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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS200R12PT4BOSA1 | 280.3700 | ![]() | 2121 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™4 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS200R12 | 1000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 280 a | 2.15V @ 15V,200a | 1 MA | 是的 | 14 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | FZ2400R12HE4B9HDSA2 | 874.2100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 13500 w | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 3560 a | 2.1V @ 15V,2.4KA | 5 ma | 不 | 150 nf @ 25 V | ||||||||||
![]() | IRG4PSH71U | - | ![]() | 7599 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 包 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-274AA | 标准 | 350 w | SUPER-247™to-274AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRG4PSH71U | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V,70A,5OHM,15V | - | 1200 v | 99 a | 200 a | 2.7V @ 15V,70a | 4.77mj(在)上,9.54mj(OFF) | 370 NC | 51NS/280NS | ||||||||
IXGA28N60A3 | - | ![]() | 9885 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXGA28 | 标准 | 190 w | TO-263AA | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,24a,10ohm,15V | 26 NS | pt | 600 v | 75 a | 170 a | 1.4V @ 15V,24a | (700µJ)(在),2.4MJ off) | 66 NC | 18NS/300NS | ||||||||||
![]() | FMG1G150US60H | 55.2800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 595 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 600 v | 150 a | 2.7V @ 15V,150a | 250 µA | 不 | |||||||||||
APTGT150DU120G | 202.7917 | ![]() | 4499 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 底盘安装 | SP6 | APTGT150 | 690 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重,共同来源 | 沟渠场停止 | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V,150a | 350 µA | 不 | 10.7 NF @ 25 V | ||||||||||
CM300EXS-24S | - | ![]() | 6211 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 模块 | 2270 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 835-1139 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 1200 v | 300 a | 2.25V @ 15V,300A | 1 MA | 是的 | 30 NF @ 10 V | ||||||||||||
![]() | RJP6085DPN-00 #T2 | 3.1500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 178.5 w | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | RJP6085DPN00T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600 v | 40 a | 3.5V @ 15V,40a | - | - | ||||||||||
![]() | NGTB30N120FL2WG | - | ![]() | 2250 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | NGTB30 | 标准 | 452 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,30a,10ohm,15V | 240 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 60 a | 120 a | 2.3V @ 15V,30a | 2.6mj(在)上,700µJ(700µJ) | 220 NC | 98NS/210NS | |||||||
![]() | VID75-06P1 | - | ![]() | 6916 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | vid | 208 w | 标准 | Eco-PAC2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 单身的 | npt | 600 v | 69 a | 2.8V @ 15V,75a | 800 µA | 是的 | 2.8 nf @ 25 V | ||||||||||
![]() | AIHD04N60RFATMA1 | - | ![]() | 5376 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | AIHD04 | 标准 | 75 w | PG-TO252-3-313 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001346858 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V,4A,43OHM,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 8 a | 12 a | 2.5V @ 15V,4A | 60µJ(在)上,50µJ(50µJ) | 27 NC | 12NS/116NS | |||||||
![]() | STGF20H60DF | 2.6300 | ![]() | 632 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF20 | 标准 | 37 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,20a,10ohm,15V | 90 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 40 a | 80 a | 2V @ 15V,20A | 209µJ(在)上,261µJ(OFF) | 115 NC | 42.5NS/177NS | |||||||
![]() | RBN50H65T1FPQ-A0 #CB0 | 6.8100 | ![]() | 6035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 250 w | TO-247A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,50a,16ohm,15V | 65 ns | 沟 | 650 v | 100 a | 2V @ 15V,50a | (830µJ)(在670µJ上) | 36 NC | 20N/93NS | |||||||||
![]() | IRGR4607DTRLPBF | - | ![]() | 5889 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | 58 w | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001549718 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V,4A,100OHM,15V | 48 ns | - | 600 v | 11 a | 12 a | 2.05V @ 15V,4A | (140µJ)(在62µJ上) | 9 NC | 27NS/120NS | ||||||||
