | 肖特基 | Add-a-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSVSKJS409150 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 200a | 1.03 V @ 200 A | 6 mA @ 150 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | BAV70LT3G | 0.1400 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 100 v | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRB30150CTH-TP | 0.9264 | ![]() | 7802 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB30150 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | 353-MBRB30150CTH-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 30a | 850 MV @ 15 A | 10 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | MBRS15H45CTH | 0.6928 | ![]() | 4461 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS15 | 肖特基 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRS15H45CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 800 mv @ 15 A | 30 µA @ 45 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | V8K202DUHM3/h | 0.3663 | ![]() | 9416 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | 到达不受影响 | 112-V8K202DUHM3/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 1.8a | 920 MV @ 4 A | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | VS-VSKD270-30PBF | 208.9800 | ![]() | 9192 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 3-magn-a-pak™ | VSKD270 | 标准 | Magn-A-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSVSKD27030PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 3000 v | 135a | 50 mA @ 3000 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBR40035CT | 98.8155 | ![]() | 9670 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR40035 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1058 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 200a | 700 mv @ 200 a | 1 mA @ 35 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | FRF10A20 | 0.6300 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | TO-220完整数 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 200 v | 10a | 980 mv @ 5 a | 35 ns | 20 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | VS-C4ZU6006FP-M3 | 2.7600 | ![]() | 3952 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | to-3pf | C4ZU6006 | 标准 | to-3pf | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-C4ZU6006FP-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1对普通阴极 | 600 v | 30a | 1.97 V @ 50 A | 70 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | MBR2X080A045 | 53.8500 | ![]() | 158 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X080 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1301 | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 80a | 700 mv @ 80 a | 1 mA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRL1060CTA-BP | - | ![]() | 7779 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-3 | MBRL1060 | 肖特基 | TO-220AB | - | 353-MBRL1060CTA-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 520 mv @ 5 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | DMA200X1600NA | 30.1800 | ![]() | 8859 | 0.00000000 | ixys | DMA200X1600NA | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DMA200 | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-DMA200X1600NA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 1600 v | 100a | 1.24 V @ 100 A | 200 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | MD120C08D1 | 18.4710 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | D1 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD120C08D1 | Ear99 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 120a | 1.35 V @ 300 A | 6 ma @ 800 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | MUR30040CT | 118.4160 | ![]() | 2350 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR30040 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30040CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 150a | 1.5 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | BAV70/ZL215 | - | ![]() | 6062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | |||
![]() | MUR30005CT | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR30005CTGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 150a | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | RBR10BM60ATL | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBR10 | 肖特基 | TO-252 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 650 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | 150°C | |||
![]() | VS-6CWQ06FNHM3 | 1.8800 | ![]() | 7123 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 6CWQ06 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS-6CWQ06FNHM3GI | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3.5a | 610 MV @ 3 A | 2 ma @ 60 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | BAS70-04W-QF | 0.0434 | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS70 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BAS70-04W-QFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | 150°C | |||
![]() | VI30100CHM3/4W | - | ![]() | 3498 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VI30100 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 800 mv @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | mbrf30l45cth | 1.1409 | ![]() | 5210 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF30 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-mbrf30l45cth | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 740 mv @ 30 a | 400 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | Murta20020r | 145.3229 | ![]() | 4700 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta20020 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | RB088BGE-60TL | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB088 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 830 mv @ 5 a | 3 µA @ 60 V | 150°C | |||
![]() | MBR40200PT-BP | 1.4687 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR40200 | 肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 353-MBR40200PT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 40a | 910 MV @ 20 A | 50 µA @ 200 V | -55°C〜150°C |
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