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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
BAT54C，235	1.0000	RFQ	2481	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基	SOT-23	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
BAV170/DG/B3215	-	RFQ	2442	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						下载						0000.00.0000	1
GHXS050B120S-D3	54.3400	RFQ	6	semiq	-	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GHXS050	SIC （碳化硅）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1560-GHXS050B120S-D3	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）	2独立	1200 v	101A（DC）	1.7 V @ 50 A	0 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
GHXS050B065S-D3	33.7900	RFQ	8	semiq	-	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GHXS050	SIC （碳化硅）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1560-GHXS050B065S-D3	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）	2独立	650 v	95A（DC）	1.6 V @ 50 A	0 ns	125 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
GHXS100B120S-D3	82.3100	RFQ	29	semiq	-	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GHXS100	SIC （碳化硅）	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	1560-GHXS100B120S-D3	Ear99	8541.10.0080	10	没有恢复t> 500mA（IO）	2独立	1200 v	198a（DC）	1.7 V @ 100 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
bav23clt1g	-	RFQ	4391	Texas Instruments	*	大部分	积极的						下载						0000.00.0000	1
MBR4050PT	-	RFQ	2430	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3	MBR4050	肖特基	TO-247AD（TO-3P）	下载					Ear99	8541.10.0080	190	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	40a	720 mv @ 20 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
BAV170M315	0.0200	RFQ	480	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0070	1
IDW40G65C5B	-	RFQ	1531年	Infineon技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	pg-to247-3-41	下载					Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	650 v	20A（DC）	1.7 V @ 20 A	0 ns	210 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
PMEG4010CPA	-	RFQ	3949	Nexperia USA Inc.	*	大部分	积极的						下载					Ear99	8541.10.0080	1
BAS70-07E6327	-	RFQ	1363	Infineon技术	-	大部分	积极的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS70	肖特基	PG-SOT143-4	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
ISL9K3060G3	1.6300	RFQ	17	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		雪崩	TO-247	下载					Ear99	8541.10.0070	184	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	30a	2.4 V @ 30 A	45 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
BYV32E-100,127	0.5400	RFQ	12	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			Byv32			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000
1PS70SB86,115	0.1000	RFQ	234	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			1PS70			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
ffa60up20dntu	1.1600	RFQ	450	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准	to-3pn	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	30a	1.15 V @ 30 A	40 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
BAS28,235	0.0400	RFQ	746	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28	标准	SOT-143B	下载					Ear99	8541.10.0070	7,713	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
BAS70-07W	-	RFQ	6188	Infineon技术	-	大部分	积极的	表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS70	肖特基	PG-SOT343-4-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BYQ28E-200,127	0.2400	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BYQ28			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000
BAT54AW，115	0.0200	RFQ	18	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			BAT54			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
MBRP3045NTU	0.7000	RFQ	336	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3		肖特基	TO-220-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	650 mv @ 15 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜150°C
PMBD354,215	0.0800	RFQ	37	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			PMBD3			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BYV32E-150,127	-	RFQ	4003	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3	Byv32	标准	TO-220AB	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	20a	1.15 V @ 20 A	25 ns	30 µA @ 150 V	150°C （最大）
1PS70SB45,115	0.0300	RFQ	366	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的			1PS70			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000
BAW101E6433	0.1100	RFQ	20	Infineon技术	-	大部分	积极的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW101	标准	SOT143（SC-61）	下载					Ear99	8541.10.0070	2,623	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2独立	300 v	250ma（dc）	1.3 V @ 100 mA	1 µs	150 NA @ 250 V	150°C
RB218NS-40TL	1.5200	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RB218	肖特基	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	20a	770 mv @ 10 A		5 µA @ 40 V	150°C
RB238T-30NZC9	2.0100	RFQ	988	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB238	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	30 V	40a	750 mv @ 20 a		12 µA @ 30 V	150°C
RB238T150NZC9	2.8600	RFQ	792	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB238	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	40a	870 mv @ 20 a		30 µA @ 150 V	150°C
RB098BM-40TL	0.9400	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RB098	肖特基	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	6a	770 mv @ 3 a		1.5 µA @ 40 V	150°C
RB238T100NZC9	2.7600	RFQ	864	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB238	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	40a	860 mv @ 20 a		20 µA @ 100 V	150°C
RB218T-60NZC9	1.5400	RFQ	1	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB218	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	20a	830 MV @ 10 A		5 µA @ 60 V	150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²