BSM50GP120BOSA1 | 247.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM50G | 三相桥梁整流器 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 3相逆变器 | - | 1200 v | 80 a | 2.55V @ 15V,50a | 500 µA | 是的 | 3.3 pf @ 25 V | |||||||||||
![]() | AOTF15B65M1 | 1.2235 | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF15 | 标准 | 36 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1768 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,15a,20欧姆,15V | 317 ns | - | 650 v | 30 a | 45 a | 2.15V @ 15V,15a | 290µJ(在)上,200µj(() | 32 NC | 15NS/94NS | ||||||
![]() | IKW75N120CH7XKSA1 | 12.8100 | ![]() | 2639 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IKW75N120 | 标准 | 549 w | PG-TO247-3-U06 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 145 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 92 a | 300 a | 2.15V @ 15V,75a | 4.22MJ(在)上,1.66MJ off) | 535 NC | 55NS/461NS | |||||||
![]() | FS100R07N2E4B11BPSA1 | 138.2324 | ![]() | 2068 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS100R07 | 335 w | 标准 | Ag-Econo2b | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 100 a | 1.95V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 6.2 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | RJH1BG7RDPK-00 t0 | - | ![]() | 5779 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | APT40GP60SG | - | ![]() | 1746年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | APT40GP60 | 标准 | 543 w | D3 [S] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V,40a,5ohm,15V | pt | 600 v | 100 a | 160 a | 2.7V @ 15V,40a | (385µJ)(在352µJ上) | 135 NC | 20NS/64NS | ||||||||
![]() | BSM100GB120DLCKHOSA1 | - | ![]() | 8279 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM100 | 830 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥 | - | 1200 v | 100 a | - | 是的 | |||||||||||
![]() | APTGT100A60T1G | 60.9100 | ![]() | 3805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTGT100 | 340 w | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V,100a | 250 µA | 是的 | 6.1 NF @ 25 V | |||||||||
F3L225R07W2H3PB63BPSA1 | 102.7100 | ![]() | 5533 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | F3L225 | 20兆 | 标准 | Ag-Easy2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | 单个开关 | - | 650 v | 225 a | 1.75V @ 15V,85a | 1 MA | 是的 | 14 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IGTP10N40 | 0.7800 | ![]() | 934 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400 v | 10 a | - | - | - | ||||||||||||
![]() | FD1000R17IE4BOSA2 | 710.6400 | ![]() | 9666 | 0.00000000 | Infineon技术 | PrimePack™3 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FD1000 | 6250 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单身的 | - | 1700 v | 2.45V @ 15V,1000a | 5 ma | 是的 | 81 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | FS30R06W1E3B11BOMA1 | 38.0833 | ![]() | 6860 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS30R06 | 150 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 45 a | 2V @ 15V,30a | 1 MA | 是的 | 1.65 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | FZ1200R17HE4PHPSA1 | 886.1133 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ1200 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 单个开关 | 沟渠场停止 | 1700 v | 1200 a | 2.3V @ 15V,1200A | 5 ma | 不 | 97 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IXYQ40N65B3D1 | 8.3836 | ![]() | 1449 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXYQ40 | 标准 | 300 w | to-3p | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-IXYQ40N65B3D1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 37 ns | pt | 650 v | 86 a | 195 a | 2V @ 15V,40a | 800µJ(在)上,700µJ(OFF) | 68 NC | 20N/140NS | |||||||
![]() | FF150R12YT3BOMA1 | - | ![]() | 6620 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FF150R12Y | 625 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 2独立 | - | 1200 v | 200 a | 2.15V @ 15V,150a | 1 MA | 是的 | 10.5 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | STGF4M65DF2 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | m | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF4 | 标准 | 23 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-16965 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,4A,47OHM,15V | 133 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 8 a | 16 a | 2.1V @ 15V,4A | 40µJ(在)上,136µJ(OFF) | 15.2 NC | 12NS/86NS |
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