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晶体管（（102018）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
NE85639R-T1-A	-	RFQ	1581年	cel	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	NE85639		200MW		SOT-143R	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			13.5dB												12V	100mA					NPN		50 @ 20mA，10v	9GHz			1.5db〜2.1dB @ 1GHz
2N2481	6.0249	RFQ	2871	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N2481					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
ULN2803ADWR	-	RFQ	5137	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-		18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000															50V	500mA		-			8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
NSVBC124XDXV6T1G	0.1154	RFQ	3159	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSVBC124		500MW		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000															50V	100mA		500NA			2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 1mA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	22KOHMS	47kohms
UTV020	-	RFQ	5601	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	55英尺			17W		55英尺	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			12DB												25V	1.2a					NPN		10 @ 250mA，5V	470MHz〜860MHz			-
HCT700TXV	-	RFQ	1576年	tt电子/optek技术	-	托盘	过时的	-	表面安装	6-SMD，没有铅	HCT70		400MW			-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	25															50V，60V	800mA，600mA		10NA（ICBO）			NPN，PNP	1V @ 50mA，500mA	75 @ 1mA，10v	-
ATP201-V-TL-H	-	RFQ	9256	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	atpak （2+选项卡）	ATP201	-			Atpak	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		-			35A（TJ）		-	-				-	-
TW027Z65C，S1F	20.2700	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4		SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	58A（TC）	18V	38mohm @ 29a，18v	5V @ 3mA	65 NC @ 18 V	+25V，-10V	2288 PF @ 400 V	-	156W（TC）
PMBT3904MB315	-	RFQ	9930	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN			250兆		DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1															40 V	200 ma		500NA（ICBO）			NPN	200mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
RJK4512DPP-00＃t2	2.7500	RFQ	4966	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	107
FS820R08A6P2BPSA1	682.5000	RFQ	5956	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS820R08		714 w	标准	Ag-Hybridd-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器													沟渠场停止	750 v	820 a	1.35V @ 15V，450a	1 MA	是的	80 nf @ 50 V
HUF76439S3S	-	RFQ	1846年	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF76	MOSFET （金属 o化物）			d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	180W（TC）
ISP25DP06LMSATMA1	0.7500	RFQ	9604	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP25DP06	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		60 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	250MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 270µA	13.9 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），5W（tc）
2N3879	22.9600	RFQ	100	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3879		35 w		TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															75 v	7 a		4ma			NPN	1.2V @ 400mA，4a	40 @ 500mA，5V	-
AO4425	1.2100	RFQ	104	Alpha＆欧米茄半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AO44	MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		38 v	14A（TA）	10V，20V	10mohm @ 14a，20v	3.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±25V	3800 PF @ 20 V	-	3.1W（TA）
APT8020JFLL	42.6200	RFQ	8842	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT8020	MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	33A（TC）		220MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 2.5mA	195 NC @ 10 V		5200 PF @ 25 V	-
2N2218AJTX	1.0000	RFQ	7507	国家半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
NTE394	4.2900	RFQ	268	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			100 W		to-3pn	下载	rohs3符合条件			2368-NTE394	Ear99	8541.29.0095	1															400 v	3 a		1ma			NPN	1.5V @ 600mA，3a	30 @ 300mA，10v	-
PDTC123JEF115	0.0500	RFQ	22	飞利浦	*	大部分	积极的				PDTC123					下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	6,662
BCP68-QX	0.1257	RFQ	1693年	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			650兆		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1727-BCP68-QXTR	Ear99	8541.21.0095	1,000															20 v	2 a		100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	170MHz
DMA502010R	-	RFQ	4723	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	5-SMD，平坦的铅	DMA50201		150MW		smini5-f3-b	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000															50V	100mA		100µA			2 PNP （双）	500mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	150MHz
IPB015N04NGATMA1	4.5100	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB015	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	120A（TC）	10V	1.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 200µA	250 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 20 V	-	250W（TC）
IRL40B215	-	RFQ	1020	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL40B215	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	120A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 98A，10V	2.4V @ 100µA	84 NC @ 4.5 V	±20V	5225 pf @ 25 V	-	143W（TC）
irfu110pbf	1.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU110	MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfu110pbf	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
BUK7626-100B，118	1.5200	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	BUK7626	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	49A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	2891 PF @ 25 V	-	157W（TC）
BCX53-16/DG/B3115	0.0900	RFQ	52	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
kse13009ftu	0.3200	RFQ	82	Onmi	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-KSE13009FTU-488			1
BFP420H6801	0.2000	RFQ	49	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343			210MW		PG-SOT343-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			21dB												4.5V	60mA					NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz
CP618-CM5583-CT	-	RFQ	9809	中央半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死			-		死	-				1514-CP618-CM5583-CT	过时的		500			-												30V	500mA					PNP		25 @ 100mA，2V	1.3GHz			-
HFA3127B	1.0000	RFQ	9100	Intersil	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）			150MW		16-Soic	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0075	48			-												12V	65mA					5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz			3.5db @ 1GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（102018）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²