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（BJT）（35082）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2N5551	0.1900	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		625兆	到92	下载	rohs3符合条件			2368-2N5551	Ear99	8541.21.0095	1	160 v	200 ma	-	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
BD159STU	-	RFQ	7295	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD159	20 w	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	350 v	500 MA	100µA（ICBO）	NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		330兆	PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000	80 V	500 MA	100NA		250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
2SC4519-6-TB-E	0.1800	RFQ	99	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
S9013-I-AP	-	RFQ	5528	微商业公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	S9013	625兆	到92	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		353-S9013-IAPTB	Ear99	8541.21.0075	2,000	25 v	500 MA	100NA	NPN	600mv @ 50mA，500mA	190 @ 50mA，1V	150MHz
2SC4523S-TL-E	0.7300	RFQ	2	Sanyo	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	700
FJC790TF	0.1900	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		500兆	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,000	40 V	2 a	100NA	PNP	450mv @ 50mA，2a	300 @ 10mA，2V	-
CE1F3P（（1）-t-az	0.5400	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
PMD11K80	2.0000	RFQ	20	固态公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			TO-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-PMD11K80	Ear99	8541.10.0080	10	80 V	12 a	-	pnp-达灵顿	-	-	-
BC848A-7-F	0.2000	RFQ	28	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848	300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	30 V	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
KSC815YBU	-	RFQ	6951	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSC815	400兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000	45 v	200 ma	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	200MHz
BCR158WE6327	1.0000	RFQ	3959	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR158	250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
SJE3016	0.2400	RFQ	45	Onmi	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IGB03N120H2ATMA1616	-	RFQ	8180	Infineon技术	*	大部分	积极的							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
DTC114YE3HZGTL	0.4100	RFQ	3	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114	150兆	EMT3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-DTC114YE3HZGTLCT	Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
DDTC143XKA-7-F	-	RFQ	9665	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DDTC143	200兆	SC-59-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
BD239BTU	0.2600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD239	30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,158	80 V	2 a	300µA	NPN	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
BU406D	3.0600	RFQ	192	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		60 W	TO-220	下载	Rohs不合规			2368-BU406D	Ear99	8541.29.0095	1	200 v	7 a	15mA	NPN	1V @ 650mA，5a	15 @ 2a，5v	10MHz
2n3439p	27.9750	RFQ	9958	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3		800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N3439P	Ear99	8541.21.0095	1	350 v	1 a	2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
BC68PAS115	-	RFQ	5550	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
DRC9114T0L	-	RFQ	4483	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-89，SOT-490	DRC9114	125 MW	ssmini3-f3-b	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	250mv @ 500µA，10mA	160 @ 5mA，10v		10 kohms
2N5232A	0.3000	RFQ	7318	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		360兆w	到92	下载	Rohs不合规			2368-2N5232A	Ear99	8541.21.0095	1	50 V	100 ma	30na	NPN	125mv @ 1mA，10mA	250 @ 2mA，5v	-
BC618G	-	RFQ	3112	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	BC618	625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000	55 v	1 a	50NA	npn-达灵顿	1.1V @ 200µA，200mA	10000 @ 200mA，5v	150MHz
D45C12	0.5000	RFQ	50	固态公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		30 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	2383-D45C12	Ear99	8541.10.0080	10	80 V	4 a	10µA	PNP	500mv @ 50mA，1a	40 @ 200ma，1V	40MHz
PDTC123ET，215	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC123	250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0095	15,000	50 V	100 ma	1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
CZT3904 TR PBFRE	0.9700	RFQ	39	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	CZT3904	2 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000	40 V	200 ma	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
MJ6503 PBFRE	-	RFQ	6713	中央半导体公司	MJ6503	管子	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	MJ6503	125 w	TO-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1514-MJ6503PBFRE	Ear99	8541.29.0095	1	400 v	8 a	500µA	PNP	5V @ 3a，8a	15 @ 2a，5v	-
DTC123JE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA143Z	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123	150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000	50 V	100 ma	500NA（ICBO）	pnp- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
2SA1339S-AC	0.0800	RFQ	41	Onmi	*	大部分	积极的							下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,806
UMD2NFHATR	0.4800	RFQ	24	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UMD2	150MW	UMT6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-UMD2NFHATR	Ear99	8541.21.0075	3,000	50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（BJT）（35082）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²