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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGA12N120A3-TRL	3.7617	RFQ	8949	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA12	标准	100 W		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga12n120a3-trltr	Ear99	8541.29.0095	25		960V，12a，10ohm，15V		pt	1200 v	22 a	60 a	3V @ 15V，12A	-	20.4 NC	35NS/62NS
IKN01N60RC2ATMA1	0.6800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IKN01N	标准	5.1 w		PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IKN01N60RC2ATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		400V，1A，49ONM，15V	59.5 ns	-	600 v	2.2 a	3 a	2.3V @ 15V，1A	25.1µJ（在）上，13.5µJ off）	9 NC	5.6NS/80NS
STGB6M65DF2	1.5900	RFQ	9189	Stmicroelectronics	m	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB6	标准	88 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		400V，6A，22OHM，15V	140 ns	沟渠场停止	650 v	12 a	24 a	2V @ 15V，6A	36µJ（在）（200µJ）上（OFF）	21.2 NC	15NS/90NS
APTGF25DDA120T3G	-	RFQ	4581	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3			208 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器			npt	1200 v	40 a		3.7V @ 15V，25a				250 µA	是的	1.65 NF @ 25 V
IRG7PH30K10DPBF	1.0000	RFQ	4174	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	180 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		600V，9A，22OHM，15V	140 ns	沟	1200 v	30 a	27 a	2.35V @ 15V，9a	530µJ（在）（380µJ）上	45 NC	14NS/110NS
STGWT60H65FB	5.2300	RFQ	393	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT60	标准	375 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，60a，5ohm，15V		沟渠场停止	650 v	80 a	240 a	2.3V @ 15V，60a	1.09mj（在）上（626µJ）off）	306 NC	51NS/160NS
IRG7CH42	-	RFQ	9742	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH					下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
HGT1S7N60C3D	0.9800	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准	60 W		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-	25 ns	-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	38 NC	-
STGWA15H120DF2	4.6800	RFQ	5842	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA15	标准	259 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		600V，15a，10ohm，15V	231 ns	沟渠场停止	1200 v	30 a	60 a	2.6V @ 15V，15a	（380µJ）（在370µJ上）	67 NC	23ns/111ns
CM150DY-34A	-	RFQ	3745	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			1600 w	标准	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥			-	1700 v	150 a		2.8V @ 15V，150a				1 MA	不	37 NF @ 10 V
IXGT39N60BD1	-	RFQ	1404	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT39	标准	200 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，39A，4.7OHM，15V	25 ns	-	600 v	76 a	152 a	1.7V @ 15V，39a	（4MJ））	110 NC	25NS/250NS
APT25GT120BRDQ2G	8.2300	RFQ	7574	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GT120	标准	347 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		800V，25a，5ohm，15V		npt	1200 v	54 a	75 a	3.7V @ 15V，25a	930µJ（在）上，720µJ（720µJ）	170 NC	14NS/150NS
RGTV00TS65DGC11	7.2700	RFQ	7101	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGTV00	标准	276 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		400V，50a，10ohm，15V	102 ns	沟渠场停止	650 v	95 a	200 a	1.9V @ 15V，50a	（1.17MJ）（在），940µJ降低）	104 NC	41NS/142NS
SIGC08T60EX1SA2	-	RFQ	3571	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC08	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	600 v	15 a	45 a	1.9V @ 15V，15a	-		-
IXGH20N140C3H1	-	RFQ	4108	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准	250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		700V，20A，5OHM，15V	70 ns	pt	1400 v	42 a	108 a	5V @ 15V，20A	1.35MJ（在）上，440µJ off）	88 NC	19NS/110NS
SIGC25T60SNCX1SA1	-	RFQ	2011	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC25	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		400V，30a，11ohm，15V		npt	600 v	30 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	-		44NS/324NS
FZ400R33KL2CB5NOSA1	-	RFQ	1991	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ400		4900 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	单身的			-	3300 v	750 a		3.65V @ 15V，400A				5 ma	不	48 nf @ 25 V
APTGT100TDU60PG	193.9500	RFQ	8047	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT100		340 w	标准	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三重，双重来源			沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a				250 µA	不	6.1 NF @ 25 V
SGP30N60	-	RFQ	9277	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP30N	标准	250 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，30a，11ohm，15V		npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
IRG4PC40UPBF	-	RFQ	3744	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，20A，10欧姆，15V		-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	150 NC	34NS/110NS
IRGS6B60KDTRLP	-	RFQ	7807	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS6B60	标准	90 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		400V，5A，100OHM，15V	70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
SGW10N60AFKSA1	-	RFQ	5466	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW10N	标准	92 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		400V，10a，25ohm，15V		npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
IRG4BC30F-SPBF	-	RFQ	2890	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	标准	100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		480V，17a，23ohm，15V		-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
HGT1S12N60C3D	1.2300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准	104 w		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-	40 ns	-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	-	62 NC	-
SGS6N60UFDTU	-	RFQ	3638	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SGS6N	标准	22 W		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		300V，3A，80OHM，15V	52 ns	-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
SIGC12T60SNCX7SA1	-	RFQ	6011	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC12	标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		400V，10a，25ohm，15V		npt	600 v	10 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	-		29NS/266NS
IRGR2B60KDTRLPBF	-	RFQ	5148	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR2B60	标准	35 w		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，2A，100OHM，15V	68 ns	npt	600 v	6.3 a	8 a	2.25V @ 15V，2A	（74µJ）（在），39µJ（（（（（）	12 nc	11NS/150NS
STGWT30HP65FB	2.2356	RFQ	7823	Stmicroelectronics	HB	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT30	标准	260 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		400V，30a，10ohm，15V	140 ns	沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（293µJ）（离）	149 NC	- /146ns
APTGT50H60T1G	65.4200	RFQ	7427	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT50		176 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器			沟渠场停止	600 v	80 a		1.9V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
AOKS40B65H2AL	2.0370	RFQ	7883	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alphaigbt™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOKS40	标准	260 w		TO-247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOKS40B65H2AL	Ear99	8541.29.0095	240		400V，40a，7.5Ohm，15V		-	650 v	80 a	120 a	2.6V @ 15V，40a	1.17MJ（在）上，540µJ off）	61 NC	30ns/117ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²