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CG7985AAT	-	RFQ	8256	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	750
IS43TR81280BL-125KBLI	5.9578	RFQ	3111	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	800 MHz		易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
M34C02-LDW6TP	-	RFQ	1316	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M34C02	EEPROM		2.2v〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	8542.32.0051	4,000	400 kHz		非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	10ms
90Y4551-C	22.5000	RFQ	5416	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-90Y4551-C	Ear99	8473.30.5100	1
DS1314E	-	RFQ	5264	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	20-tssop （0.173“，4.40mm宽度）	DS1314			3v〜3.6V	20-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	74										非易失性公羊
CY7C1362S-166AJXC	-	RFQ	3132	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	CY7C1362	sram-同步，sdr		3.135v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz		易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT	-	RFQ	5850	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT28HL32					-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	270
CAT24C04WI-GT3JN	-	RFQ	2618	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CAT24C04	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	3,000	400 kHz		非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	512 x 8	i²c	5ms
03T6457-C	19.7500	RFQ	4558	刺	*	零售包	积极的									-	Rohs符合条件			4932-03T6457-C	Ear99	8473.30.5100	1
IDT71T75602S200BGGI	-	RFQ	9219	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BGA	IDT71T75	sram-同步，SDR（ZBT）		2.375V〜2.625V	119-PBGA（14x22）	下载		3（168））	到达不受影响	71T75602S200BGGI	3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz		易挥发的	18mbit	3.2 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
24C01CT/SN	0.3600	RFQ	6	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24C01C	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	24C01CT/SN-NDR	Ear99	8542.32.0051	3,300	400 kHz		非易失性	1kbit	3.5 µs	EEPROM	128 x 8	i²c	1.5ms
DS1211SN+	-	RFQ	8951	ADI/MAXIM集成	-	管子	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	DS1211			4.75V〜5.5V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	37										非易失性公羊
MT29F1G01AAADDH4-ITX：d	-	RFQ	1612	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G01	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260			非易失性	1Gbit		闪光	1G x 1	spi	-
MT29F2G08ABAEAWP：e	3.8500	RFQ	4	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G08	闪存-NAND		2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960			非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
71256L100DB	36.4561	RFQ	3270	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-55°C〜125°C（TA）	通过洞	28-CDIP （0.600英寸，15.24毫米）	71256L	sram-异步		4.5V〜5.5V	28-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A001A2C	8542.32.0041	13			易挥发的	256kbit	100 ns	SRAM	32K x 8	平行线	100ns
AT45DB161E-SSHFHC-T	2.7500	RFQ	2745	Adesto Technologies	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT45DB161	闪光		2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	85 MHz		非易失性	16mbit		闪光	528 x 4096页	spi	8µs，4ms
S25FS512SDSMFI010	7.5900	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	-	大部分	积极的									-				2156-S25FS512SDSMFI010			40
M30162040108X0ISAY	35.9217	RFQ	4915	Renesas Electronics America Inc	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	M30162040108	MRAM （磁磁性 RAM）		2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	800-M30162040108X0ISAY	Ear99	8542.32.0071	150	108 MHz		非易失性	16mbit		内存	4m x 4	-	-
XC1765EPDG8C	-	RFQ	8481	AMD	-	管子	过时的	0°C〜70°C	通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	XC1765E		未行业行业经验证	4.75V〜5.25V	8-pdip	下载		（1 （无限）	到达不受影响	122-1577-5	Ear99	8542.32.0071	50		OTP		65kb
AS6C1008-55PIN	4.3500	RFQ	745	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）	AS6C1008	sram-异步		2.7V〜5.5V	32-PDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	13			易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
M95160-FDW6TP	-	RFQ	1774年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	M95160	EEPROM		1.7V〜5.5V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	4,000	10 MHz		非易失性	16kbit		EEPROM	2k x 8	spi	5ms
M95020-MN6	-	RFQ	6340	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M95020	EEPROM		4.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	100	10 MHz		非易失性	2kbit		EEPROM	256 x 8	spi	5ms
7132SA35J	-	RFQ	3157	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	52-lcc（j-lead）	7132SA	sram-双端口，异步		4.5V〜5.5V	52-PLCC （19.13x19.13）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	24			易挥发的	16kbit	35 ns	SRAM	2k x 8	平行线	35ns
STK15C88-SF45TR	-	RFQ	8919	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.342“，8.69mm宽度）	STK15C88	NVSRAM（SRAM）		4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000			非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
MT46H128M16LFB7-5 AIT：b tr	-	RFQ	6013	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H128M16	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz		易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
24LC04B/SN	0.3400	RFQ	7347	微芯片技术	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	24LC04	EEPROM		2.5V〜5.5V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz		非易失性	4Kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8 x 2	i²c	5ms
CG8019AAT	-	RFQ	2827	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
IS43R16160F-5TLI	3.0344	RFQ	2438	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz		易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
AT24C02AN-10SI-1.8	-	RFQ	3630	微芯片技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AT24C02	EEPROM		1.8V〜5.5V	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0051	100	400 kHz		非易失性	2kbit	900 ns	EEPROM	256 x 8	i²c	5ms
IS42S32800D-6B-Tr	-	RFQ	7302	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram		3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

内存（（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²