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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-VSHPS1445 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-VSHPS1445 | 过时的 | 160 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGPS66160DPBF | - | ![]() | 4558 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-274AA | 标准 | 750 w | SUPER-247™to-274AA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001548322 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,120A,4.7OHM,15V | 95 ns | - | 600 v | 240 a | 360 a | 1.95V @ 15V,120a | 4.47mj(在)上,3.43mj off) | 220 NC | 80NS/190NS | ||||||||
![]() | 2PS12017E44G35911NOSA1 | - | ![]() | 3097 | 0.00000000 | Infineon技术 | Primestack™ | 大部分 | 过时的 | -25°C〜55°C | 底盘安装 | 模块 | 2PS12017 | 2160 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 2.45V @ 15V,300A | 是的 | ||||||||||||||
![]() | IXGK72N60A3H1 | - | ![]() | 7802 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXGK72 | 标准 | 540 w | TO-264(ixgk) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V,50a,3ohm,15v | 140 ns | pt | 600 v | 75 a | 400 a | 1.35V @ 15V,60a | 1.4MJ(在)上,3.5MJ off) | 230 NC | 31ns/320ns | |||||||
![]() | AOK30B135D2 | 3.2945 | ![]() | 7074 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | AOK30 | TO-247 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 240 | |||||||||||||||||||||
APTGT50SK170T1G | 61.9200 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | APTGT50 | 312 w | 标准 | SP1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 75 a | 2.4V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | TIG110BF | - | ![]() | 5291 | 0.00000000 | Onmi | - | 包 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-220-3完整包 | Tig110 | 标准 | 2 w | TO-220FI(LS) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 300V,15A,30OHM,15V | npt | 600 v | 27 a | 108 a | 2V @ 15V,15a | - | 95 NC | 65NS/250NS | |||||||||
![]() | IRG5K100HF12A | - | ![]() | 4446 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Powir®34模块 | 620 w | 标准 | Powir®34 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001537392 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 半桥 | - | 1200 v | 200 a | 2.6V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 12.9 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IXXH30N65B4 | 6.3200 | ![]() | 2271 | 0.00000000 | ixys | Genx4™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXXH30 | 标准 | 230 w | TO-247AD(IXXH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,15ohm,15V | pt | 650 v | 65 a | 146 a | 2V @ 15V,30a | 1.55MJ(在)上,480µJ off) | 52 NC | 32NS/170NS | ||||||||
![]() | FGH75T65SHDT-F155 | 8.3200 | ![]() | 6087 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | FGH75 | 标准 | 455 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,75a,3ohm,15v | 76 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 150 a | 225 a | 2.1V @ 15V,75a | 3MJ(在)上,750µJ(OFF) | 123 NC | 28ns/86ns | |||||||
![]() | GSID100A120T2C1 | - | ![]() | 2280 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | GSID100 | 640 w | 三相桥梁整流器 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 200 a | 2.1V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 13.7 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | RJP30E3DPP-M0 #T2 | 2.8300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGR4610DTRRPBF | - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 标准 | 77 w | D-pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP001545254 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V,6A,47OHM,15V | 74 ns | - | 600 v | 16 a | 18 a | 2V @ 15V,6A | 56µJ(在)上,122µJ(122µJ) | 13 NC | 27ns/75ns | ||||||||
![]() | CM200DY-34A | - | ![]() | 7376 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1980 w | 标准 | 模块 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1700 v | 200 a | 2.8V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 49.4 NF @ 10 V | |||||||||||
![]() | IRG7CH73UED-R | - | ![]() | 3818 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRG7CH | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
IXGA12N120A3-TRL | 3.7617 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXGA12 | 标准 | 100 W | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixga12n120a3-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V,12a,10ohm,15V | pt | 1200 v | 22 a | 60 a | 3V @ 15V,12A | - | 20.4 NC | 35NS/62NS | ||||||||||
