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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FP75R12N2T4BOSA1	188.0800	RFQ	9	Infineon技术	Econopim™2	托盘	在sic中停产	-	-	-	FP75R12			-	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-			-				-
IXGP20N120B3	6.7900	RFQ	9642	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP20	标准	180 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		600V，16A，15OHM，15V		pt	1200 v	36 a	80 a	3.1V @ 15V，16a	（920µJ）（在），560µJ（OFF）上）	51 NC	16NS/150NS
FP10R12YT3BOMA1	73.9025	RFQ	1845年	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计				FP10R12					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	20
IGW75N65H5XKSA1	6.7100	RFQ	334	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW75N65	标准	395 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，75A，8OHM，15V		沟	650 v	120 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.25mj（在）上，950µJ off）	160 NC	28NS/174NS
BSM50GD60DLCBOSA1	-	RFQ	3601	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G		250 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			-	600 v	70 a		2.45V @ 15V，50a				500 µA	不	2.2 NF @ 25 V
SGF40N60UFTU	-	RFQ	6500	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF40	标准	100 W		to-3pf	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	360		300V，20a，10ohm，15V		-	600 v	40 a	160 a	2.6V @ 15V，20A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	97 NC	15NS/65NS
SIGC03T60EX1SA1	-	RFQ	4906	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC03	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	600 v	4 a	12 a	1.9V @ 15V，4A	-		-
APT100GT60B2RG	-	RFQ	2914	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT100	标准	500 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，100A，4.3OHM，15V		npt	600 v	148 a	300 a	2.5V @ 15V，100a	3.25mj（在）上，3.125mj（OFF）	460 NC	40NS/320NS
IXYN50N170CV1	57.2400	RFQ	45	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn50	标准	880 w		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		850V，50a，1ohm，15V	255 ns	-	1700 v	120 a	485 a	3.7V @ 15V，50a	8.7mj（在）上，5.6mj（5.6MJ）	260 NC	22NS/236NS
HGTG15N120C3	3.9800	RFQ	577	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	164 w		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-		-	1200 v	35 a	120 a	3.5V @ 15V，15a	-	100 NC	-
APT68GA60LD40	11.3100	RFQ	4862	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT68GA60	标准	520 w		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，40a，4.7Ohm，15V	22 ns	pt	600 v	121 a	202 a	2.5V @ 15V，40a	（715µJ）（在607µJ上）	198 NC	21ns/133ns
IXGK72N60B3H1	19.2532	RFQ	8232	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK72	标准	540 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		480V，50a，3ohm，15v	140 ns	pt	600 v	75 a	450 a	1.8V @ 15V，60a	1.4mj（在）上，1MJ（1MJ）	225 NC	31ns/152ns
IXGA20N250HV	55.4786	RFQ	5301	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga20	标准	150 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXGA20N250HV	Ear99	8541.29.0095	50		-		-	2500 v	30 a	105 a	3.1V @ 15V，20A	-	53 NC	-
IX526112	21.7390	RFQ	6326	ixys	-	管子	积极的				IX5261					-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ix526112	Ear99	8541.29.0095	20
2PS24017E3CE32778NWSA1	-	RFQ	4962	Infineon技术	-	大部分	过时的									-			到达不受影响	448-2PS24017EE3CE32778NWSA1	Ear99	8541.29.0095	1
FGH40N60SFDTU	4.9500	RFQ	31	Onmi	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准	290 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10ohm，15V	45 ns	现场停止	600 v	80 a	120 a	2.9V @ 15V，40a	1.13mj（在）上，310µJ off）	120 NC	25NS/115NS
ixa4if1200uc-trl	1.5525	RFQ	7009	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXA4IF1200	标准	45 W		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		600V，3A，330OHM，15V	350 ns	pt	1200 v	9 a		2.1V @ 15V，3A	（400µJ）（在300µJ上）	12 nc	-
FP50R12N2T4B16BPSA1	183.9200	RFQ	2047	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15
IRG7PH42U-EP	3.4600	RFQ	12	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH42	标准	385 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		600V，30a，10ohm，15V	153 ns	沟	1200 v	90 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
VS-ETF150Y65U	-	RFQ	4463	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	过时的	175°C（TJ）	底盘安装	EMIPAK-2B	ETF150		417 w	标准	EMIPAK-2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	三级逆变器			沟	650 v	142 a		2.06V @ 15V，100a				100 µA	不	6.6 NF @ 30 V
IXXX160N65C4	19.9200	RFQ	30	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX160	标准	940 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，80a，1ohm，15V		pt	650 v	290 a	800 a	2.1V @ 15V，160a	3.5mj（在）上，1.3MJ off）	422 NC	52NS/197NS
IKA08N65F5XKSA1	2.6800	RFQ	7608	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKA08N65	标准	31.2 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，4A，48ohm，15V	41 ns	-	650 v	10.8 a	24 a	2.1V @ 15V，8a	（70µJ）（在），20µj（20 µj）	22 NC	10NS/116NS
IXGH35N120B	-	RFQ	4160	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH35	标准	300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，35A，5OHM，15V		pt	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
IRG4BC20MD-SPBF	-	RFQ	7377	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	60 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，11A，50OHM，15V	37 ns	-	600 v	18 a	36 a	2.1V @ 15V，11a	（410µJ）（在），2.03MJ（OFF）中）	39 NC	21NS/463NS
IRGP4640pbf	-	RFQ	8316	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4640	标准	250 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		400V，24a，10ohm，15V		-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（100µJ）（600µJ）（off）	75 NC	40NS/105NS
FGH60N60UFDTU	-	RFQ	5319	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH60	标准	298 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，60a，5ohm，15V	47 ns	现场停止	600 v	120 a	180 a	2.4V @ 15V，60a	1.81mj（在）（810µJ）上）	188 NC	23ns/130ns
MG12100S-BN2MM	-	RFQ	2868	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	S-3模块			450 w	标准	S3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	半桥			沟渠场停止	1200 v	140 a		1.7V @ 15V，100A（类型）				1 MA	不	7.1 NF @ 25 V
NGTB03N60R2DT4G	-	RFQ	4751	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NGTB03	标准	49 W		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		300V，3a，30ohm，15V	65 ns	-	600 v	9 a	12 a	2.1V @ 15V，3A	50µJ（在）上，27µj（27µJ）	17 NC	27NS/59NS
APTGF360U60D4G	-	RFQ	2082	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D4			1560 w	标准	D4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	600 v	450 a		2.45V @ 15V，360a				500 µA	不	17 nf @ 25 V
IRG8P50N120KDPBF	-	RFQ	3794	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG8P	标准	350 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549644	Ear99	8541.29.0095	25		600V，35A，5OHM，15V	170 ns	-	1200 v	80 a	105 a	2V @ 15V，35a	2.3MJ（在）上，1.9MJ off）	315 NC	35NS/190NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²