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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FS35R12KE3GBPSA1	109.1653	RFQ	2376	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12		200 w	标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器			-	1200 v	55 a		2.15V @ 15V，35a				5 ma	是的	2.5 nf @ 25 V
IXYK140N120A4	39.3700	RFQ	185	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXYK140	标准	1500 w		TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyk140n120a4	Ear99	8541.29.0095	25		600V，70a，1.5Ohm，15V	47 ns	pt	1200 v	480 a	1200 a	1.7V @ 15V，140a	4.9MJ（在）上，12MJ（12MJ）	420 NC	52NS/590NS
IRGBC40S	-	RFQ	1054	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	160 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-	600 v	50 a		1.8V @ 15V，31a
CM75TL-24NF	-	RFQ	5603	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			520 w	标准	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器			-	1200 v	75 a		3V @ 15V，75a				1 MA	不	11.5 nf @ 10 V
FP100R12KT4B11BOSA1	270.7100	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP100R12		515 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，100a				1 MA	是的	6.3 NF @ 25 V
FD16001200R17KF6CB2NOSA1	1.0000	RFQ	22	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				标准	Ag-Econo2b	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关			-	1700 v	2600 a		3.1V @ 15V，1.6ka				5 ma	不	105 NF @ 25 V
APT80GP60B2G	23.1200	RFQ	6040	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	APT80GP60	标准	1041 w		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				pt	600 v	100 a		2.7V @ 15V，80a
IXGP7N60CD1	-	RFQ	7096	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP7	标准	75 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，7a，18ohm，15V	35 ns	-	600 v	14 a	30 a	2.5V @ 15V，7a	120µJ（离）	25 NC	10NS/65NS
IRGB4056DPBF	-	RFQ	8759	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRGB4056	标准	140 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，12A，22OHM，15V	68 ns	沟	600 v	24 a	48 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
IXGT28N120BD1	-	RFQ	7542	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT28	标准	250 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		960V，28a，5ohm，15V	40 ns	pt	1200 v	50 a	150 a	3.5V @ 15V，28a	2.2mj（（）	92 NC	30NS/210NS
SIGC12T60NCX1SA5	-	RFQ	3059	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC12	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		300V，10a，27ohm，15V		npt	600 v	10 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	-		21NS/110NS
Afghl25T120RH	-	RFQ	2200	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl25	标准	261 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL25T120RH	Ear99	8541.29.0095	450		600V，25A，5OHM，15V	159 ns	沟渠场停止	1200 v	48 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	1.94mj（在）上（770µJ）off）	189 NC	27ns/118ns
RGWS80TS65DGC13	6.5200	RFQ	7126	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGWS80	标准	202 w		TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWS80TS65DGC13	Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10ohm，15V	88 ns	沟渠场停止	650 v	71 a	120 a	2V @ 15V，40a	（700µJ）（在660µJ上）	83 NC	40NS/114NS
FGB40N60SM	-	RFQ	2594	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	349 w		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，40a，6ohm，15V		现场停止	600 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	870µJ（在）上，260µJ降）	119 NC	12NS/92NS
BSM100GB120DLCKHOSA1	-	RFQ	8279	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM100		830 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥			-	1200 v	100 a		-					是的
FGH40T120SMD-F155	9.6300	RFQ	4809	Onmi	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准	555 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，40a，10ohm，15V	65 ns	沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	2.7MJ（在）上，1.1MJ off）	370 NC	40NS/475NS
FF150R12YT3BOMA1	-	RFQ	6620	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF150R12Y		625 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	2独立			-	1200 v	200 a		2.15V @ 15V，150a				1 MA	是的	10.5 NF @ 25 V
STGB40H65FB	3.8500	RFQ	8354	Stmicroelectronics	HB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB40	标准	283 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，40a，5ohm，15V		沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
IXGT40N60B2D1	-	RFQ	7083	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT40	标准	300 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，3.3ohm，15V	25 ns	pt	600 v	75 a	200 a	1.7V @ 15V，30a	400µJ（离）	100 NC	18NS/130NS
STGF4M65DF2	1.2900	RFQ	1	Stmicroelectronics	m	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF4	标准	23 W		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16965	Ear99	8541.29.0095	50		400V，4A，47OHM，15V	133 ns	沟渠场停止	650 v	8 a	16 a	2.1V @ 15V，4A	40µJ（在）上，136µJ（OFF）	15.2 NC	12NS/86NS
APTGT100A60T1G	60.9100	RFQ	3805	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT100		340 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a				250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
GB100XCP12-227	-	RFQ	4226	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4				标准	SOT-227	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	10	单身的			pt	1200 v	100 a		2V @ 15V，100a				1 MA	不	8.55 NF @ 25 V
SGW15N60FKSA1	-	RFQ	8449	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW15N	标准	139 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		400V，15A，21OHM，15V		npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
IXYN100N65B3D1	-	RFQ	5296	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			600 w	标准	SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyn100n65b3d1	Ear99	8541.29.0095	10	单身的			pt	650 v	185 a		1.85V @ 15V，70a				50 µA	不	4.74 NF @ 25 V
FMM7G30US60I	28.1700	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块			104 w	三相桥梁整流器	-	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM7G30US60I	Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器			-	600 v	30 a		2.7V @ 15V，30a				250 µA	是的	2.1 NF @ 30 V
IRG4BH20K-STRLP	-	RFQ	7695	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	60 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001540346	Ear99	8541.29.0095	800		960V，5A，50OHM，15V		-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	（450µJ）（在440µJ上）	28 NC	23ns/93ns
SIGC100T60R3EX1SA1	-	RFQ	7611	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC100	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-SIGC100T60R3EX1SA1-448		0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	600 v	200 a	600 a	1.9V @ 15V，200a	-		-
IFS100V12PT4BOSA1	-	RFQ	5810	Infineon技术	MIPAQ™	托盘	过时的	-40°C〜65°C	底盘安装	模块	IFS100			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器			-	1200 v	100 a		2.15V @ 15V，100A					是的
IHW30N110R5XKSA1	4.8000	RFQ	228	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	330 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-		-		60 a	90 a	1.85V @ 15V，30a	-	240 NC	- /350n
APT100GLQ65JU2	28.2300	RFQ	8882	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT100		430 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器			沟渠场停止	650 v	165 a		2.3V @ 15V，100a				50 µA	不	6.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²