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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
cmfsh-3i bk pbfree	-	RFQ	8639	中央半导体公司	-	大部分	过时的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		肖特基	SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CMFSH-3IBKPBFRE	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	30 V	100mA（dc）	1 V @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 V	-65°C〜150°C
BAW100G Tr tin/铅	-	RFQ	1268	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW100	标准	SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-BAW100GTRTIN/LEADTR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	250ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
BAW100G BK锡/铅	-	RFQ	5107	中央半导体公司	-	大部分	过时的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW100	标准	SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-BAW100GBKTIN/铅	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	250ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
cmfsh-3i tr pbfree	-	RFQ	5397	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		肖特基	SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-CMFSH-3ITRPBFREETR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	2独立	30 V	100mA（dc）	1 V @ 100 ma	5 ns	500 na @ 25 V	-65°C〜150°C
BAS28 bk锡/铅	-	RFQ	1057	中央半导体公司	-	大部分	过时的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAS28	标准	SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-BAS28BKTIN/LEAD	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	250ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
BAW100G TR PBFRE	-	RFQ	5364	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW100	标准	SOT-143	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-BAW100GTRPBFREETR	Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	75 v	250ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 75 V	-65°C〜150°C
KD160KB160	41.0400	RFQ	1255	Sanrex Corporation	-	托盘	积极的	底盘安装	模块		标准	-	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		4076-KD160KB160	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	1600 v	160a	1.35 V @ 500 A		30 ma @ 1600 V	-40°C〜150°C
DD171N12KAHPSA2	191.5900	RFQ	2078	Infineon技术	DD171N	托盘	积极的	底盘安装	模块	DD171N12	标准	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1200 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1200 V	150°C
VS-VS5HD480CW60	39.6700	RFQ	47	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的	底盘安装	TO-244AB	VS-VS5HD	标准	TO-244	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-VS5HD480CW60	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	448a（DC）	1.7 V @ 240 A	61 ns	1 ma @ 600 V	-40°C〜175°C
VS-U5FH120FA120	24.4000	RFQ	159	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	VS-U5FH	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-U5FH120FA120	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1200 v	60a（DC）	2.5 V @ 60 A	71 ns	80 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
VS-U5FX60FA60	21.9200	RFQ	160	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	VS-U5FX	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-U5FX60FA60	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	600 v	30A（DC）	2.1 V @ 30 A	57 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
VS-U5FX120FA120	24.4400	RFQ	138	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	VS-U5FX	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-U5FX120FA120	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	1200 v	60a（DC）	3.33 V @ 60 A	46 ns	80 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
VS-VS5HD600CW60	41.0400	RFQ	20	Vishay通用半导体 -二极管部门	Fredpt®	盒子	积极的	底盘安装	TO-244AB	VS-VS5HD	标准	TO-244	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-VS-VS5HD600CW60	Ear99	8541.10.0080	10	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	505a（DC）	1.7 V @ 300 A	78 ns	1 ma @ 600 V	-40°C〜175°C
DA228WMTL	0.4400	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SC-89，SOT-490	DA228	标准	EMD3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma		100 na @ 80 V	150°C
CPD30V-CMLD2838-WN	-	RFQ	3867	中央半导体公司	-	大部分	过时的	表面安装	死		标准	死	下载			到达不受影响	1514-CPD30V-CMLD2838-WN	Ear99	8541.10.0040	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜150°C
UFT3140D	63.7050	RFQ	5427	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3140D	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	400 v	30a	1.1 V @ 15 A	50 ns	15 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
UFT3250C	63.7050	RFQ	6659	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3250C	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	500 v	30a	1.2 V @ 15 A	60 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C
UFT5020A	94.8750	RFQ	2362	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT5020A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	200 v	50a	1 V @ 25 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
UFT3260A	94.8750	RFQ	2608	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3260A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	600 v	30a	1.2 V @ 15 A	60 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
STPF1020CTSW	0.5400	RFQ	40	二极管合并	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		标准	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-STPF1020CTSW	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	1.25 V @ 10 A	30 ns	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
STPR2040	1.0700	RFQ	48	二极管合并	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	STPR20	标准	TO220AB（wx类型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-STPR2040	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	10a	1.3 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
STPR2030	1.0700	RFQ	30	二极管合并	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	STPR20	标准	TO220AB（wx类型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	31-STPR2030	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	10a	1.3 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C
UFT3280C	94.8750	RFQ	8952	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3280C	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	800 v	30a	1.2 V @ 15 A	60 ns	15 µA @ 800 V	-65°C〜175°C
ST3010A	63.3000	RFQ	3686	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	100 v	15a	1.2 V @ 15 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C
UFT3230a	63.7050	RFQ	2566	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3230A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	300 v	30a	1.2 V @ 15 A	60 ns	15 µA @ 300 V	-65°C〜175°C
SBT3045C	62.1000	RFQ	2280	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3	SBT3045	肖特基	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-SBT3045C	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	30a	700 mv @ 30 a		1.5 ma @ 45 V	-65°C〜175°C
JANS1N7037CCU1	195.5700	RFQ	9660	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/730	大部分	积极的	表面安装	3-SMD，没有铅	1N7037	肖特基	U1（SMD-1）	-			到达不受影响	150-JANS1N7037CCU1	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	35a	1.22 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
ST3020A	63.3000	RFQ	5647	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3020	标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3020A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C
JAN1N4148UBCD	26.3700	RFQ	6996	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的	表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准	UBC	-			到达不受影响	150-JAN1N4148UBCD	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C
JAN1N4148UBCCC	26.3700	RFQ	6465	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的	表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准	UBC	-			到达不受影响	150-JAN1N4148UBCCC	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²