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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BSC500N20NS3GATMA1	2.2400	RFQ	3221	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC500		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道				200 v	24A（TC）	10V	50mohm @ 22a，10v	4V @ 60µA	15 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 100 V	-	96W（TC）
IXZR16N60	-	RFQ	6904	ixys-rf	Z-MOS™	管子	过时的	600 v			TO-247-3		65MHz	MOSFET		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30	n通道		18a	350W	23dB											-
BUZ73LHXKSA1	-	RFQ	3660	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				200 v	7A（TC）	5V	400MOHM @ 3.5A，5V	2V @ 1mA		±20V	840 pf @ 25 V	-	40W（TC）
LC945p	0.8700	RFQ	59	Onmi	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	3（168））				0000.00.0000	1
AOT296L	1.0064	RFQ	6824	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT296		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				100 v	9.5A（TA），70A （TC）	6V，10V	10mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	2785 PF @ 50 V	-	2.1W（ta），107W（107W）TC）
TP65H150G4LSG-TR	5.4800	RFQ	2	移动	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	2-Powertsfn			ganfet（n化岩）		2-PQFN （8x8）	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				650 v	13A（TC）	10V	180mohm @ 8.5a，10v	4.8V @ 500µA	8 nc @ 10 V	±20V	598 PF @ 400 V	-	52W（TC）
SIHD2N80AE-GE3	0.5174	RFQ	1677年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD2		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2266-SIHD2N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				800 v	2.9a（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
TIP152-S	-	RFQ	9340	Bourns Inc.	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		TIP152S	Ear99	8541.29.0095	50																	400 v	7 a	250µA	npn-达灵顿	2V @ 250mA，5a	15 @ 7a，5v	-
BCR169SH6327XTSA1	-	RFQ	4267	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR169			250MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50V	100mA	-	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
aptm100u13sg	-	RFQ	6195	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	J3模块			MOSFET （金属 o化物）		模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1		n通道				1000 v	65A（TC）	10V	145mohm @ 32.5a，10v	4V @ 10mA	2000 NC @ 10 V	±30V	31600 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
PBHV9110DA-AU_R1_000A1	0.3500	RFQ	1	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PBHV9110			1.25 w	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000																	100 v	1 a	500NA（ICBO）	PNP	600mv @ 100mA，1a	140 @ 150mA，2V	100MHz
IPDD60R190G7XTMA1	3.2900	RFQ	167	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60		MOSFET （金属 o化物）		PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700		n通道				600 v	13A（TC）	10V	190MOHM @ 4.2A，10V	4V @ 210µA	18 nc @ 10 V	±20V	718 PF @ 400 V	-	76W（TC）
ICA30V01X1SA1	-	RFQ	4275	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000906842	过时的	0000.00.0000	1
STL125N8F7AG	2.9400	RFQ	5886	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道				80 V	120A（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	5570 pf @ 40 V	-	167W（TC）
2SB1495，Q （M	-	RFQ	9800	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SB1495			2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1																	100 v	3 a	10µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 1.5mA，1.5a	2000 @ 2a，2v	-
PXP8R3-20QXJ	0.7000	RFQ	7	Nexperia USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		MLPAK33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道				20 v	12.4A（TA），65.1a （TC）	2.5V，4.5V	8.3MOHM @ 12.3a，4.5V	1.25V @ 250µA	91.8 NC @ 4.5 V	±12V	6200 pf @ 10 V	-	1.8W（ta），50W（TC）
MMS8550HE3-L-TP	0.2700	RFQ	5	微商业公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMS8050			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	25 v	500 MA	100NA	PNP	600mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，1V	150MHz
DMT10H032SFVW-7	0.2279	RFQ	4930	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMT10H032SFVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道				100 v	35A（TC）	10V	32MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	544 pf @ 50 V	-	1.3W（TA）
IXTQ88N30P	12.0200	RFQ	3385	ixys	极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq88		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道				300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
irfz14pbf	1.2900	RFQ	63	Vishay Siliconix	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ14		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfz14pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	43W（TC）
BUK9516-75B，127	-	RFQ	4511	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				75 v	67A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	35 NC @ 5 V	±15V	4034 PF @ 25 V	-	157W（TC）
PN3646	-	RFQ	5608	Onmi	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN364			350兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																	15 v	300 MA	500NA	NPN	500mv @ 3mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	-
DTC123TKAT146	0.2500	RFQ	2	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123			200兆	SMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma	500NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	2.2 kohms
IRFS4115Trl7pp	4.0300	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS4115		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				150 v	105A（TC）	10V	11.8mohm @ 63a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5320 PF @ 50 V	-	380W（TC）
uml6ntr	0.5300	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UML6			120兆	UMT5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	12 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN +二极管（隔离）	250mv @ 10mA，200mA	270 @ 10mA，2V	320MHz
TSM280NB06LCR RLG	1.4800	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM280		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				60 V	（7a ta），28a tc（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	969 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
ZTX450STOB	-	RFQ	3728	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	e-line-3，形成的铅	ZTX450			1 w	to-92兼容）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																	45 v	1 a	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	150MHz
IRFB3004GPBF	-	RFQ	7476	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001563908	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
2SAR513PT100	1.0600	RFQ	279	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	2SAR513			2 w	MPT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																	50 V	1 a	1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 25mA，500mA	180 @ 50mA，2V	400MHz
2SA2088T106Q	0.3800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA2088			200兆	UMT3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	60 V	500 MA	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，100mA	120 @ 50mA，2V	400MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²