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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BUK9516-75B，127	-	RFQ	4511	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	67A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	35 NC @ 5 V	±15V	4034 PF @ 25 V	-	157W（TC）
PN3646	-	RFQ	5608	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN364				350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																				15 v	300 MA							500NA	NPN	500mv @ 3mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	-
DTC123TKAT146	0.2500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123				200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma							500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	2.2 kohms
IRFS4115Trl7pp	4.0300	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS4115			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
uml6ntr	0.5300	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UML6				120兆	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				12 v	500 MA							100NA（ICBO）	NPN +二极管（隔离）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	320MHz
TSM280NB06LCR RLG	1.4800	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM280			MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	（7a ta），28a tc（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	969 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
ZTX450STOB	-	RFQ	3728	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	e-line-3，形成的铅	ZTX450				1 w	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																				45 v	1 a							100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	150MHz
IRFB3004GPBF	-	RFQ	7476	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001563908	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
2SAR513PT100	1.0600	RFQ	279	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR513				2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																				50 V	1 a							1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	400MHz
2SA2088T106Q	0.3800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA2088				200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																				60 V	500 MA							1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，2V	400MHz
2SD1766-R	0.0360	RFQ	100	Yangjie技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆	SOT-89	-	Rohs符合条件		到达不受影响	4617-2SD1766-RTR	Ear99		1,000																				32 v	1 a							1µA（ICBO）	NPN	800mv @ 200mA，2a	180 @ 500mA，3v	100MHz
PSMN7R6-100BSEJ	2.9800	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN7R6			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	75A（TJ）	10V	7.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	128 NC @ 10 V	±20V	7110 PF @ 50 V	-	296W（TC）
BC182L_D74Z	-	RFQ	1858年	Onmi	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC182				350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																				50 V	100 ma							15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	150MHz
BDV64BG	3.0100	RFQ	207	Onmi	-	管子	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	BDV64				125 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																				100 v	10 a							1ma	pnp-达灵顿	2V @ 20mA，5a	1000 @ 5A，4V	-
NDS8435A	0.8300	RFQ	129	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	7.9a（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 7.9a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
MCAC40N03A-TP	0.5900	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCAC40			MOSFET （金属 o化物）		DFN5060	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	40a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 15 V	-	35W
PHB27NQ10T，118	1.4400	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB27NQ10			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						100 v	28a（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	107W（TC）
SIRA00DP-T1-RE3	0.7903	RFQ	2197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira00			MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	+20V，-16V	11700 PF @ 15 V	-	104W（TC）
FGP20N6S2	-	RFQ	8370	Onmi	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FGP2	标准			125 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				390V，7a，25ohm，15V															-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
BF 5020 E6327	-	RFQ	6162	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF 5020		800MHz	MOSFET		PG-SOT-143-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25mA		10 MA	-	26dB											1.2dB									5 v
DMG4812SSS-13	-	RFQ	6382	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMG4812			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	8a（8a）	4.5V，10V	15mohm @ 10.7a，10v	2.3V @ 250µA	18.5 NC @ 10 V	±12V	1849 pf @ 15 V	（（（）	1.54W（TA）
DTC124SA-BP	-	RFQ	2334	微商业公司	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3	DTC124				300兆	TO-92S	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-DTC124ESA-BP	Ear99	8541.21.0075	1,000																				50 V	100 ma							500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
2N3501U4	120.9502	RFQ	9400	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅					1 w	U4	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				150 v	300 MA							50NA（iCBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
TK39J60W5，S1VQ	12.2700	RFQ	3287	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK39J60			MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道						600 v	38.8A（TA）	10V	65mohm @ 19.4a，10v	3.7V @ 1.9mA	135 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	270W（TC）
IRF6665	-	RFQ	8745	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距sh				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SH	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	SP001554114	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道						100 v	4.2A（TA），19a （TC）	10V	62MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
BSP32,115	-	RFQ	5232	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP32				1.3 w	SOT-223	下载						0000.00.0000	1																				80 V	1 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 100mA，5V	100MHz
IRFU1010ZPBF	-	RFQ	2678	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
2C5679	9.6300	RFQ	1804年	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2C5679			1
BD680G	-	RFQ	5456	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD680				40 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																				80 V	4 a							500µA	pnp-达灵顿	2.5V @ 30mA，1.5a	750 @ 1.5A，3V	-
AON6244	-	RFQ	1269	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，平面线	aon62			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	（15A）（ta），85a tc）	4.5V，10V	4.7mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	4610 PF @ 30 V	-	2.3W（TA），83W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²