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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
APT24F50	-	RFQ	8394	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT24F50		MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	24A（TC）	10V	240mohm @ 11a，10v	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±30V	3630 PF @ 25 V	-	335W（TC）
KST5551MTF	1.0000	RFQ	4546	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST55			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																			160 v	600 MA			50NA（iCBO）			NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
G080N10M	2.0300	RFQ	9611	戈福德半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263	下载	Rohs符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0000	1,000		n通道					100 v	180a（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	107 NC @ 4.5 V	±20V	13950 pf @ 50 V	-	370W（TC）
ISL9V3040D3ST-R4940	1.0000	RFQ	5008	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				5,000
jankccg2n3500	-	RFQ	9141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCG2N3500			100																			150 v	300 MA			10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
FDDF80R12W1H3B52BOMA1	27.6100	RFQ	672	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
DMG4435SSS-13	-	RFQ	8660	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	DMG4435		MOSFET （金属 o化物）			8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	7.3a（ta）	5V，20V	16mohm @ 11a，20v	2.5V @ 250µA	35.4 NC @ 10 V	±25V	1614 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
2SJ652	1.0000	RFQ	9717	Sanyo	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SJ652		MOSFET （金属 o化物）			TO-220毫升	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道					60 V	28a（28a）	4V，10V	38mohm @ 14a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 20 V	-	2W（TA），30W（TC）
NSVF22550WT1G	-	RFQ	5407	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-70，SOT-323	NSVF22			-		SC-70-3（SOT323）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-													15V	50mA						NPN		-	-			-
IXFT17N80Q	-	RFQ	3709	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft17		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					800 v	17a（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
2N4238	36.1627	RFQ	4333	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4238			1 w		到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	1 a			100NA			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 500mA，1V	-
TSM60N380CI C0G	1.1018	RFQ	2621	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60		MOSFET （金属 o化物）			ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±30V	1040 pf @ 100 V	-	125W（TC）
SI4634DY-T1-GE3	0.8080	RFQ	3654	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4634		MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	24.5A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
UF2805B	95.9852	RFQ	4378	MACOM技术解决方案	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	6L-FLG	UF2805	100MHz〜500MHz	ldmos			-	-				1465-UF2805B			1	n通道		1ma	50 mA	-	10dB											-					28 V
IRFF423	-	RFQ	3199	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					450 v	1.4A（TC）	10V	4ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	20W（TC）
APT50GT120JU3	-	RFQ	9563	微芯片技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素				347 w	标准	SOT-227	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	单身的																	沟渠场停止	1200 v	75 a	2.1V @ 15V，50a		5 ma	不	3.6 NF @ 25 V
SN910214N-P	-	RFQ	7203	Texas Instruments	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定			0000.00.0000	1
DMP3017SFG-7	-	RFQ	4199	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	DMP3017		MOSFET （金属 o化物）			PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道					30 V	11.5A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±25V	2246 pf @ 15 V	-	940MW（TA）
MRF5812G	-	RFQ	2881	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				1.25W		8-so	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0075	2,500						13db〜15.5dB													15V	200mA						NPN		50 @ 50mA，5V	5GHz			2DB〜3DB @ 500MHz
TK9A60D（sta4，Q，m）	2.0200	RFQ	49	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	9a（9a）	10V	830MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BC858C-AU_R1_000A1	0.0189	RFQ	5751	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101，BC856-AU	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858			330兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	120,000																			30 V	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	200MHz
ZTX657STZ	0.3682	RFQ	8748	二极管合并	-	（TB）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	e-line-3，形成的铅	ZTX657			1 w		to-92兼容）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																			300 v	500 MA			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，5v	30MHz
提示106 bp	-	RFQ	3557	微商业公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示106			80 W		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		353-tip106 bp	Ear99	8541.29.0095	5,000																			80 V	8 a			50µA			PNP	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
RFP30P06	-	RFQ	5898	Onmi	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	RFP30		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					60 V	30A（TC）		65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V		3200 PF @ 25 V	-
RZQ050P01TR	0.8800	RFQ	21	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	RZQ050		MOSFET （金属 o化物）			TSMT6（SC-95）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					12 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	±10V	2850 pf @ 6 V	-	600MW（TA）
pumb3h-qf	0.0319	RFQ	3831	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	pumb3			240MW		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1727-PUMB3H-QF	Ear99	8541.21.0095	10,000																			50V	100mA			100NA			2 PNP-）	100mv @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V	180MHz	4.7kohms	-
KSC945CYBU	-	RFQ	4695	Onmi	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC945			250兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																			50 V	150 ma			100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
FZT796ATC	-	RFQ	4961	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FZT796			2 w		SOT-223-3	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																			200 v	500 MA			100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 20mA，200mA	300 @ 10mA，10v	100MHz
BFQ18A，115	-	RFQ	8250	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BFQ18			1W		SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						-													18V	150mA						NPN		25 @ 100mA，10v	4GHz			-
BSZ033NE2LS5ATMA1	1.2600	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ033		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					25 v	18A（18A），40A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±16V	1230 pf @ 12 V	-	2.1W（TA），30W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²