IKN01N60RC2ATMA1 | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | IKN01N | 标准 | 5.1 w | PG-SOT223-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 448-IKN01N60RC2ATMA1CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V,1A,49ONM,15V | 59.5 ns | - | 600 v | 2.2 a | 3 a | 2.3V @ 15V,1A | 25.1µJ(在)上,13.5µJ off) | 9 NC | 5.6NS/80NS | |||||||
![]() | STGB6M65DF2 | 1.5900 | ![]() | 9189 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | m | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STGB6 | 标准 | 88 w | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400V,6A,22OHM,15V | 140 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 12 a | 24 a | 2V @ 15V,6A | 36µJ(在)(200µJ)上(OFF) | 21.2 NC | 15NS/90NS | |||||||
![]() | APTGF25DDA120T3G | - | ![]() | 4581 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 208 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | npt | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V,25a | 250 µA | 是的 | 1.65 NF @ 25 V | ||||||||||||
![]() | IRG7PH30K10DPBF | 1.0000 | ![]() | 4174 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 180 w | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V,9A,22OHM,15V | 140 ns | 沟 | 1200 v | 30 a | 27 a | 2.35V @ 15V,9a | 530µJ(在)(380µJ)上 | 45 NC | 14NS/110NS | ||||||||
![]() | STGWT60H65FB | 5.2300 | ![]() | 393 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | STGWT60 | 标准 | 375 w | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,60a,5ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 80 a | 240 a | 2.3V @ 15V,60a | 1.09mj(在)上(626µJ)off) | 306 NC | 51NS/160NS | ||||||||
![]() | IRG7CH42 | - | ![]() | 9742 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | IRG7CH | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S7N60C3D | 0.9800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 标准 | 60 W | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 25 ns | - | 600 v | 14 a | 56 a | 2V @ 15V,7a | - | 38 NC | - | ||||||||
![]() | STGWA15H120DF2 | 4.6800 | ![]() | 5842 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA15 | 标准 | 259 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 600V,15a,10ohm,15V | 231 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 30 a | 60 a | 2.6V @ 15V,15a | (380µJ)(在370µJ上) | 67 NC | 23ns/111ns | |||||||
![]() | CM150DY-34A | - | ![]() | 3745 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 1600 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1700 v | 150 a | 2.8V @ 15V,150a | 1 MA | 不 | 37 NF @ 10 V | |||||||||||
![]() | IXGT39N60BD1 | - | ![]() | 1404 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXGT39 | 标准 | 200 w | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,39A,4.7OHM,15V | 25 ns | - | 600 v | 76 a | 152 a | 1.7V @ 15V,39a | (4MJ)) | 110 NC | 25NS/250NS | ||||||||
![]() | APT25GT120BRDQ2G | 8.2300 | ![]() | 7574 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Thunderboltigbt® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | APT25GT120 | 标准 | 347 w | TO-247 [B] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V,25a,5ohm,15V | npt | 1200 v | 54 a | 75 a | 3.7V @ 15V,25a | 930µJ(在)上,720µJ(720µJ) | 170 NC | 14NS/150NS | ||||||||
![]() | RGTV00TS65DGC11 | 7.2700 | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGTV00 | 标准 | 276 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,50a,10ohm,15V | 102 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 95 a | 200 a | 1.9V @ 15V,50a | (1.17MJ)(在),940µJ降低) | 104 NC | 41NS/142NS | |||||||
![]() | SIGC08T60EX1SA2 | - | ![]() | 3571 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC08 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 15 a | 45 a | 1.9V @ 15V,15a | - | - | |||||||||||
![]() | IXGH20N140C3H1 | - | ![]() | 4108 | 0.00000000 | ixys | Genx3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH20 | 标准 | 250 w | TO-247AD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 700V,20A,5OHM,15V | 70 ns | pt | 1400 v | 42 a | 108 a | 5V @ 15V,20A | 1.35MJ(在)上,440µJ off) | 88 NC | 19NS/110NS |
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