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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5293/tr | 18.7950 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5293 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5293/tr | 100 | 100V | 748µA | 1.15V | |||||
![]() | CD5284 | 19.2450 | ![]() | 3426 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5284 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 264µA | 1V | ||||
![]() | 1N7049-1/tr | 7.3650 | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 1N7049 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N7049-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||
![]() | jankca1n5290 | - | ![]() | 5196 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5290 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
![]() | JANTX1N5305UR-1/TR | 36.1950 | ![]() | 8520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5305 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5305UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | ||
![]() | CDLL5302/tr | 25.2900 | ![]() | 1601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5302/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||
![]() | Janhca1n5309 | - | ![]() | 5395 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5309 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | |||
![]() | JANTXV1N5301-1/TR | 36.5700 | ![]() | 3306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5301 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5301-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||
![]() | 1N5307 | 2.5000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5307 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2383-1N5307 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||
![]() | JANTXV1N5304UR-1/TR | 35.0201 | ![]() | 1964年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5304 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5304UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
![]() | SST504 SOT-23 3L ROHS | 7.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST504 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 50V | 900µA | 1.9V | ||
![]() | JANTX1N5308UR-1 | 38.2650 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97mA | 2.15V | ||
![]() | Jan1n5296-1/tr | 31.6650 | ![]() | 7215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5296 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5296-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.001mA | 1.29V | ||
![]() | CDS5305UR-1 | - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5305UR-1 | 50 | ||||||||||||||
![]() | Janhca1n5285 | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5285 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||
![]() | 1N5288/tr | 18.7950 | ![]() | 1991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5288 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5288/tr | 100 | 100V | 429µA | 1.05V | |||||
![]() | JANS1N5304-1 | 99.8700 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5304 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | |||
![]() | 1N5290/tr | 18.7950 | ![]() | 4010 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5290/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | ||
![]() | 1月1N5295-1 | 31.5150 | ![]() | 5777 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | ||
![]() | 1N5297UR-1 | 22.0350 | ![]() | 1262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1ma | 1.35V | ||||
![]() | 1N5300UR-1 | 22.0350 | ![]() | 9703 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5300 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43mA | 1.5V | ||||
![]() | 1N5298-1 | 21.6600 | ![]() | 9797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5298 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21ma | 1.4V | |||
![]() | 1N5286ur-1/tr | 22.0050 | ![]() | 1973 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5286ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V | ||
![]() | JANS1N5290-1 | 99.8700 | ![]() | 7031 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5290 | 500MW | do-7 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517µA | 1.05V | |||
![]() | JANS1N5312UR-1 | 131.4000 | ![]() | 5036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | |||
![]() | JANTX1N5289-1/TR | 34.1550 | ![]() | 2201 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N5289 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5289-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | ||
![]() | JANTXV1N5309UR-1 | 40.4100 | ![]() | 9260 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3mA | 2.25V | ||
![]() | SST500 SOT-23 3L | 4.1911 | ![]() | 9298 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SST500 | 350MW | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 400mv | |||||
![]() | JANS1N5295-1/TR | 100.0200 | ![]() | 3258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||
![]() | JANTXV1N5286UR-1/TR | 40.4100 | ![]() | 3386 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | - | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5286UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330µA | 1V |
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